Антонова Ирина Вениаминовна

СОТРУДНИКИ

Антонова Ирина Вениаминовна

ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н.

тел. 333-06-99

515 ЛТК

e-mail:

Образование:
1979 - Новосибирский электротехнический институт, физико-технический факультет
1990 - кандидатская диссертация «Исследование неоднородностей в распределении дефектов и примесей в кремнии»
2009 - докторская диссертация «Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях»

Опыт работы:
1979-1981 – стажировка в Институте физико-химических основ переработки минерального сырья СО РАН;
1981-1985 – аспирантура Института физики полупроводников СО РАН (ИФП СО РАН);
1985-2003 – инженер, младший научный сотрудник, научный сотрудник, старший научный сотрудник ИФП СО РАН;
2003 - по настоящее время — ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН.

Трудовая деятельность: работает в ИФП СО РАН с 1977 года.
В настоящее время Антонова И.В. работает в должности ведущего научного сотрудника лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур (№ 7), где руководит группой, занимающейся физикой и технологией графена и гетероструктур на его основе.

Научная деятельность:
Вопросы материаловедения и электрических свойств кремния, многослойных гетероструктур на его основе, включая структуры кремний-на-изоляторе, массивов нанокристаллов кремния и германия, встроенных в диэлектрической матрице, структур с SiGe квантовыми ямами, электрофизические свойства материалов и гетероструктур: электрически активные центра, уровни размерного квантования, процессы захвата и выброса носителей с локализованных состояний, электрическая пассивация поверхности полупроводников и наноструктур, исследование транспортных характеристик и механизмов протекания тока, влияние высокого гидростатического давления на процессы в полупроводниковых материалах, радиационные эффекты в материалах, эффекты, связанные с облучением ионами высоких энергий.

В последние годы под руководством Антоновой И.В. активно ведутся работы по созданию и исследованию графена и мультиграфена, химической функционализации графена для получения новых материалов с широким спектром электронных свойств, создаются и исследуются гетероструктуры на основе графена. Показана возможность создавать на основе функционализированного графена и мультиграфена новых материалов перспективных для электронных приложений благодаря сочетанию в них высокой проводимости, подвижности носителей и возможности модулировать проводимость на 3-4 порядка напряжением на затворе в транзисторных структурах. Накоплен богатый опыт по исследованию свойств и структуры наноматериалов (в том числе материалов на основе графена) методами атомно-силовой микроскопии, электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света, исследованию электрических характеристик монослойных материалов. Кроме того, нужно отметить опыт работ с гибридными структурами, органическими монослойными покрытиями и т.д.

Найден оригинальный, простой и технологичный способ фторирования графена и формирования квантовых точек графена в изолирующей матрице фторографена. Исследована электронная структура самоформирующихся массивов квантовых точек и зависимости этих параметров от условий их формирования. Проведены первые измерения методом зарядовой спектроскопии (Q-DLTS) на слоях с квантовыми точками графена и определена система уровней для квантовых точек разной толщины от монослоя до 3 нм. Обнаружено, что меняя толщину квантовых точек можно на несколько порядков (до 4 порядков) менять время релаксации неравновесного заряда с квантовых точек. Такое уникальное свойство полученных точек (представляющее интерес для элементов энергонезависимой памяти) предположительно связано с формой барьеров фторированной части пленки. Исследования спектров фотолюминесценции для суспензии или пленок с квантовыми точками показали, что данные Q-DLTS прекрасно коррелируют с оптическими измерениями.

В последнее время ведутся работы по использованию 2D печати на гибких и твердых подложках для создания приборных структур на струйном принтере Dimatix FUJIFILM DMP-2831. В частности напечатаны и исследованы тестовые элементы резистивной памяти с металлическими контактами и функциональным слоем между ними (структуры типа кроссбары), которые продемонстрировали стабильные переключения сопротивления. Кроме того под руководством Антоновой И.В. ведутся работы в области создания и исследования графеновых чернил с широким диапазоном электрических свойств – от проводящих от диэлектрических. Подобные чернила особенно востребованы в областях гибкой и печатной электроники.

Педагогическая деятельность:
С 2012 г. Антонова И.В. читает курс лекций для студентов 5 курса НГТУ «Микро- и наносистемы в технике и технологии» и отдельные лекции по графену и его применению для студентов и сотрудников лаборатории «Графеновая электроника» СВФУ (Якутск).

Избранные публикации:
На конец 2021 ею опубликовано 242 статьи. Суммарное цитирование работ И.В. Антоновой составляет более 1578 по данным сайта WEB of Knowledge (индекс Хирши составляет 19) и около 2094 по данным сайта научной электронной библиотеки (индекс Хирша составляет 22).

Монографии, главы монографий, обзоры:

  1. I.V.Antonova, N.A.Nebogatikova, chapter 11 Fluorinated graphene dielectric and functional layers for electronic applications, in «Graphene Materials - Advanced Applications», book edited by G. Z. Kyzas and A.Ch. Mitropoulos, ISBN 978-953-51-3142-7, Print ISBN 978-953-51-3141-0, Published: May 17, 2017, INTECH. pp. 211-230
  2. И.В.Антонова, 2D печатные технологии материалами на основе графена Успехи физ наук 187 (2) 220-234, 2017. DOI: 10.3367/UFNr.2016.03.037783.
  3. I.V.Antonova, V.Ya.Prinz, Benefits of few-layer graphene for applications Chapter 30 in Handbook of Graphene Science: Vol. 2, Nanostructure and Atomic Arrangement, Taylor and Francis Books - CRC press, 6 томов – 2768 стр, ISBN-13: 978-1466591189, pp 475 - 492, 2016.
  4. И.В.Антонова Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов, ФТП, 30(1), 67-82, 2016.
  5. I.V. Antonova, Non-Organic Dielectric Layers for Graphene and Flexible Electronics, International Journal of Nanomaterials, Nanotechnology and Nanomedicine, 2(1) 0.18-0.24, 2016
  6. И.В.Антонова, Современные тенденции развития технологий роста графена методом CVD на медных подложках, Успехи физических наук, 183 1115–1122 (2013) скачать
  7. I.V. Antonova, Electrical Properties of Semi-Conductor Nanocrystals and Quantum Dots in Dielectric Matrix, in “Nanocrystals and Quantum Dots of Group IV Semiconductors”, ed. T.V.Torchynska and Yu.V.Vorobiev, American Scientific Publisher, Chapter 4, 151 -189, 2010
  8. I.V. Antonova, Si nanocrystal arrays created in SiO2 matrix by high-energy ion bombardment, chapter 8 in book Ion Implantation, ISBN 978-953-308-3-1, pp. 153-182, 2012.

Статьи:

2022

  1. N.P.Stepinaa, V.A.Golyashova, A.V.Nenasheva, O.E.Tereshchenkoa, K.A.Kokhc, V.V.Kirienkoa, E.S.Kopteva,b, M.G.Rybind, E.D.Obraztsovad and I.V.Antonovaa, Weak antilocalization to weak localization transitionin Bi2Se3 films on graphene, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructure, 135, 114969, 2022

2021

  1. A.I. Ivanov, V.Ya. Prinz, I.V. Antonova, A.K. Gutakovskii Resistive switchings on individual V2O5 nanoparticles encapsulated in fluorinated graphene films. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021, 23, 20434.
  2. Shojaei, S., Antonova, I.V., Yakimchuk, E, Esfahlan, S. M. S. Robust electrical current modulation in functionalized graphene channels, J. Mater. Sci. Mater. in Electron. 32(2) 2021, 1641-1649
  3. I.V. Antonova, M. B. Shavelkina, D.A. Poteryaev, N.A. Nebogatikova, A.I. Ivanov, R.A. Soots, A.K. Gutakovskii, I.I. Kurkina, V.A. Volodin, V.A. Katarzhis, P.P. Ivanov, A.N. Bocharov, Graphene / hexagonal boron nitride composite nanoparticles for 2D printing technologies, Advanced Engineering Materials, doi.org/10.1002/adem.202100917
  4. Nikolaev, D.V.; Evseev, Z.I.; Smagulova, S.A.; Antonova, I.V. Electrical Properties of Textiles Treated with Graphene Oxide Suspension. Materials 2021, 14, 1999
  5. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, N.P.Stepina, V.A.Volodin, V.V. Kirienko, M.G.Rybin, E.D.Obrazstova, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility J Mater Sci (2021) 56: 9330–9343
2020
  1. I.V Antonova, N A Nebogatikova, K A Kokh, D A Kustov, R A Soots, V A Golyashov, O E Tereshchenko, Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene, Nanotechnology, 31, 125602(7), 2020
  2. A.Paddubskaya, D.Rutkauskas, R.Karpicz, G.Dovbeshko, N. Nebogatikova, I. Antonova, A. Dementjev, Recognition of Spatial Distribution of CNT and Graphene in Hybrid Structure by Mapping with Coherent Anti-Stokes Raman Microscopy, Nanoscale Research Letters (2020), 15, 37(7).
  3. I. Antonova, N. Nebogatikova, N. Zerrouki, I. Kurkina, A. Ivanov, Flexibility of Fluorinated Graphene‐Based Materials, Materials 2020, 13, 1032
  4. Irina V. Antonova, Marina B. Shavelkina , Artem I. Ivanov, Regina A. Soots, Peter P. Ivanov and Alexey N. Bocharov, Graphene Flakes for Electronic Applications: DC Plasma Jet-Assisted Synthesis, Nanomaterials 2020, 10, 2050
  5. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Demin, D.G. Kvashnin, A. Olejniczak, E.A. Korneeva, P.L.J. Renault, A.V. Skuratov, L.A.Chernozatonskii, Strong structural and electric changes in fluorinated graphene films under high-energy ions irradiation, Nanotechnology, 319(29), 295602, 2020
  6. S.A. Smagulova, P.V. Vinokurov, A.A. Semenova, E.I. Zakharkina, F.D. Vasilieva, E. D. Obraztsova, P.V. Fedotov, I.V. Antonova, Investigation of the properties of two-dimensional MoS2 and WS2 films synthesized by the CVD method, Semiconductor, 54(4), 454-464, 2020
  7. K.A. Kokh, N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, D.A. Kustov, V.A. Golyashov, E.S. Goldyreva, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, O.E. Tereshchenko, Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica, Materials Research Bulletin, 129, 2020, 110906

2019

  1. Olejniczak, N.A. Nebogatikova, A.V. Frolov, M. Kulik, I.V. Antonova, V.A. Skuratov. Swift heavy-ion irradiation of graphene oxide: localized reduction and formation of sp-hybridized carbon chains. Carbon, 141, (2019) 390-399
  2. I.V. Antonova, I.I. Kurkina, A.K. Gutakovskii, I.A. Kotin, A.I. Ivanov, N.A. Nebogatikova, R.A. Soots, S.A. Smagulova Fluorinated graphene suspension for flexible and printed electronics: flakes, films, and heterostructures, Materials & Design, 164, 107526, 2019
  3. A.I. Ivanov, N.A. Nebogatikova, I.A. Kotin, I.V. Antonova, S.A. Smagulova Threshold Resistive Switching Effect in Fluorinated Graphene Films with Graphene Quantum Dots Enhanced by Polyvinyl Alcohol, Nanotechnology 30, 255701, 2019
  4. E. Yakimchuk, V. Volodin, I. Antonova, New graphene derivative with N-methylpirrolidone: suspension, structural, optical and electrical properties, Phys. Chem. Chem. Phys., 21, 12494, 2019
  5. A.I. Ivanov, A.K. Gutakovskii, I.A. Kotin, R.A. Soots, I.V. Antonova, Resistive Switching Effect with ON/OFF current relation up to 109 in 2D Printed Composite Films of Fluorinated Graphene with V2O5 Nanoparticles, Advanced Electronic Materials, 2019, 5(10), 1900310
  6. V.I. Popov, I.A. Kotin, N.A. Nebogatikova, S.A. Smagulova, I.V. Antonova Graphene–PEDOT: PSS humidity sensors for high sensitive, low-cost, highly-reliable flexible and printed electronics, Materials, 2019, 12, 3477

2018

  1. G. Cherevko, Y.V. Morgachev, I. A. Kotin, E.A. Yakimchuk, R.A. Soots, I.V. Antonova, Graphene antenna on a biodegradable substrate for GSM frequency range of cellular operators, 2018 14th International scientific - technical conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE) – 44894 proceedings, p 312 – 314, 978-1-5386-7054-5/18/$31.00 ©2018 IEEE
  2. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, S.V. Erohin, D.G. Kvashnin, A. Olejniczak, V.A. Volodin, A.V. Skuratov, A.V. Krasheninnikov, P.B. Sorokin, L.A. Chernozatonksii, Nanostructured few-layer graphene films with interlayer edge reconstructions for electronic applications, Nanoscale, 2018, 10, 14499-14509.
  3. E. Yakimchuk, R. Soots, I. Antonova, Stability of graphene suspensions in an aqueous based multi-component medium, Advanced Material Letters, 2018, 9(3), 211-215.
  4. F.D. Vasilieva, A.N. Kapitonov, E.A. Yakimchuk, I.A. Kotin, S.A.Smagulova, I.V. Antonova, Mildly oxidized graphene oxide suspension for printed technologies, Mater. Res. Express, 5 065608, 2018

2017-2007

  1. I.V. Antonova, I.I. Kurkina, N.A. Nebogatikova, A.I. Komonov, S.A. Smagulova, Films fabricated from partially fluorinated graphene suspension: structural, electronic properties and negative differential resistance, Nanotechnology, 27, 074001(10), 2017.
  2. V.I. Popov, D.V. Nikolaev, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, I.V. Antonova Graphene Based Humidity Sensors: The Origin of Alternating Resistance Change, Nanotechnology 28 (2017) 355501
  3. A.I. Ivanov, N.A.Nebogatikova, I.A.Kotin, I.V.Antonova Two-layer and composite films based on oxidized and fluorinated graphene Phys. Chem. Chem. Phys. 19, 19010 – 19020, 2017
  4. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, I.I. Kurkina, R.A. Soots, V.I. Vdovin, V.B Timofeev, S.A.Smagulova, V.Ya Prinz Graphene flakes fragmentation in suspension in the course of fluorination, Nanotechnology, 27 205601, 2016
  5. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A.Smagulova, E.R. Zakirov, V.G. Kesler, Fluorinated graphene dielectric films obtained from functionalized graphene suspension: preparation and properties, Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 17, 13257 - 13266
  6. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, Graphene quantum dots in fluorographene matrix formed by means of chemical functionalization, Carbon, 77, 1095-1103, 2014.
  7. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, V.Ya. Prinz, Self-organized arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in fluorographene matrix: formation of quantum dots and charge spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 104 (19), 193108(5), 2014.
  8. N A Nebogatikova, I V Antonova, V A Volodin, V Ya Prinz, Functionalization of graphene and few-layer graphene with an aqueous solution of hydrofluoric acid, Physica E, 52, 106-111, 2013.
  9. I.V.Antonova, I.A.Kotin, R.A.Soots, V.A.Volodin, V.Ya.Prinz Tunable Properties of Few-Layer Graphene - N-methylpyrrolidone Hybrid Structures Nanotechnology, 23, 315601, 2012.
  10. I.V Antonova, S.V. Mutilin, V.A. Seleznev, R.A. Soots, V.A.Volodin, V.A. Prinz, Extremely High Response of Electrostatically Exfoliated Few-Layer Graphene to Ammonia Adsorption, Nanotechnology, 22, 285502, 2011.
  11. I.V. Antonova, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov, M.S. Kagan, J. Jedrzejewski, I. Balberg, Low-dimensional effects in a three-dimensional system of Si quantum dots modified by high-energy ion irradiation, Nanotechnology, 20, 185401, 2009.
  12. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, M.S. Kagan, P. S. Alekseev, S.K. Ray, N. Sustersic, J. Kolodzey, Deep Level Spectroscopy studies of confinement levels in SiGe quantum wells, J. Appl. Phys., 106, 084903, 2009.
  13. I.V. Antonova , M.B. Gulyaev, E. Savir, J. Jedrzejewski I. Balberg Charge storage, photoluminescence and cluster statistics in ensembles of Si quantum dots, Phys. Rev.B, 77, 125318, 2008.
  14. I.V. Antonova, R.A. Soots, M.B.Guliaev, V.Ya.Prinz, Miron S. Kagan, J. Kolodzey, Electrical passivation of Si/SiGe/Si structures by 1-octadecene monolayers, Appl. Phys. Let., 91, 102116, 2007.