2012

Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, И.О. Парм, А.В. Германенко, Г.М. Миньков, O.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, G.M. Gusev, A.D. Levin, O.E. Raichev, J.C. Portal
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Институт физики и прикладной математики Уральского государственного университета, Екатеринбург.
Институт физики полупроводников, Украина.
Instituto de Físicada Universidade de São Paulo, Brazil.
LNCMI-CNRS, Grenoble, France.
INSA Toulouse, France.
Institut Universitaire de France, Paris, France.
Т.И. Батурина, Н.М. Щелкачёв, А.А. Голубов, В.М. Винокур
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
Московский Физико-Технический Институт, кафедра теоретической физики.
Faculty of Science and Technology and MESA+Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands
Argonne National Laboratory, USA.
О.Е. Терещенко, K.A. Кох, В.А. Голяшов, С.В. Макаренко, K.Н. Романюк, И.П. Просвирин, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, С.В. Еремеев, Е.В. Чулок, K. Miyamoto, А. Kimura, T. Okuda
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Новосибирский государственный университет.
Институт геологии и минералогии имени В.С. Соболева СО РАН.
Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск.
Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan.
А.А. Быков, Д.В. Дмитриев, И.В. Марчишин, S. Byrnes, S.A.Vitkalov
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
City College of the City University of New York, Physics Department.
З.Д. Квон, Д.А. Козлов, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
А.И. Якимов, В.А. Тимофеев, А.А. Блошкин, А.И. Никифоров, В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
Р.З. Витлина, Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик
Лаборатория теоретической физики
М.М. Махмудиан, М.В. Энтин
Лаборатория теоретической физики
В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
В.А. Гайслер, А.И. Торопов, А.К. Бакаров, А.К. Калагин, И.А. Деребезов, А.С. Ярошевич, Д.В. Щеглов, А.В. Гайслер, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
И. Е. Тысченко, В.А. Володин, В. П. Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, Е.Р. Закиров, З.В. Панова, А.В. Царенко, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
С.Г. Черкова, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, А.Х. Антоненко, Д.В. Марин, Г.А. Качурин, А.Г. Черков, В.А. Скуратов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна.
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Д.А. Насимов, Н.Ф. Маляренко, В.П. Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
В.Ш. Алиев, С.Г. Бортников, М.А. Демьяненко
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Т.В. Малин, А.М. Гилинский ,В.Г. Мансуров, Д Ю. Протасов, А.К. Шестаков, К.С. Журавлев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
В.В. Атучин, С.В. Адищев, Б.Г. Базаров, Ж.Г. Базарова, Т.А. Гаврилова, В.Г. Гроссман, В.Г. Кеслер, Z.S. Lin, М.В. Молокеев, Н.В. Суровцев
Лаборатория оптических материалов и структур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Байкальский институт природопользования СО РАН.
Институт физики СО РАН.
Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Б.Р. Семягин, М.А. Путято, Д.Ф. Феклин, Е.М. Емельянов, А.В. Васев, А.П. Василенко, В.В. Преображенский
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.К. Гутаковский, В.В. Селезнёв, Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков, А.П. Василенко, В.В. Преображенский
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
М.В. Якушев, И.В. Сабинина, А.В. Предеин, В.В. Васильев, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, С.А. Дворецкий, А.Л. Асеев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6.
В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, С.А. Тийс
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, Н.П. Стёпина, В.А. Армбристер, П.А. Кучинская, В.А. Селезнев, Е.Е. Родякина
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория физики технологии трехмерных наноструктур.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, А.С. Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
А.Г. Милёхин, Н.А. Ерюков, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, А.К. Шестаков, А.И. Торопов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский
Лаборатория физики и технологии гетероструктур.
А.Б. Воробьёв, А.В. Чесницкий, А.И. Торопов, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
И.В. Антонова, И.А. Котин, А. Комонов, Р.А. Соотс, В.А. Селезнев, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
А.В. Царев
Лаборатория оптических материалов и структур.
Работа выполнена в кооперации с Политехническим университетом Барии, Италия.
В.М. Энтин, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
Е.Б. Хворостов, В.Г. Гольдорт, В.Н. Ищенко, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, В.А. Решетов
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий.
П.А.Бохан, Дм.Э. Закревский
Лаборатория мощных газовых лазеров.
В.Г. Хорошевский , К.В. Павский, М.Г. Курносов, С.Н. Мамойленко, А.Ю. Поляков, А.В. Ефимов, А.А. Пазников
Лаборатория вычислительных систем.