Кривякин Григорий Константинович

Дата рождения: 16.07.1992
Вуз (дата окончания): НГТУ (2015)
Год поступления в аспирантуру: 2015
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Фото- и электролюминесценция нанокристаллов кремния и германия в аморфной матрице
Научный руководитель: д.ф.-м.н. Володин Владимир Алексеевич
Лаборатория: Лаб. №24
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin. Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes. // Journal of Physics: Conference Series 541 (2014) 012050
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Г.Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Оптические свойства p-i-n структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов. Физика и Техника Полупроводников, 2016, том 50, в. 7, с. 952-957.
V.A. Volodin, G.K. Krivyakin, A. A. Shklyaev, S.A. Kochubei, G.N. Kamaev, A.V. Dvurechendkii, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Hydrogenated amorphous silicon based p-i-n structures with Si and Ge nanocrystals in i-layers. Proc. SPIE, - 2016, - vol. 10224, P.102240D1-102240D.
А. В. Двуреченский, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, А. А. Шкляев, С. А. Кочубей, И. Г. Неизвестный, J. Stuchlik. Исследование фазового и элементного составов наносистем GeSi методом комбинационного рассеяния света при фемтосекундном имульсном отжиге. Автометрия, 2016, том 52, номер 5, с. 97-102.
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, А.А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Формирование и исследование p-i-n-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в i-области. Физика и Техника полупроводников, 2017, том 51, в. 10, с. 1420-1425.
Володин В.А., Rui Zhang, Кривякин Г.К., Антоненко А.Х., Stoffel M. Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO2. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 9, с. 1056-1065.
Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Кривякин Г.К., Родякина Е.Е., Кучинская П.А., Фомин Б.И., Яблонский А.Н., Степихова М.В., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001). Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 9, с. 1028-1033.
Тысченко И.Е., Кривякин Г.К., Володин В.А. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 2, с. 280-284
G. K. Krivyakin, G. N. Kamaev, G. D. Ivlev, S. L. Prakopyeu, and V. A. Volodin. Crystallization of submicron amorphous hydrogenated silicon films with different hydrogen concentration by nanosecond ruby laser irradiation. J. Laser Appl. 31, 012006 (2019)

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin. Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes. 1st International Conference and School "Saint-Petersburg OPEN 2014", Saint–Petersburg, 24 march, p. 198. Стендовый доклад.
В.А. Володин, М.П. Гамбарян, Г.К. Кривякин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.Г. Черков, В.И. Вдовин, M.Vergnat, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский. Светоизлучающие нанокристаллы Si, Ge и GeSi в различных матрицах: формирование, структурные и оптические свойства. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Фотоника-2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015г., с. 36. Приглашённый доклад.
V.A. Volodin, G.N. Kamaev, S.A. Kochubei, G.K. Krivyakin, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Electroluminescence stimulated by silicon nanoparticles which are created by laser recrystallization of a-Si:H. 5-ая Всероссийская конференция «Фундаментальные основы МЭМС- и нанотехнологий», том 1, с. 107-111, Новосибирск, 15 – 18 июня 2015 г. Устный доклад.
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Шкляев, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский. Нанокристаллы кремния и германия в плёнках аморфного гидрогенизированного кремния: формирование и оптические свойства. Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., с. 156. Стендовый доклад.
И.Е. Тысченко, К.К. Павлова, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Оптические свойства пленок SiOxNy на кремнии, имплантированных ионами Ge+ и отожженных при высоком давлении. Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., с. 155. Стендовый доклад.
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н.Камаев, Г.Д. Ивлев. Влияние водорона на порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 91. Стендовый доклад.
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Володин, Г.К. Кривяин, Г.Д. Ивлев. Структура и оптические свойства наночастиц Ge, полученных на поверхности оксидных подложек импульсным лазерным взаимодействием. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 148. Стендовый доклад.
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.А. Кучинская, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, В.А. Армбристер, Г.К. Кривякин, А.В. Двуреченский. Методы формирования ансамбля квантовых точек Ge/Si на структурированных подложках для перспективной элементной базы кремниевой фотоники. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 31. Устный доклад.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin, Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes, 1st International Conference and School "Saint-Petersburg OPEN 2014", Saint–Petersburg, 24 march, стендовый доклад
Г.К.Кривякин, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Шкляев, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский, Нанокристаллы кремния и германия в плёнках аморфного гидрогенизированного кремния: формирование и оптические свойства, Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., стендовый доклад
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н.Камаев, Г.Д. Ивлев. , Влияние водорона на порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния., Фотоника 2017, Новосибирск, 11-15 сентября 2017 г., стендовый доклад

Участие в грантах:

  1. РФФИ 14-07-00809 А Теоретическое и экспериментальное моделирование спутниковой квантово-криптографической системы связи.
  2. РФФИ 15-07-02298 А Светоизлучающие нанокристаллы GeSi в германосиликатном стекле для оптоэлектронных устройств совместимых с планарной кремниевой технологией.

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Изготовлен макет p-i-n-светодиода из a-Si:H с нанокристаллическими включениями, исследованы его основные электрооптические характеристики. Также изготовлены и исследованы нанокристаллы в гетеропереходах a-Si:H/a-Ge, сформированные как при росте, так и методом импульсно лазерного отжига. По данной тематике опубликовано 2 статьи и 4 трудов конференций.

Аннотация выпускной квалификационной работы: