2014

M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski
Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France.
Charles University, Faculty of Mathematics and PhysicsPrague 2, Czech Republic.
Université Grenoble 1/CNRS, France.
Laboratoire Charles Coulomb, Université Montpellier II, France.
Institute for Physics of Microstructures, RAS, Nizhny Novgorod, Russia.
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
Institut für Physikalische Chemie, Universität Stuttgart, Stuttgart, Germany.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5.
С.В. Постолова, А.Ю. Миронов, Т.И. Батурина
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
А.В. Чаплик
Лаборатория теоретической физики.
Л.И. Магарилл, М.В. Энтин
Лаборатория теоретической физики.
А.А. Быков
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.А. Блошкин, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Т.С. Шамирзаев, А.И. Торопов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5.
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, Е.Р. Закиров, А.П. Ковчавцев, З.В. Панова, М.В. Якушев
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Д.В. Горшков, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, М.С. Аксенов, Т.А. Левцова, А.К. Гутаковский, В.А. Голяшов, С.Е. Хандархаева, А.П. Ковчавцев
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев, А.В. Царенко, З.В. Панова, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6.
Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
P. Sessi, F. Reis, T. Bathon, K.A. Kokh, О.Е. Терещенко, M. Bode
Physikalisches Institut, Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Germany.
Институт геологии и минералогии им. В.С.Соболева СО РАН.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 ИФП СО РАН.
Wilhelm Conrad Röntgen-Center for Complex Material Systems, Universität Würzburg, Germany.
Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.В. Васильев
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
С.А. Тийс, К.Н. Романюк
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Ю.Б. Болховитянов, А.И. Дерябин, А.К. Гутаковский, Л.В. Соколов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Е.М. Труханов, А.В. Колесников, И.Д. Лошкарев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, М.О., Путято М.А. Петрушков, Б.Р. Семягин, В.А. Селезнев, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, И.Б. Чистохин, А.К. Гутаковский, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
В.П. Попов, А.К. Гутаковский, Л.Н. Сафронов, В.А. Антонов, С.Н. Подлесный, И.Н. Куприянов, Ю.Н. Пальянов, С. Рубанов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Институт геологии и минералогии им.Соболева СО РАН.
Университет Мельбурна, Австралия.
В.И. Вдовин, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, Н.А. Соболев, Deren Yang
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Н.П. Степина, В.В. Вальковский, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
П.Л. Новиков, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
A.A. Шкляев, O.A. Шегай, Y. Nakamura and M. Ichikawa
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Ж.В. Смагина, В.А. Армбристер, П.А. Кучинская, В.А. Селезнев, Н.П. Степина, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, А.Г. Черков, В.П. Попов
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
О.И. Семенова
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
В.Ш. Алиев, С.Г. Бортников, И.А. Бадмаева
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Лаборатория физики и технологии гетероструктур.
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Н.Ф. Маляренко, Ю.В. Кайгородов, Е.В. Дмитриенко, Д.В. Пышный
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН.
И.В. Антонова, Н.А. Небогатикова, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
С.В. Голод, Д.Б. Султанов, А.Ф. Булдыгин, Е.В. Наумова, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
А.В. Царев, А.А. Шкляев
Лаборатория оптических материалов и структур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Л.С. Голобокова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, А.Б. Талочкин, А.С. Кожухов, Н.В. Крыжановская
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН.
Е.Е. Родякина, А.Г. Милехин, Н.А. Ерюков, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Е.Е. Родякина, А.Г. Милехин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, И.И. Бетеров, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
В.Л. Курочкин, Ю.В. Курочкин, И.И. Рябцев, И.Г. Неизвестный
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
П.А. Бохан, П.П. Гугин, Д.Э. Закревский, М.А. Лаврухин
Лаборатория мощных газовых лазеров.
Е.Б. Хворостов, В.Г. Гольдорт, В.Н. Ищенко, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, В.А. Решетов
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий.
Ф.Н. Дульцев, Е.А. Колосовский
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория оптических материалов и структур.
Н.С. Филиппов, Н.В. Вандышева, М.А. Паращенко, С.И. Романов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.В. Царев, Л. Фаолин
Лаборатория оптических материалов и структур.
Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов НГУ.
Университет Ст.Эндрюс, Великобритания (Scottish Universities Physics Alliance (SUPA), School of Physics and Astronomy, North Haugh, St Andrews, UK).
К.В. Павский
Лаборатория вычислительных систем.