Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2013

  1. Е.В.Кожемякина, К.С.Журавлев. - Исследование кинетики температуры экситонного газа в GaAs и AlGaAs. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 198–202 (2013).
  2. Д.В.Гуляев, К.С.Журавлев. - Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 109-114 (2013).
  3. И.А.Александров, К.С.Журавлев, В.Г.Мансуров P.Tronc, P.O.Holtz, - Фотолюминесценция одиночных квантовых точек GaN/AlN при различных мощностях возбуждения. Известия вузов. Физика, т. 56, вып. 2/2, стр. 15–17 (2013).
  4. A.A.Shklyaev, D.V.Gulyaev, K.S.Zhuravlev, A.V.Latyshev, V.A.Armbrister, A.V.Dvurechenskii. - Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2. Optics Communications, v. 286 p. 228–232 (2013).
  5. A.A.Shklyaev, A.S.Kozhukhov, V.A.Armbrister, D.V.Gulyaev. Surface morphology of Si layers grown on SiO2. - Applied Surface Science, v. 267, p. 40–44 (2013).
  6. K.S.Zhuravlev, I.V.Osinnykh, D.Yu.Protasov, T.V.Malin, V.Yu.Davydov, A.N.Smirnov and R.N.Kyutt, A.V.Spirina, V.I.Solomonov. - Characterization of MBE grown AlGaN layers heavily doped using silane. Phys. Status Solidi C, v. 10, No. 3, 315–318 (2013).
  7. Т.В.Малин, В.Г.Мансуров, А.М.Гилинский, Д.Ю.Протасов, А.С.Кожухов, А.П.Василенко, К.С.Журавлёв. - Рост гетероструктур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом на подложках AlN/Al2O3. Автометрия, Т.49, Выпуск №5, с.13-17, (2013).
  8. N.N.Novikova, E.A.Vinogradov, V.A.Yakovlev, T.V.Malin, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev.- Nitridation effect on sapphire surface polaritons. Surface and Coatings Technology, v. 227, p.58-61 (2013).
  9. Konstantin Zhuravlev, Timur Malin, Vladimir Mansurov, Nadezhda Novikova, and Vladimir Yakovlev. Effect of annealing and nitridation on (0001) sapphire surface polaritons. Phys. Status Solidi C, v. 10, No. 3, p.377-380, 2013.
  10. K.Zhuravlev, T.Malin, S.Trubina, S.Erenburg, L.Dobos, B.Pecz, V.Davydov, A.Smirnov, and R.Kyutt. - EXAFS study of GaN/AlN multiple quantum wells grown by ammonia MBE. Phys. Status Solidi C, v. 10, #3, p. 311-314 (2013).
  11. С.Б.Эренбург, С.В.Трубина, К.С.Журавлев, Т.В.Малин, Б.Печ. - Диффузия и деформации в гетеросистемах со сверхрешетками GaN/AlN по данным EXAFS спектроскопии. Известия РАН, серия физическая, т.77, № 9, с.1312–1316 (2013).
  12. Д.Ю.Протасов, Т.В.Малин, А.В.Тихонов, А.Ф.Цацульников, К.С.Журавлев. - Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. Физика и техника полупроводников, т. 47, вып. 1, С. 36-47 (2013).
  13. К.С.Журавлев, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, Т.В.Малин, В.Г.Мансуров, А.М.Гилинский, Д.Ю.Протасов, - Разработка МЛЭ-технологии гетероструктур для мощных арсенид- и нитридгаллиевых СВЧ-транзисторов. Электронная техника. Серия 1. СВЧ-техника, выпуск 4(519), часть II. с.204-208 (2013).
  14. В.М. Лукашин, А.Б.Пашковский, К.С.Журавлев, А.И.Торопов, В.Г.Лапин, Е.И.Голант, А.А.Капралова. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием. Физика и техника полупроводников, т. 47, вып. 1, С. 36-47 (2013).
  15. V.V.Ratnikov, R.N.Kyutt, A.N.Smirnov, V.Yu.Davydov, M.P.Shcheglov, T.V.Malin, and K.S.Zhuravlev. - Defects and Stresses in MBE Grown GaN and Al0.3Ga0.7N Layers Doped by Silicon Using Silane. Crystallography Reports, v. 58, No. 7, pp. 1023–1029 (2013).
  16. Т.С.Шамирзаев, D.Dunker, J.Debus, Д.Р.Яковлев, К.С.Журавлев, M.Bayer. Микросекундное время жизни спиновой поляризации экситонов в квантовых точках (In,Al)As/AlAs. Автометрия, т.49, №5, с.112-118 (2013).
  17. L.G.Bulusheva, A.V.Okotrub, Yu.V.Fedoseeva, S.V.Larionov, A.A.Zarubanov, and K.S.Zhuravlev. - Electro- and Photoluminescence of CdS Nanoparticles Deposited on Carbon Nanotubes. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, Vol. 8, pp.1–6 (2013).
  18. А.В.Гайслер, А.С.Ярошевич, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Д.В.Щеглов, В.А.Гайслер, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек. Письма в ЖЭТФ, том 97, вып. 5, с. 313 – 318, (2013).
  19. А.В.Гайслер, А.С.Ярошевич, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Д.В.Щеглов, В.А.Гайслер, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - «Спектроскопия одиночных InAs квантовых точек». Автометрия, т.49, №5, стр. 93 – 99, (2013).
  20. A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, A.I. Toropov, D.R.T. Zahn, Micro-Raman phonon scattering by InAs/AlAs quantum dot superlattices, Abstract Book of Fourth International Conference on Nano-structures SElf-Assembly, S. Margherita di Pula (Cagliari, Italy) 25-29 June 2012, p.192, oral talk, Thin Solid Films, 543C, 23-26 (2013).
  21. Alexander Vorob'ev, Anton Chesnitskiy, Alexander Toropov, and Victor Prinz,- Three-axis Hall transducer based on semiconductor microtubes. - Appl. Phys. Lett. 103, 173513, (2013).
  22. З.Д.Квон, Д.А.Козлов, С.Н.Данилов, С.Цот, П.Вирлинг, С.Стэчел, В.В.Бельков, А.К.Бакаров, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, С.Д.Ганичев. - Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью. - Письма в ЖЭТФ. Том 97, вып.1, с.45-48, (2013).
  23. A.A.Bykov, Sean Byrnes, Scott Dietrich, and Sergey Vitkalov, I.V.Marchishin and D.V.Dmitriev. - Zero-differential conductance of two-dimensional electrons in crossed electric and magnetic fields. Phys. Rev. B, V. 87, P. 081409, (2013).
  24. A.A.Shevyrin, A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, A.K.Bakarov, A.I.Toropov, S.V.Ishutkin, E.V.Shesterikov, and A.S.Arakcheev. - High-amplitude dynamics of nanoelectromechanical systems fabricated on the basis of GaAs/AlGaAs heterostructures. Appl. Phys. Lett. 103, 131905, (2013).
  25. Д.С.Абрамкин, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.В.Преображенский, Т.C.Шамирзаев. - Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур сформированных в матрице GaP. Известия вузов Физика, 56, №2/2, стр. 5, (2013).
  26. N.N.Rubtsova, S.A.Kochubei, A.A.Kovalyov, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, B.R.Semyagin, T.S.Shamirzaev, G.M.Borisov, V.E.Kisel', N.V.Kuleshov, S.V.Kuril'chik, O.V.Buganov, S.A.Tikhomirov. - Semiconductor A3B5 nanostructures for infrared femtosecond lasers. Journal of Physics Conference Series 414, 012026, (2013).
  27. Н.А.Валишева, В.Н.Кручинин, О.Е.Терещенко, А.C.Кожухов, Т.А.Левцова, С.В. Рыхлицкий, Д.В.Щеглов. - Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs (111)A. ФТП, №4, стр. 532-537, (2013).
  28. A.V.Bakulin, S.E.Kulkova, S.V.Eremeev, O.E.Tereshchenko, Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction. Surface Science 615, 97–102, (2013).
  29. O.E.Tereshchenko, A.V.Bakulin, S.E.Kulkova S.V.Eremeev. - Backward reconstructions on GaAs(001) surfaces induced by atomic hydrogen reactions: surfactant assisted low-temperature surface ordering. The Journal of Physical Chemistry C. - Vol. 117. - p. 9723-9733, (2013).
  30. Gabriel Landolt, Sergey V.Eremeev, Oleg E.Tereshchenko, Stefan Muff, Bartosz Slomski, Konstantin A.Kokh, Masaki Kobayashi, Thorsten Schmitt, Vladimir N.Strocov, Jurg Osterwalder, Evgueni V.Chulkov and J Hugo Dil, Bulk and surface Rashba splitting in single termination BiTeCl. New Journal of Physics 15, 085022, (2013).
  31. M.Nurmamat, E.E.Krasovskii, K.Kuroda, M.Ye, K.Miyamoto, M.Nakatake, T.Okuda, H.Namatame, M.Taniguchi, E.V.Chulkov, K.A. Kokh, O.E.Tereshchenko, and A.Kimura, Unoccupied topological surface state in Bi2Te2Se. Phys. Rev. B 88, 081301(R) (2013).
  32. J.Mauchain, Y.Ohtsubo, M.Hajlaoui, E.Papalazarou, M.Marsi, A.Taleb-Ibrahimi, J. Faure, K.A.Kokh, O.E.Tereshchenko, S.V.Eremeev, E.V.Chulkov, and L.Perfetti Circular Dichroism and Superdiffusive Transport at the Surface of BiTeI. Phys. Rev. Lett. 111, 126603 (2013).
  33. P.Sessi, M.M.Otrokov, T.Bathon, M.G.Vergniory, S.S.Tsirkin, K.A.Kokh, O.E.Tereshchenko, E.V.Chulkov, and M.Bode, Visualizing spin-dependent bulk scattering and breakdown of the linear dispersion relation in Bi2Te3. Phys. Rev. B 88, 161407(R) (2013).
  34. Ю.С.Поносов, Т.В.Кузнецова, О.Е.Терещенко, К.А.Кох, E.В.Чулков. - Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях. Письма в ЖЭТФ, том 98, вып. 9, с. 626 – 630 (2013).
  35. F.G.G.Hernandez, L.M.Nunes, G.M.Gusev, and A.K.Bakarov. - Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. Phys. Rev. B 88, 161305(R) (2013).
  36. F.G.G.Hernandez, G.M.Gusev, and A.K.Bakarov. - Tuning of the Lande g-factor in AlxGa1-xAs/AlAs single and double quantum wells. 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics,- J.Phys.: Conf. Ser. 456 012015 (2013).
  37. I.A.Larkin, Sebastian Ujevic, S.Wiedmann, N.Mamani, G.M.Gusev, A.K.Bakarov and J.C.Portal. - Shubnikov-de Haas effect in tilted magnetic fields in wide quantum well. 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor.- Physics.- J. Phys.: Conf. Ser. 456 012025 (2013).
  38. M.V.Budantsev, A.G.Pogosov, D.A.Pokhabov, E.Yu.Zhdanov, A.K.Bakarov and A.I.Toropov. - Nonequilibrium currents in the quantum Hall effect regime spatially resolved by transport experiment. J. Phys.: Conf. Ser. 456 012005 (2013).
  39. A.A.Lyamkina and S.P Moshchenko Numerical Investigation of Surface Plasmon Resonance in Lens-Shaped Self-Assembled Nanodroplets of Group III Metals. J. Phys. Chem. 117 (32), 16564–16570 (2013).
  40. А.А.Лямкина, С.П.Мощенко. Подстройка в резонанс экситон-плазмонного взаимодействия в гибридной системе квантовая точка-капля индия при контролируемом окислении металла: численное моделирование. Известия высших учебных заведений, серия Физика, 56, №2/2, стр. 223 (2013).