Закиров Евгений Рашитович
| Дата рождения: | 23.05.1990 |
| Вуз (дата окончания): | НГТУ (2013) |
| 2013 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Стабилизация и пассивация поверхности КРТ сверхтонким собственным оксидом, сформированным в кислородной плазме тлеющего разряда |
| Научный руководитель: |
к.ф.-м.н., доцент Кеслер Валерий Геннадьевич |
| Лаборатория: | Лаб. №14 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, V.I. Vdovin, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, E.R. Zakirov, V.G. Kesler. Fluorinated graphene dielectric films obtained from functionalized graphene suspension: preparation and properties. Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 17, pp. 13257 – 13266; DOI: 10.1039/C4CP04646C |  |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Kesler V.G., Zakirov E.R. XPS in-situ investigation of GaAs oxidation in glow discharge plasma. Proceedings of 11th annual International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Erlagol, Altai, 2010. Pp. 28 – 29. DOI: 10.1109/EDM.2010.5568681. |  |
 |
| Kesler V.G., Zakirov E.R. The investigation of Pt/HgCdTe and oxide/HgCdTe heterointerface formation by method XPS in situ. Proceedings of 14th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Erlagol, Altai, 2013. Pp. 53 – 55. DOI: 10.1109/EDM.2013.6641939. |  |
 |
| Кеслер В.Г., Гузев А.А., Дворецкий С.А., Закиров Е.Р., Ковчавцев А.П., Панова З.В., Якушев М.В. Барьерные свойства структур Au-CdxHgx-1Te на кремнии. Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Спб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013, с. 215. |  |
 |
| Кеслер В.Г., Гузев А.А., Дворецкий С.А., Закиров Е.Р., Ковчавцев А.П., Панова З.В., Якушев М.В. Фоточувствительные МДП-структуры со сверхтонким диэлектриком на КРТ. Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М.: ОАО «НПО «ОРИОН», 2014, с. 148-151. |  |
 |
| Kesler V.G., Zakirov E.R. HgCdTe Surface stabilization by ultrathin native oxide. Proceedings of 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Erlagol, Altai, 2014, pp. 33 – 35. DOI: 10.1109/EDM.2014.6882470. |  |
 |
| E.R. Zakirov, V.G. Kesler. Formation and characterization of Au-Al2O3-native oxide-HgCdTe structures. Proceedings of 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. Erlagol, Altai, 2015. Pp. 27 - 31. DOI: 10.1109/EDM.2015.7184480. |  |
 |
| D.E. Ipatov, E.R. Zakirov, V.G. Kesler. Features of Hgx-1CdxTe anodic sulfidization. Proceedings of 16th lnternational Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. Erlagol, Altai, 2015. Pp. 32 - 36. DOI: 10.1109/EDM.2015.7184481. |  |
 |
| V.G. Kesler, A.A. Guzev, S.A. Dvoretskiy, E.R. Zakirov, A.P. Kovchavtsev, Z.V. Panova, and M.V. Yakushev. Photosensitive MIS structures with ultrathin dielectric based on CdxHg1-xTe (x ∼ 0.4). Phys. Status Solidi C, 2016. DOI: 10.1002/pssc.201510275. |  |
 |
| E.R. Zakirov, V.G. Kesler. The Gaussian distribution of barrier heights in Au/native fluoride/nHgCdTe Schottky diodes. Proceedings of 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. Erlagol, Altai, 2016. Pp. 11 – 15. DOI: 10.1109/EDM.2016.7538680. |  |
 |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| Kesler V.G., Zakirov E.R., The investigation of Pt/HgCdTe and oxide/HgCdTe heterointerface formation by method XPS in situ., International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Эрлагол, Алтай, 1 – 5 июля 2013 г. , устный доклад |  |
 |
 | |
| E.R. Zakirov, V.G. Kesler, Formation and characterization of Au-Al2O3-native oxide-HgCdTe structures, Proceedings of 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Эрлагол, Алтай, 29 июня – 3 июля 2015 г., устный доклад |  |
 |
Участие в грантах:
- РФФИ 13-07-12151 офи-м.
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
Собрана и изучена литература по способам химической очистки поверхности КРТ, по способам пассивации поверхности КРТ, по методам формирования и свойствам собственного оксида КРТ, составлен обзор литературы.2-й семестр:
Найден оптимальный способ химический очистки КРТ, обеспечивающий полное удаление углеродных загрязнений и естественного окисла с поверхности КРТ при минимальном нарушении стехиометрии приповерхностного слоя полупроводника.3-й семестр:
Получена кинетика окисления КРТ в плазме тлеющего разряда в режимах оксидирования и анодирования в кислородной и фтор-кислородной атмосферах. Изучен химический состав формируемых окислов, исследованы закономерности и особенности процесса окисления КРТ в плазме тлеющего разряда, проведено сравнение с литературными данными.4-й семестр:
Сформированы структуры металл-полупроводник на КРТ с промежуточным слоем собственного оксида КРТ, обладающие диодными характеристиками и фоточувствительностью в ИК диапазоне.5-й семестр:
Установлены и исследованы стабилизирующие свойства собственного оксида КРТ при термических отжигах и осаждении диэлектрических и металлических слоев на КРТ.Исследована временная стабильность параметров структур типа барьера Шоттки на КРТ с туннельным окислом.
6-й семестр:
Сформированы структуры металл-диэлектрик-полупроводник на КРТ с оксидом алюминия, осажденным разными способами (ЭЛИ, АСО), в качестве диэлектрика и промежуточным слоем собственного оксида КРТ. Методом РФЭС определена ширина запрещенной зоны осаждаемого методом АСО оксида алюминия, построена зонная диаграмма структуры Au-Al2O3-КРТ. Проведены модельные расчеты и изучены экспериментальные вольт-фарадные характеристики МДП структур. Определена диэлектрическая проницаемость Al2O3, осажденного методом АСО. Показано влияние собственного оксида КРТ на электрофизические параметры формируемых МДП структур.7-й семестр:
Изучено влияние параметров осаждения Al2O3 методом ALD на его состав, стехиометрию, диэлектрическую проницаемость и на электрофизические параметры формируемых МДП-структур.8-й семестр:
Проведена серия экспериментов по термическому отжигу приборных структур.Проведен анализ и обобщение накопленных экспериментальных данных.