Кошкарев Антон Александрович

Дата рождения: 27.11.1990
Вуз (дата окончания): НГУ (2014)
Год поступления в аспирантуру: 2014
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Спиновая динамика электронов в гетероструктурах германий-кремний с квантовыми точками
Научный руководитель: д.ф.-м.н., проф., чл.-корр. РАН Двуреченский Анатолий Васильевич
Лаборатория: Лаб. №24
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
А.В. Ненашев, А.А.Кошкарев, А.В. Двуреченский. Двумерное распределение деформаций в упругоанизотропных гетероструктурах. Автометрия, том 49, № 5, стр.25 (2013).

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
А.А.Кошкарев, А.В.Ненашев, А.Ф.Зиновьева, А.В.Двуреченский, Моделирование спиновой динамики электронов в гетероструктурах германий-кремний с квантовыми точками, «фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», Москва, 1­-5 декабря 2014 г.
A.A.Koshkarev, A.V.Nenashev, A.F.Zinovieva and A.V.Dvurechenskii, Spin relaxation at electron tunneling between quantum dots and phonon interaction in Ge/Si heterostructure, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 27 – July 1, 2016 г.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
А.А.Кошкарев, А.В.Ненашев, А.Ф.Зиновьева, А.В.Двуреченский, Моделирование спиновой динамики электронов в гетероструктурах германий-кремний с квантовыми точками, Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Москва, 1­-5 декабря 2014 г., устный доклад
A.A.Koshkarev, A.V.Nenashev, A.F.Zinovieva and A.V.Dvurechenskii, Spin relaxation at electron tunneling between quantum dots and phonon interaction in Ge/Si heterostructure, 24th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 27 – July 1, 2016, устный доклад

Участие в грантах:

  1. Грант РНФ № 14-12-00931 "Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками", Исполнитель
  2. Грант РФФИ №12-02-31077 "Рост упорядоченных кольцевых структур Ge/Si с квантовыми точками" Исполнитель
  3. Грант РФФИ №13-02-90619 "Электрон-фононное взаимодействие в процессах термоэмиссии и захвата носителей заряда в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками" Исполнитель
  4. Грант РФФИ №13-02-12105 "Наногетероструктуры с квантовыми точками для проведения элементарных квантовых логических операций" Исполнитель
  5. Грант РФФИ №14-02-31585 "Явления переноса в подвешенных гетероструктурах с двумерным электронным газом, модулированном периодическими решётками антиточек" Исполнитель
  6. Грант РФФИ №14-02-90036 "Электронная структура планарных молекул из квантовых точек Ge в Si." Исполнитель
  7. Грант РФФИ №16-32-00352 "Формирование и свойства квантовых точек Ge, выращенных на виртуальных подложках BaF2/CaF2/Si(111)" Исполнитель
  8. Грант РФФИ №16-02-00397 "Магнитные примеси в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками." Исполнитель
  9. Грант РФФИ №16-02-00553 "Нормальный и аномальный эффект Холла в двумерном массиве квантовых точек " Исполнитель

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Параметры деформации определены;
программа, учитывающая симметрию расчетной модели, составлена;
проведен тестовый расчет волновых функций в малом расчетном объеме и в предельных случаях (только германий и только кремний).

2-й семестр:

Проведены ЭПР эксперименты на упорядоченных структурах с квантовыми точками, анализ экспериментальных данных.
Проведен расчет энергетических спектров и волновых функций локализованных элетронов в массивах туннельно-связанных Ge и Si квантовых точек в модели сильной связи с базисом sp3d5s*. Результаты схожи с аналогичным расчетом с базисом sp3s*.

3-й семестр:

Проведен фурье-анализ полученных волновых функций локализованных электронов в Si квантовой точке. Обнаружено междолинное и спиновое расщепление энергетического спектра. Произведена оценка времен спиновой релаксации и показано хорошее согласие с экспериментом.

4-й семестр:

Обнаружено, что делокализованные состояния более энергетически выгодны, чем локализованные состояния.- Требуется проведение дополнительных расчетов позволяющих определить причины данного обстоятельства, поскольку результаты полученные методом ЭПР подтверждают наличие устойчивых локализованных состояний.