Казанцев Дмитрий Михайлович

Дата рождения: 10.04.1991
Вуз (дата окончания): НГУ (2014)
Год поступления в аспирантуру: 2014
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Моделирование процессов выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников
Научный руководитель: д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович
Лаборатория: Лаб. №8
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation, Semiconductors 52, 2018, 618–621. doi:10.21883/FTP.2018.05.45858.47
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Optimization of conditions for thermal smoothing GaAs surfaces, J. Phys. Conf. Ser. 993, 2018, 012010. doi:10.1088/1742-6596/993/1/012010
A.G. Zhuravlev, D.M. Kazantsev, V.S. Khoroshilov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers, J. Phys. Conf. Ser. 993, 2018, 012007. doi:10.1088/1742-6596/993/1/012007
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs, J. Phys. Conf. Ser. 816, 2017, 012008. doi:10.1088/1742-6596/816/1/012008
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing, Appl. Surf. Sci. 406, 2017, p. 307–311. doi:10.1016/j.apsusc.2017.02.062
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Thermal roughening of GaAs surface by dislocation-induced step-flow sublimation, J. Phys. Conf. Ser. 741, 2016, 012042. doi:10.1088/1742-6596/741/1/012042
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation, Scripta Materialia 114, 2016, p. 125–128. doi:10.1016/j.scriptamat.2015.12.017
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci. 359, 2015, p. 372–379. doi:10.1016/j.apsusc.2015.10.074
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions, Appl. Surf. Sci. 333, 2015, p. 141–146. doi:10.1016/j.apsusc.2015.01.226

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Оптимизация условий термического выглаживания поверхности арсенида галлия, Тезисы докладов XIX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2017, с. 17. Устный доклад.
А.Г. Журавлев, Д.М. Казанцев, А.С. Кожухов, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Фотоэмиссионные свойства гладких и шероховатых поверхностей арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода, Тезисы докладов XIX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2017, с. 19. Стендовый доклад.
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Кинетическое огрубление рельефа поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, с. 89. Стендовый доклад.
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Влияние ширины приповерхностной области изгиба зон на вероятность выхода электронов из Cs/GaAs, Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, с. 85. Стендовый доклад.
V.L. Alperovich, D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation, 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2017, p. 256–258.
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Термодинамическое и кинетическое разупорядочение: моделирование Монте-Карло и эксперимент на GaAs, Тезисы докладов XVIII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2016, с. 19. Устный доклад.
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Thermal roughening of GaAs surface by dislocation-induced step-flow sublimation, Book of abstracts of 3rd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2016” on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures, Saint Petersburg, 2016, p. 29-30.
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Материалы XX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, c. 598-599. Стендовый доклад.
А.Г. Журавлев, К.В. Коновалов, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, Материалы XX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, c. 585-586. Стендовый доклад.
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Звенигород, 2015, с. 148. Стендовый доклад.
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Ostwald ripening during GaAs(001) step-terraced surface morphology formation in equilibrium conditions, Abstracts of Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, Sendai, Japan, 2015, p. 57. Устный + стендовый доклад.
В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Ярошевич, Д.М. Казанцев, Н.Л. Шварц, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Вицинальные и дислокационные моноатомные ступени на атомно-гладких поверхностях GaAs(001), Труды XIX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2015, c. 229-230.
Д.М. Казанцев, Моделирование методом Монте-Карло процесса выглаживания поверхности GaAs (001) в равновесных условиях, Материалы 52-й Международной студенческой конференции “МНСК-2014”, Новосибирск, 2014, c. 14. Устный доклад.
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование поверхностей GaAs с атомно-гладкими террасами и моноатомными ступенями: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Труды XVIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2014, c. 390. Стендовый доклад.
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Formation of step-terraced GaAs surfaces in equilibrium conditions: Monte Carlo simulation, Abstracts of the 3rd Russia-Japan workshop “Problems of advanced materials”, Novosibirsk, 2013, p. 41. Устный + стендовый доклад.
В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, Д.М. Казанцев, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Атомно-гладкие поверхности GaAs(001) с прямолинейными моноатомными ступенями, индуцированными дислокациями, Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 2013, с. 60.
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs smoothing in equilibrium conditions, 21th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2013, p. 279–280. Стендовый доклад.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Кинетическое огрубление рельефа поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, стендовый доклад
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Влияние ширины приповерхностной области изгиба зон на вероятность выхода электронов из Cs/GaAs, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, стендовый доклад
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Термодинамическое и кинетическое разупорядочение: моделирование Монте-Карло и эксперимент на GaAs, XVIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2016, устный доклад
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XX Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, стендовый доклад
А.Г. Журавлев, К.В. Коновалов, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, XX Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, стендовый доклад
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XII Российская конференция по физике полупроводников, Звенигород, 2015, стендовый доклад
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Ostwald ripening during GaAs(001) step-terraced surface morphology formation in equilibrium conditions, Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, Sendai, Japan, 2015, устный доклад
Д.М. Казанцев, Моделирование методом Монте-Карло процесса выглаживания поверхности GaAs (001) в равновесных условиях, 52-ая Международная студенческая конференция “МНСК-2014”, Новосибирск, 2014, устный доклад
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование поверхностей GaAs с атомно-гладкими террасами и моноатомными ступенями: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XVIII Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2014, стендовый доклад
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Formation of step-terraced GaAs surfaces in equilibrium conditions: Monte Carlo simulation, The 3rd Russia-Japan workshop “Problems of advanced materials”, Novosibirsk, 2013, устный доклад
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs smoothing in equilibrium conditions, 21th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2013, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Конкурс молодых ученых на стипендии ИФП – 2016, Моделирование разупорядочения поверхности полупроводников, получена стипендия в 2016 г. Страница конкурса на сайте ИФП.
  2. Конкурс молодых ученых на стипендии ИФП – 2014, Моделирование процессов выглаживания поверхности полупроводников, получена стипендия в 2014 г., продлена в 2015 г. Страница конкурса на сайте ИФП.
  3. Д.М. Казанцев, Моделирование методом Монте-Карло процесса выглаживания поверхности GaAs (001) в равновесных условиях, 52-ая Международная студенческая конференция “МНСК-2014”, Новосибирск, 2014. Диплом первой степени.

Участие в грантах:

  1. Грант РФФИ №16-32-00220, Изучение механизмов и оптимизация условий термического выглаживания поверхности GaAs, 2016 – 2017 г., исполнитель.
  2. Грант РФФИ №16-32-00208, Фотоэмиссия из GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, 2016 – 2017 г., исполнитель.
  3. Грант РФФИ №14-02-00352, Атомное выглаживание и разупорядочение поверхностей полупроводников A3B5, 2014 – 2016 г., исполнитель.

Дополнительная информация по научной деятельности:

1. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, Н.С. Рудая, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях, Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 2014, с. 221-240.
2. V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Formation of GaAs step-terraced surfaces by annealing in equilibrium conditions, in: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, Elsevier, 2016, p. 255–277.

Аннотация выпускной квалификационной работы: