Стрыгин Иван Сергеевич

Дата рождения: 03.04.1991
Вуз (дата окончания): НГУ (2014)
Год поступления в аспирантуру: 2014
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Равновесные и неравновесные свойства низкоразмерных электронных систем на основе гетероструктур GaAs/AlAs
Научный руководитель: д.ф.-м.н., проф. Быков Алексей Александрович
Лаборатория: Лаб. №26
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
Д.В Дмитриев, И.С. Стрыгин, А.А. Быков, С. Дитрих, С.А. Виткалов, Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs, Письма в ЖЭТФ, 95, 8, с. 467-471, 2012.
А.В.Горан, И.С. Стрыгин, А.А. Быков, Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в квазидвумерных электронных дисках Корбино при больших факторах заполнения, Письма в ЖЭТФ, 96, 12, с. 894-898, 2012.
А.А. Быков, И.С. Стрыгин, И.В. Марчишин, А.В. Горан, Нелинейный магнетотранспорт в двумерноей системе электронов в квадратной решетке антиточек на основе гетероструктуры GaAs/AlAs, Письма в ЖЭТФ, 99, 5, с. 347-352, 2014.
А.А. Быков, И.В. Марчишин, И.С. Стрыгин, Д.В. Дмитриев, А.В. Горан, Нелинейная проводимость двумерного электронного газа при больших факторах заполнения, Юбилейный сборник избранных трудов института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН, с. 124-131, 2014.
А.А. Быков, И.С. Стрыгин, Е.Е. Родякина, В. Майер, С.А. Виткалов, Интерференция соизмеримых и индуцированных микроволновым излучением осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в одномерной латеральной сверхрешетке, Письма в ЖЭТФ, 101, 10, с.781-786, 2015.
A.A. Bykov, I.S. Strygin, A.V. Goran, A.K. Kalagin, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Microwave-induced zero-resistance state in two-dimensional electron systems with unidirectional periodic modulation, Appl. Phys. Lett., 108, 012103, 2016.
А.А. Быков, И.С. Стрыгин, А.В. Горан, Е.Е. Родякина, В. Майер, С.А. Виткалов, Нулевое дифференциальное сопротивление двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале при больших факторах заполнения, Письма в ЖЭТФ, том 104, вып. 4, с. 258, 2016.

Научно-педагогическая практика:

  1. НГУ, кафедра АФТИ, курс «Практическое программирование», время проведение практики: пн 10:50 – 13:30, вт 13:30 – 14:10

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Проведен самосогласованный расчет квантовых ям с двумя и тремя заполненными подзонами размерного квантования, также проведена работа с литературой. Исследованы магнетотранспортные свойства двухподзонной электронной системы в периодическом потенциале квадратной решетки антиточек.

2-й семестр:

Проведен поиск научной литературы по одномерным латеральным решеткам на основе полупроводниковых селективно-легированных гетероструктур. Рассчитана амплитуда одномерного периодического потенциала в одномерной решетке с периодом 400 нм. Исследован линейный магнетотранспорт двумерных электронов в одномерных решетках с периодом 200 и 400 нм на основе гетероструктур GaAs/AlAs.

3-й семестр:

Проведен поиск научной литературы по моделям магнетотранспорта двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале. Рассчитаны зависимости сопротивления двумерного электронного газа от магнитного поля для решеток с периодами 200, 300, 400, 500 и 600 нм в рамках классической модели. Исследованы линейные свойства одномерных латеральных решеток на основе гетероструктур GaAs/AlAs с периодами 200, 300, 400, 500 и 600 нм при температуре 4.2K. Исследовано микроволновое фотосопротивление в решетках с периодами 200 и 500 нм при температуре 1.6K.

Аннотация выпускной квалификационной работы: