МАССК-ИФП

НА ГЛАВНУЮ


Исследования, выполненные на базе многофункционального аналитического субангстремного сверхвысоковакуумного комплекса "МАССК-ИФП"

Примеры видеозаписей полученных при высоких температурах образцов можно посмотреть по ссылкам:

Двумерно-островковый рост на широких террасах

Пирамидальный рост (анимация)

Пирамидальный рост (видео)

Список публикаций

2018

  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, and A. V. Latyshev, “On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si(111)-(7 × 7) surface,” Surf. Sci., vol. 667, pp. 1–7, Jan. 2018.

2017

  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, B. S. Ranguelov, and A. V. Latyshev, “2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth,” J. Cryst. Growth, vol. 457, pp. 188–195, Jan. 2017.
  • Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте. Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 2, С. 212-215.
  • S.V. Sitnikov, A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface, Journal of Crystal Growth, V. 457 (2017) Pp.196–201.
  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, and A. V. Latyshev, “2D nucleation and transition to multilayer growth during Si/Si(111) epitaxy,” in 2017 EMN/CC Barcelona Meeting, Energy Materials Nanotechnology, 2017, pp. 81–82.
  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, and A. V. Latyshev, “2D nucleation and transition to multilayer growth during prolonged Si/Si(111)-(7×7) growth,” in 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, 2017, p. 52.
  • S.V. Sitnikov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, 2D-island nucleation on Si(111) surface at high temperature Si deposition, thesis 19th European workshop on molecular beam epitaxy, march 19-22, 2017.
  • A. V. Latyshev, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, S. V. Sitnikov, D. I. Rogilo, E. E. Rodyakina, D. A. Nasimov, D. V. Sheglov, and A. L. Aseev, “Atomic Processes on the Silicon Surface,” in Advances in Semiconductor Nanostructures, Elsevier, 2017, pp. 189–221.
  • Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного эталона и ступенчатый высотный калибровочный эталон // Заявка на патент РФ № 2017104978 (15.02.2017)

2016

  • A. V. Latyshev, L. I. Fedina, D. I. Rogilo, S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, Atomically Controlled Silicon Surface, 978-5-98901-188-9, Parallel, 2016 (монография)
  • D. I. Rogilo, N. E. Rybin, L. I. Fedina, and A. V. Latyshev, “Adatom concentration distribution on an extrawide Si(111) terrace during sublimation,” Optoelectron. Instrum. Data Process., vol. 52, no. 5, pp. 501–507, Sep. 2016.
  • D. I. Rogilo, N. E. Rybin, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina, and A. V. Latyshev, “Nucleation of two-dimensional Si islands near a monatomic step on an atomically clean Si(111)-(7×7) surface,” Optoelectron. Instrum. Data Process., vol. 52, no. 3, pp. 286–291, May 2016.
  • Ситников С. В., Косолобов С. С., Латышев А. В. Формирование двумерных отрицательных островков при быстром охлаждении ультраплоской поверхности Si(111) // Вестн. Новосиб. гос. ун-та. Серия: Физика. 2016. Т. 11, № 1. С. 94–99.
  • С.В. Ситников, А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 5 стр. 607-611.

2015

  • S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev. Attachment–detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures. Surface Science 633 (2015) L1-L5, http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2014.12.004.
  • Родякина Е.Е., Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. //Патент РФ № RU 2540000 (опубликован 27.01.2015) Бюл. №3, 36 стр.
  • S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev, 2D-islands Nucleation on Si(111) at High Temperature During Sublimation and Thermal Etching. Fifth Europe Conference Crystal Growth, Italy, s. Bologna 9-11 September 2015
  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, B. S. Ranguelov, and A. V. Latyshev, “Two-dimensional Si/Si(111)-(7×7) nucleation affected by step permeability and sink to atomic steps,” in 5th European Conference on Crystal Growth, Italy, s. Bologna 9-11 September 2015,.

2014

  • А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН в XXI веке: достижения и перспективы. // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) – Новосибирск: Параллель. – 2014.– С. 5–38. – ISBN978-5-98901-144-5.
  • А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Д.А.Насимов, С.В.Ситников, Д.И. Рогило, Е.Е. Родякина, Л.И. Федина, А.Б. Красильников, А.Л. Асеев. Атомные процессы на поверхности кремния. // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) – Новосибирск: Параллель. – 2014.– С. 176–197. – ISBN978-5-98901-144-5.
  • Д. И. Рогило, Л. И. Федина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, Формирование двумерных островков на поверхности Si(111) при гомоэпитаксиальном росте // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика, т. 9, стр. 156-166 (2014)
  • А.В. Латышев, Атомные процессы и технологии изготовления кремниевых наноструктур, X конференция «Кремний-2014», г. Иркутск, 7-12 июля 2014, с. 12.
  • А.В .Латышев, «Прецизионные измерения в нанометровом диапазоне, семинар по измерительным технологиям», ВНИОФИ и ВНИИМС, Москва, 5 февраля 2014. Российская конференция «Современные методы электронной и микроскопии в исследованиях наноструктур и наноматериалов», ИФТТ РАН, г.Черноголовка, 2 июня 2014 г.
  • Латышев А.В. «Атомные процессы и технологии создания полупроводниковых наноструктур», «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» II Всероссийская научная молодежная конференция 2-5 декабря 2014 г, Башкирский государственный университет, г. Уфа.
  • С. С. Косолобов, С. В. Ситников, А. В. Латышев. Формирование больших атомно-гладких участков кремния (111) для применений в сканирующей зондовой и интерференционной микроскопии. Материалы 6-го Российского семинара по волоконным лазерам. Новосибирск, 14-18 апреля 2014 г. с. 25 (пригл.)
  • S.S. Kosolobov, S.V. Sitnikov, A.V. Latyshev, E.V. Sysoev, Yu.V. Chugui, «Atomic scale silicon surface processing for nanostructuring and precise surface measurements», Materials of 16-th International Conference «Laser Optics 2014» seminar on “Optoelectronic Information Systems and Laser Technologies”, 30 June – 4 July 2014, St.Petersburg, Russia, p.

2013

  • Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Гутаковский А.К., Ситников С.В., Кожухов А.С., Загарских С.А., Копытов В.В., Евграфов В.И., Шувалов Г.В., Матвейчук В.Ф., Латышев А.В. Высокоточные меры линейных размеров в нанодиапазоне. Российские нанотехнологии Т.8 № 7-8 (2013) 84-94.
  • D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, B. S. Ranguelov, and A.V. Latyshev, Critical Terrace Width for Two-Dimensional Nucleation during Si Growth on Si(111)-(7х7) Surface PRL 111, 036105 (2013). WOS
  • D. V. Sheglov, S. S. Kosolobov, L. I. Fedina, E. E. Rodyakina, A. K. Gutakovskii, S. V. Sitnikov, A. S. Kozhukhov, S. A. Zagarskikh, V. V. Kopytov, V. I. Evgrafov, G. V. Shuvalov, V. F. Matveichuk, A. V. Latyshev. High-precision nanoscale length measurement. Nanotechnologies in Russia. July 2013, Volume 8, Issue 7-8, pp 518-531.
  • Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ формирования плоских гладких поверхностей твердотельных материалов. // Патент РФ № RU 2453874 (опубликован 20.06.2012) Бюл. №17, 33 стр.

2012

  • Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, С.А. Загарских, В.В. Копытов, В.И. Евграфов, Г.В. Шувалов, В.Ф. Матвейчук, К.В. Тукмачев, Разработка и аттестация комплекта мер СТЕПП-ИФП-1 для обеспечения единства измерений в нанометровом диапазоне, Датчики и системы, 6 (2012), 21-23.
  • A.V. Latyshev. Formation of Surface Patterns Observed with Reflection Electron Microscopy // In-situ Electron Microscopy: Applications in Physics, Chemistry and Materials Science / Eds.: G. Dehm, J.M. Howe, J. Zweck. Wiley, (2012) 99-122.

2011

  • Rogilo D. I., Fedina L. I., et al Pyramid-Like Si Structures Grown on the Step Bunched Si(111)-(77) Surface. Materials of IEEE Xplore. XII International Conference EDM’2011, Erlagol, p.91.
  • S. Kosolobov and A.V. Latyshev, Step bunching on silicon surface under electromigration. In Nanophenomena at Surfaces. Springer Series in Surface Sciences, 2011, Volume 47, 239-258, DOI: 10.1007/978-3-642-16510-8_11.
  • A. Shklyaev, F.N. Dultsev, K.P. Mogilnikov, A.V. Latyshev and M. Ichikawa. Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using oxidized Si surfaces. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011, V.44, P.025402. WOS
  • Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции. Письма в ЖЭТФ 94/2, 2011, с.151-156 ( Letters, 2011, Vol. 94, No. 2, pp. 147–151). WOS
  • Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111). Вестник НГУ: Серия Физика", т.6, вып.2, 2011, с. 65-76.

2010

  • I. Fedina, D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, A.K. Gutakovskii and A.V.Latyshev. «Precise surface measurements at the nanoscale.» Meas. Sci. Technol. (2010), 21, 054004, pp.1-6. WOS
  • I. Fedina, D.V. Sheglov, A.K. Gutakovskii, S.S. Kosolobov, and A.V. Latyshev. «Precise Measurements of Nanostructure Parameters», Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2010, Vol. 46, No. 4, pp.301-311. Федина Л. И., Щеглов Д. В., Гутаковский А. К., Косолобов С.С, Латышев А.В. Прецизионные измерения параметров наноструктур. Автометрия ,2010, 46,  4, стр. 5–18.

2009

  • Д.А. Насимов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния как тест-обьект высоты в атомно-силовой микроскопии. // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия физическая, 2009, т. 4, №1, стр. 100.
  • Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, Л.И. Федина, А.В. Латышев. Структура и морфология поверхности Si(111) на начальных стадиях высокотемпературного осаждения меди. Материалы Х международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам. EDM 2009, Эрлагол, Алтай, 1-6 июля, 2009.-С.58-60.
  • С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Кинетика двумерных отрицательных островков на поверхности кремния (111) при сублимации. Материалы Х международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам. EDM 2009, Эрлагол, Алтай, 1-6 июля, 2009.-С.69-72.

2008

  • С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота. Известия РАН, (2008) т.72, 2 193-197.
  • С.С. Косолобов, А.В. Латышев. In situ исследование атомных процессов при формировании наноструктур на поверхности кремния. Электроника Сибири. (2008) Вып. 3 с.29-35.

2007

  • S.S. Kosolobov, Se Ahn Song, E.E. Rodyakina, A.V. Lаtyshev. Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures. ФТП 41 4, (2007), 462-466.
  • Косолобов С.С., Латышев А.В. Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111). Вестник НГУ Серия Физика, (2007) т.2 вып. 2, с. 40.

2005

  • D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, E.E. Rodyakina and A.V. Latyshev, “Applications of atomic force microscopy in epitaxial nanotechnology”, Microscopy and analysis 19 (5), 2005, 9.
  • C.C. Косолобов, А.В. Латышев, Се Ан Цонг, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах. // Письма в ЖЭТФ.- (2005).- Т. 81.- С. 149.
  • A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Se Ahn Song, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Lifshits. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface. // Phys. Stat. Sol. (a).- (2005).- V. 202.- P. 2344.

2004

  • E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov and A.V. Latyshev, ”Atomic step dynamics on sublimating Si(001) surface observed by AFM”, Phys. Low-Dim. Struct. 1-2, 2004, 9.

2003

  • D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, L.I. Fedina, S.A. Teys and A.V. Latyshev. AFM and STM studies of quenched Si(111) surface. // Phys. Low-Dim. Struct.- (2003).- V. 3/4.- P. 146.

2002

  • S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev. Atomic force microscopy of silicon stepped surface. // Phys. Low-Dim. Struct.- (2002).- V. 5/6.- pp.231-237.
  • A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.L. Aseev. Atomic steps on a single crystal surface studied with in situ UHV Reflection-Electron Microscopy. // in M.Kotrla et al (eds), Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Kluwer Academic Publishers.- (2002).- pp.281-299.
  • A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, V.N. Savenko and A.L. Aseev. Atomic steps on the single crystal surface during epitaxy, sublimation and gas reaction. // Journal of Japanese Association of Crystal Growth.- (2002).- V. 29.- P. 39.
  • A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, and A.L. Aseev. Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy. // Journal of Electron Microscopy.- (2002).- V.15.- P. 561.
  • A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, V.N. Savenko, S.S. Kosolobov and A.L. Aseev. In situ REM studies of a Si(111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments. // Inst. Phys. Conf. Ser.- (2002).- V. 169.- pp. 153-162.

2001

  • С.С. Косолобов, А.Л. Асеев, А.В. Латышев. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии. // ФТП.- (2001).- Т. 35.- С. 1084. Перевод: Semiconductors (2001) 35 1038–1044 S. S. Kosolobov, A. L. Aseev, and A. V. Latyshev. In Situ Study of Interaction of Oxygen with the Si(111) Surface by Ultrahigh-Vacuum Reflection Electron Microscopy

2000

  • С.С. Косолобов, А.В. Прозоров, С.В. Белкин, А.В. Латышев. Эволюция морфологии поверхности кремния при термическом травлении кислородом. // Известия Высших Учебных Заведений, Физика.- (2000).- №11.- с. 110.

НА ГЛАВНУЮ