Туктамышев Артур Раисович
| Дата рождения: | 18.09.1991 |
| Вуз (дата окончания): | Новосибирский государственный университет (2014) |
| 2014 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Научный руководитель: |
к.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович |
| Лаборатория: | Лаб. №16 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| В.А. Тимофеев, А.П. Коханенко, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев. “Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn” Известия вузов. Физика, т. 58, №7, с. 81-85 (2015). |  |
| V.A. Timofeev, A.P. Kokhanenko, A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, A.R. Tuktamyshev, I.D. Loshkarev. “Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions” Russian Phys. J., V. 58, №7, PP. 965-969 (2015). | |
| А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, С.А. Тийс. “Начальные стадии роста тройных соединений Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ” Физика и техника полупроводников, т. 49, №12, с. 1630-1634 (2015). | |
| A.R. Tuktamyshev, V.I. Mashanov, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, S.A. Teys. “Initial growth stages of Si-Ge-Sn ternary alloys grown on Si(100) by low-temperature molecular-beam epitaxy” Semiconductors, V. 49, №12, PP. 1582-1586 (2015). | |
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, М.Ю. Есин, С.А. Тийс. “Формирование методом МЛЭ самоорганизующихся наноструктур Ge-Si-Sn на Si(100) для использования в оптоэлектронике и фотонике” Известия Вузов. Физика, т. 58, № 8/2, с. 238-240 (2015). | |
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, О.П. Пчеляков. “Анализ дефектности пленок GeSn и GeSiSn полученных методом МЛЭ на подложках Si(100)” Известия вузов. Физика, т. 58, № 8/2, с. 244-246 (2015). | |
| A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Yakimov, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovskii. “Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100)” Journal of Crystal Growth, V. 457, PP. 215-219 (2017). | |
| A. Nikiforov, V. Timofeev, A. Tuktamyshev, A. Yakimov, V. Mashanov, A. Gutakovskii, O. Pchelyakov, N. Baidakova. “Strained GeSiSn Nanoscale Materials Grown by MBE on Si(100)” International Journal of Applied Physics, V. 1, PP. 57-61 (2016). | |
| В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, А.К. Гутаковский, Н.А. Байдакова. “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn” Физика и техника полупроводников, т. 50, №12, с. 1610-1614 (2016). | |
| V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.R. Tuktamyshev, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovskii, N.A. Baidakova. “Strained Multilayer Structures with Pseudomorphic GeSiSn Layers” Semiconductors, V. 50, PP. 1582-1589 (2016). | |
| А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров, В.В. Мурашов. “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова” Физика и техника полупроводников, т. 51, №3, с. 342-347 (2017). | |
| A. Nikiforov, V. Timofeev, A. Tuktamyshev, A. Yakimov, V. Mashanov, I. Loshkarev, A. Gutakovskii, O. Pchelyakov, N. Baidakova. “Strained Nanoscale GeSiSn Layers Grown on Silicon for Optoelectronic” WSEAS Transactions on Electronics, V. 7, PP. 26-31 (2016). | |
| В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.П. Коханенко, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, И.Д. Лошкарев, В.А. Новиков. “Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК области” Известия вузов. Физика, т. 60, №2, с. 135-140 (2017). | |
| В.А. Володин, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров. “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия” Письма в ЖЭТФ, т. 105, №5, c. 305-310 (2017). | |
| A.A. Bloshkin, A.I. Yakimov, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Nikiforov, V.V. Murashov. “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents” Semiconductors, V. 51, №3, PP. 329-334 (2017). | |
| A.R. Tuktamyshev, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovskii, N.A. Baydakova. “Sn influence on MBE growth of GeSiSn/Si MQW” Journal of Physics: Conference Series, V. 816, pp. 012020 (2017). | |
| M.Y. Yesin, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Nikiforov, I.D. Loshkarev. “The ordering of Ge islands on a stepped Si(100) surface” Journal of Physics: Conference Series, V. 816, pp. 012015 (2017). | |
| V.A. Volodin, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Nikiforov. “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers” JETP Letters, V. 105, №5, PP. 327-331 (2017). | |
| V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.P. Kokhanenko, A.R. Tuktamyshev, V.I. Mashanov, I.D. Loshkarev, V.A. Novikov. “Growth of epitaxial SiSn films with high Sn content for IR converters” Russian Phys. J., V. 60, №2, PP. 354-359 (2017). | |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| О.А. Шегай, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, H.-H. Cheng. “Фотопроводимость низкоразмерных Si/Ge структур без поверхностного слоя Si” Труды XVIII международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”,10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, т. 2, с. 682-683. |  |
|
| А.Р. Туктамышев. “Начальные стадии эпитаксии твердых растворов SixSnyGe1-x-y на кремнии из молекулярных пучков” Материалы 52-й международной научной студенческой конференции “МНСК-2014”, 11-18 апреля 2014 г., Новосибирск, Квантовая физика, с. 40. | |
|
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, М.Ю. Есин. “Начальные стадии роста тройных сплавов Si-Ge-Sn на Si(100), выращенных методом низкотемпературной МЛЭ” Труды XIX международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, т. 2, с. 678-679. | |
|
| V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.R. Tuktamyshev, S.A. Teys, O.P. Pchelyakov. “Influence of elastic strains and growth temperature on synthesis of self-assembled GeSi nanoscale structures” Proceedings of 23rd International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2015 June 22-26, Saint Petersburg, Russia, PP. 145-146. | |
|
| А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, С.А. Тийс, М.Ю. Есин. “Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ” Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, 21-25 сентября 2015 г., Звенигород, с. 161. | |
|
| В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, А.К. Гутаковский, Н.А. Байдакова. “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn” Материалы XX международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород, т. 2, с. 748-749. | |
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, О.П. Пчеляков. “Влияние фонового содержания Sn на формирование Ge островков на поверхности Si(100)” Материалы XX международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород, т. 2, с. 579-580. | |
|
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, М.Ю. Есин. “Влияние Sn на рост псевдоморфных слоев GeSiSn” Материалы XXII Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, 21-28 апреля 2016 г., Ростов-на-Дону, с. 199. | |
|
| V. Timofeev, A. Nikiforov, A. Tuktamyshev, S. Teys. “Surface morphology of thin films based on Ge-Si-Sn materials at different growth conditions” Abstract book of European conference on Surface Science “ECOSS 2016”, 2016 August 28 – September 2, Grenoble, France, P. 413. | |
|
| В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, А.К. Гутаковский, Н.А. Байдакова, Д.С. Абрамкин. “Морфология, стуктура и оптические свойства псевдоморфных пленок GeSiSn” Тезисы XI Конференции и по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016», 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, с.138. | |
|
| A. Nikiforov, V. Timofeev, A. Tuktamyshev, M. Esin, S. Teys, O. Pchelyakov. “Self-assembled strained GeSi nanoscale structures grown by MBE on Si(100)” Abstract book of 5th European Conference on Crystal Growth, 2015 September 9-11, Bologna, Italy, P. 244. | |
|
| А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров. “Получение и оптические свойства многослойных структур с квантовыми ямами Ge-Si-Sn” Тезисы докладов XVIII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 28 ноября – 2 декабря 2016 г., г. Санкт-Петербург, с. 73. | |
|
| В.В. Мурашов, А.Р. Туктамышев, А.А. Блошкин. “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова” Тезисы докладов XVIII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 28 ноября – 2 декабря 2016 г., г. Санкт-Петербург, с. 54. | |
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин, О.П. Пчеляков. “Исследование механизма упорядочения массива островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100)” Материалы XXI международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, 13-16 марта 2017 г., Нижний Новгород, т. 2, с. 588-589. | |
|
| A.R. Tuktamyshev, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, S.A. Teys, I.D. Loshkarev, A.A. Bloshkin. “MBE growth of SiGeSn/Si MQW for optoelectronics” Abstract of 2017 Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, March 21-22, 2017, Sendai, Japan, p. 29. | |
|
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| А.Р. Туктамышев, Начальные стадии эпитаксии твердых растворов SixSnyGe1-x-y на кремнии из молекулярных пучков, 52-я международная научная студенческая конференция “МНСК-2014”, Новосибирск, 11-18 апреля 2014 г., устный доклад | |
|
|
|
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, М.Ю. Есин, Начальные стадии роста тройных сплавов Si-Ge-Sn на Si(100), выращенных методом низкотемпературной МЛЭ, XIX международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г, стендовый доклад | |
|
|
|
| А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, С.А. Тийс, М.Ю. Есин, Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ, XII Российская конференция по физике полупроводников, Звенигород, 21-25 сентября 2015 г., стендовый доклад | |
|
|
|
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, М.Ю. Есин, С.А. Тийс, Формирование методом МЛЭ самоорганизующихся наноструктур Ge-Si-Sn на Si(100) для использования в оптоэлектронике и фотонике, 6-я международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики», Томск, 5 - 10 октября 2015 г., устный доклад | |
|
|
|
| А.Р. Туктамышев, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.И. Машанов, М.Ю. Есин, Влияние Sn на рост псевдоморфных слоев GeSiSn, XXII Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Ростов-на-Дону, 21-28 апреля 2016 г., устный доклад | |
|
| |
| А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров, Получение и оптические свойства многослойных структур с квантовыми ямами Ge-Si-Sn, XVIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 28 ноября - 2 декабря 2016 г., стендовый доклад | |
|
|
|
| A.R. Tuktamyshev, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, S.A. Teys, I.D. Loshkarev, A.A. Bloshkin, MBE growth of SiGeSn/Si MQW for optoelectronics, 2017 Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, Sendai, Japan, March 21-22, 2017 , стендовый доклад | |
|
|
|
Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):
- Стипендия конкурса молодых ученых ИФП СО РАН 2014 г.
- Стипендия конкурса молодых ученых ИФП СО РАН 2016 г.
- Диплом 3 степени в областном конкурсе «Научный потенциал студентов и молодых ученых Новосибирской области» (НП НСО – 2016) в номинации «Новые материалы. Лучший научно-исследовательский проект»
Участие в грантах:
- Исполнитель: Грант РФФИ №14-29-07153-офи_м, "Физико-технологические основы создания нового поколения устройств элементной базы для оптоэлектроники на базе материалов GeSiSn"; руководитель - Никифоров А.И.
- Руководитель: Грант РФФИ №16-32-00039-мол_а, "Влияние Sn на морфологию поверхности и структуру при эпитаксиальном росте соединений GeSiSn на Si(100)"
- Исполнитель: Грант РНФ №16-12-00023, "Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов"; руководитель - Пчеляков О.П.
- Исполнитель: Грант РФФИ №16-29-03292-офи_м, "Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе Ge-Si-Sn для многокаскадных солнечных элементов", руководитель - Пчеляков О.П.
- Исполнитель: Грант РФФИ № 12-02-31051-мол_а, "Влияние релаксации напряжений и сегрегации Ge на реконструкцию поверхности в Ge/Si гетеросистеме"; руководитель - Тимофеев В.А.
Научно-педагогическая практика:
- Новосибирский государственный университет, Физический факультет, кафедра автоматизации физико-технических исследований, 4 курс, «Физические основы микроэлектроники». Руководитель практики: Блошкин Алексей Александрович