Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2012

  1. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato, «Novel self-assembled quantum dot in the GaSb/AlAs heterosystem», Письма в ЖЭТФ 95 №10, с.601-603 (2012).
  2. О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов” Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1 c.27-36 (2012).
  3. Д.С.Абрамкин, М.А.Путято, А.К.Гутаковский, Б.Р.Семягин, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP” ФТП 46(12) с. 1571-1575 (2012).
  4. D. Dunker, T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, K.S. Zhuravlev, M. Bayer “Spin relaxation of negatively charged excitons in (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band gap and type-I band alignment” Appl. Phys. Lett., 101, P. 142108 (2012).
  5. D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev “Atomic structure and energy spectrum of Ga(As,P)/GaP heterostructures” J. Appl. Phys., 112, P.083713 (2012).
  6. O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev, A.S. Romanyuk, P. Tronc «Submicron Raman and photoluminescence topography of InAs/Al(Ga)As quantum dots structures» Applied Surface Science. 260, P. 47–50 (2012).
  7. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, and A.V. Latyshev “Room temperature 1.5 mm light-emitting silicon diode with embedded β-FeSi2 nanocrystallites” Appl. Phys. Lett., 101, P. 163501 (2012).
  8. L. Fernandes dos Santos, Yu. A. Pusep, L. Villegas-Lelovsky, V. Lopez-Richard, G. E. Marques, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov,- Quantum oscillations of spin polarization in a GaAs/AlGaAs double quantum well,- Phys. Rev. B 86, 125415 (2012) DOI: 10.1103/PhysRevB.86.125415.
  9. Yu. A. Pusep, L. Fernandes dos Santos, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov Circularly Polarized Photoluminescence as a Probe of Density of States in GaAs/AlGaAs Quantum Hall Bilayers,- Phys. Rev. Lett. 109, 046802 (2012) DOI:10.1103/PhysRevLett.109.046802.
  10. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, E. Yu. Zhdanov, D. A. Pokhabov, A. K. Bakarov, and A. I. Toropov,- Electron transport in suspended semiconductor structures with two-dimensional electron gas - Appl. Phys. Lett. 100, 181902 (2012) DOI: 10.1063/1.4709485.
  11. L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic AlGaAs well, - J. Appl. Phys. 111, 123523 (2012); doi: 10.1063/1.4730769.
  12. L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, G.M.Gusev, A.K.Bakarov and A.I.Toropov,- Magnetic field induced charge redistribution in artificially disordered quantum Hall superlattices,- EPL, 97 17010 (2012), doi: 10.1209/0295-5075/97/17010.
  13. Yu.A.Pusep, L.Fernandes dos Santos, D.Smirnov, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Magneto-optical probe of quantum Hall states in a wide parabolic well modulated by random potential, - Phys.Rev.B 85, 045302 (2012).
  14. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов, - Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов - Письма в ЖТФ, том 38, вып. 17, 84-89 (2012).
  15. Alexander G. Milekhin, Nikolay Yeryukov, Alexander I. Toropov, Dmitry Dmitriev, Evgeniya Sheremet, Dietrich R. T. Zahn, - Raman scattering of InAs/AlAs quantum dot superlattices grown on (001) and (311)B GaAs surfaces, - Nanoscale Research Letters 7:476 doi:10.1186/1556-276X-7-476 (2012).
  16. A. Strittmatter, A. Schliwa, J.-H. Schulze, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, and V. Haisler. - Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor, - : Appl. Phys. Lett. 100, 093111; doi: 10.1063/1.3691251 (2012).
  17. A. Strittmatter, A. Holzbecher, A. Schliwa, J.-H. Schulze, D. Quandt, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg and V. Haisler, - Site-controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers, Phys. Status Solidi A, 1–10 (2012).
  18. Д. В. Дмитриев, И. С. Стрыгин, А. А. Быков, С. Дитрих, С. А. Виткалов, - Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs. - Письма в ЖЭТФ 95, 467 (2012).
  19. A. A. Bykov, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, S. Byrnes, S. A. Vitkalov, - Zener tunneling between Landau orbits in two-dimensional electron Corbino rings, - Appl. Phys. Lett. 100, 251602 (2012).
  20. S. Dietrich, S. Byrnes, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov, Quantum oscillations of dissipative resistance in crossed electric and magnetic fields, - Phys. Rev. B 85, 155307 (2012).
  21. S. Dietrich, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov. - Quantum lifetime of two-dimensional electrons in a magnetic field. - Phys. Rev. B 85, 115312 (2012).
  22. Ю. Г. Галицын, А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Ю.И. Михайлов, E. Placidi. Статистическое рассмотрение ансамбля квантовых точек InAs на поверхности (001)GaAs. Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации, №2 (19), с. 27-33 (2012).
  23. I.A. Aleksandrov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev, “Influence of shape of GaN/AlN quantum dots on luminescence decay law”, Phys. Status Solidi A, 209, No. 4, p. 653-656 (2012).
  24. С.В. Еремеев, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова, “Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора”, Физика и техника полупроводников, том 46, стр.53-59, (2012).
  25. Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава“, Физика и техника полупроводников, том 46(4), стр.569-575, (2012).
  26. O. E. Tereshchenko, D. Paget, K. V. Toropetsky, V. L. Alperovich, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, B. P. Doyle, and S. Nannarone, “Etching or stabilization of GaAs(001) under alkali and halogen adsorption”, The Journal of Physical Chemistry C, 116, p. 8535-8540, (2012).
  27. И.А. Тарасов, Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков, С.Г. Овчинников, С.М. Жарков, В.А. Швец, С.Г. Бондаренко, О.Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100)”, Журнал технической физики, 82 (9), p. 44-48 (2012).
  28. K. Miyamoto, A. Kimura, T. Okuda, H. Miyahara, K. Kuroda, H. Namatame, M. Taniguchi, S.V. Eremeev, T.V. Menshchikova, E.V. Chulkov, K.A. Kokh, and O. E. Tereshchenko, “Topological Surface States with Persistent High Spin Polarization across the Dirac Point in Bi2Te2Se and Bi2Se2Te”, Phys. Rev. Lett. 109, p. 166802 (2012).
  29. I.Yu. Sklyadneva, R. Heid, K.-P. Bohnen, V. Chis, V. A. Volodin, K. A. Kokh, O.E. Tereshchenko, P. M. Echenique, and E. V. Chulkov, “Lattice dynamics of bismuth tellurohalides”, Phys. Rev. B 86, 094302 (2012).
  30. А.А. Рожин, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, Т.С. Шамирзаев, А.А. Ковалёв, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, О.В. Буганов, С.А. Тихомиров “Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs” Вестник НГУ. Серия Физика, том 7, Выпуск 4. С. (2012).
  31. R. Uddin, M. Pandikunta, V Mansurov, S. Sohal, D. Myasishchev, G.M. Guryanov, V. Kuryatkov, M. Holtz, S. Nikishin, - Effects of Growth Temperature on Indium Incorporation in InAlN Alloys Grown by GSMBE on Si(111), - Journal of Electronic Materials, v 41, N 5, p.824-829, 2012.
  32. А.К.Шестаков, К.С.Журавлев. Численное моделирование зависимости характеристик полевого GaAs-транзистора от параметров профиля легирования канала. Автометрия, т.48, №1, с.124-128 (2012).
  33. A.V. Tikhonov, T.M.Malin, K.S.Zhuravlev, L.Dobos, B.Pecz. TEM study of defects in AlGaN layers with different polarity. J.Crystal Growth, v.338, pp.30-34 (2012).
  34. А.А.Зарубанов, К.С.Журавлев, Т.А.Дуда, А.В.Окотруб. Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками. Письма в ЖЭТФ, т.95, вып.7, с.403-407 (2012).
  35. К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Пашковский, В.М. Лукашин, А.Б. Соколов. Серийный PHEMT с удельной мощностью 1,4 Вт/мм. Электронная техника. Серия 1 . СВЧ-техника, вып.1 (512),с.55-62 (2012).
  36. И.Д.Бурлаков, А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, К.С.Журавлев. Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из соединения AlGaN. Нано- микросистемная техника, №7, с.37-46 (2012).
  37. D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev “Interaction of excitons with carriers accelerated by the electric field of a surface acoustic wave in type II GaAs/AlAs superlattices” Phys. Rev. B, Vol.86, No.16, p. 165323 (2012).
  38. V.A. Golyashov, K.A. Kokh, S.V. Makarenko, K.N. Romanyuk, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, O.E. Tereshchenko, A.S. Kozhukhov, S. V. Eremeev, S. D. Borisova, and E.V. Chulkov, Inertness and degradation of (0001) surface of Bi2Se3 topological insulator. J. of Appl. Phys. 112, 113702 (2012).
  39. D. Niesner, Th. Fauster, S. V. Ereemev, T. V. Menshchikova, Yu. M. Koroteev, A. P. Protogenov, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, O. Alekperov, A. Nadjafov, and N. Mamedov, Unoccupied Topological States on Bismuth Chalcogenides. Phys. Rev. B 86, 205403 (2012).
  40. V. Chis, I.Yu. Sklyadneva, K. A. Kokh, V. A. Volodin, O.E. Tereshchenko, and E. V. Chulkov, Vibrations in Binary and Ternary Topological Insulators: first-principles calculations and Raman Spectroscopy Measurements. Phys. Rev. B 86, 174304 (2012).