Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
2012
- T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato, «Novel self-assembled quantum dot in the GaSb/AlAs heterosystem», Письма в ЖЭТФ 95 №10, с.601-603 (2012).
- О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов” Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1 c.27-36 (2012).
- Д.С.Абрамкин, М.А.Путято, А.К.Гутаковский, Б.Р.Семягин, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP” ФТП 46(12) с. 1571-1575 (2012).
- D. Dunker, T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, K.S. Zhuravlev, M. Bayer “Spin relaxation of negatively charged excitons in (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band gap and type-I band alignment” Appl. Phys. Lett., 101, P. 142108 (2012).
- D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev “Atomic structure and energy spectrum of Ga(As,P)/GaP heterostructures” J. Appl. Phys., 112, P.083713 (2012).
- O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev, A.S. Romanyuk, P. Tronc «Submicron Raman and photoluminescence topography of InAs/Al(Ga)As quantum dots structures» Applied Surface Science. 260, P. 47–50 (2012).
- N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, and A.V. Latyshev “Room temperature 1.5 mm light-emitting silicon diode with embedded β-FeSi2 nanocrystallites” Appl. Phys. Lett., 101, P. 163501 (2012).
- L. Fernandes dos Santos, Yu. A. Pusep, L. Villegas-Lelovsky, V. Lopez-Richard, G. E. Marques, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov,- Quantum oscillations of spin polarization in a GaAs/AlGaAs double quantum well,- Phys. Rev. B 86, 125415 (2012) DOI: 10.1103/PhysRevB.86.125415.
- Yu. A. Pusep, L. Fernandes dos Santos, G. M. Gusev, D. Smirnov, and A. K. Bakarov Circularly Polarized Photoluminescence as a Probe of Density of States in GaAs/AlGaAs Quantum Hall Bilayers,- Phys. Rev. Lett. 109, 046802 (2012) DOI:10.1103/PhysRevLett.109.046802.
- A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, E. Yu. Zhdanov, D. A. Pokhabov, A. K. Bakarov, and A. I. Toropov,- Electron transport in suspended semiconductor structures with two-dimensional electron gas - Appl. Phys. Lett. 100, 181902 (2012) DOI: 10.1063/1.4709485.
- L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic AlGaAs well, - J. Appl. Phys. 111, 123523 (2012); doi: 10.1063/1.4730769.
- L.Fernandes dos Santos, Yu.A.Pusep, G.M.Gusev, A.K.Bakarov and A.I.Toropov,- Magnetic field induced charge redistribution in artificially disordered quantum Hall superlattices,- EPL, 97 17010 (2012), doi: 10.1209/0295-5075/97/17010.
- Yu.A.Pusep, L.Fernandes dos Santos, D.Smirnov, A.K.Bakarov, and A.I.Toropov, - Magneto-optical probe of quantum Hall states in a wide parabolic well modulated by random potential, - Phys.Rev.B 85, 045302 (2012).
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов, - Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов - Письма в ЖТФ, том 38, вып. 17, 84-89 (2012).
- Alexander G. Milekhin, Nikolay Yeryukov, Alexander I. Toropov, Dmitry Dmitriev, Evgeniya Sheremet, Dietrich R. T. Zahn, - Raman scattering of InAs/AlAs quantum dot superlattices grown on (001) and (311)B GaAs surfaces, - Nanoscale Research Letters 7:476 doi:10.1186/1556-276X-7-476 (2012).
- A. Strittmatter, A. Schliwa, J.-H. Schulze, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, and V. Haisler. - Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor, - : Appl. Phys. Lett. 100, 093111; doi: 10.1063/1.3691251 (2012).
- A. Strittmatter, A. Holzbecher, A. Schliwa, J.-H. Schulze, D. Quandt, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg and V. Haisler, - Site-controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers, Phys. Status Solidi A, 1–10 (2012).
- Д. В. Дмитриев, И. С. Стрыгин, А. А. Быков, С. Дитрих, С. А. Виткалов, - Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs. - Письма в ЖЭТФ 95, 467 (2012).
- A. A. Bykov, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, S. Byrnes, S. A. Vitkalov, - Zener tunneling between Landau orbits in two-dimensional electron Corbino rings, - Appl. Phys. Lett. 100, 251602 (2012).
- S. Dietrich, S. Byrnes, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov, Quantum oscillations of dissipative resistance in crossed electric and magnetic fields, - Phys. Rev. B 85, 155307 (2012).
- S. Dietrich, S. Vitkalov, D. V. Dmitriev, A. A. Bykov. - Quantum lifetime of two-dimensional electrons in a magnetic field. - Phys. Rev. B 85, 115312 (2012).
- Ю. Г. Галицын, А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Ю.И. Михайлов, E. Placidi. Статистическое рассмотрение ансамбля квантовых точек InAs на поверхности (001)GaAs. Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации, №2 (19), с. 27-33 (2012).
- I.A. Aleksandrov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev, “Influence of shape of GaN/AlN quantum dots on luminescence decay law”, Phys. Status Solidi A, 209, No. 4, p. 653-656 (2012).
- С.В. Еремеев, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова, “Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора”, Физика и техника полупроводников, том 46, стр.53-59, (2012).
- Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава“, Физика и техника полупроводников, том 46(4), стр.569-575, (2012).
- O. E. Tereshchenko, D. Paget, K. V. Toropetsky, V. L. Alperovich, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, B. P. Doyle, and S. Nannarone, “Etching or stabilization of GaAs(001) under alkali and halogen adsorption”, The Journal of Physical Chemistry C, 116, p. 8535-8540, (2012).
- И.А. Тарасов, Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков, С.Г. Овчинников, С.М. Жарков, В.А. Швец, С.Г. Бондаренко, О.Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100)”, Журнал технической физики, 82 (9), p. 44-48 (2012).
- K. Miyamoto, A. Kimura, T. Okuda, H. Miyahara, K. Kuroda, H. Namatame, M. Taniguchi, S.V. Eremeev, T.V. Menshchikova, E.V. Chulkov, K.A. Kokh, and O. E. Tereshchenko, “Topological Surface States with Persistent High Spin Polarization across the Dirac Point in Bi2Te2Se and Bi2Se2Te”, Phys. Rev. Lett. 109, p. 166802 (2012).
- I.Yu. Sklyadneva, R. Heid, K.-P. Bohnen, V. Chis, V. A. Volodin, K. A. Kokh, O.E. Tereshchenko, P. M. Echenique, and E. V. Chulkov, “Lattice dynamics of bismuth tellurohalides”, Phys. Rev. B 86, 094302 (2012).
- А.А. Рожин, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, Т.С. Шамирзаев, А.А. Ковалёв, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, О.В. Буганов, С.А. Тихомиров “Воздействие ультрафиолетового излучения на наноструктуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs” Вестник НГУ. Серия Физика, том 7, Выпуск 4. С. (2012).
- R. Uddin, M. Pandikunta, V Mansurov, S. Sohal, D. Myasishchev, G.M. Guryanov, V. Kuryatkov, M. Holtz, S. Nikishin, - Effects of Growth Temperature on Indium Incorporation in InAlN Alloys Grown by GSMBE on Si(111), - Journal of Electronic Materials, v 41, N 5, p.824-829, 2012.
- А.К.Шестаков, К.С.Журавлев. Численное моделирование зависимости характеристик полевого GaAs-транзистора от параметров профиля легирования канала. Автометрия, т.48, №1, с.124-128 (2012).
- A.V. Tikhonov, T.M.Malin, K.S.Zhuravlev, L.Dobos, B.Pecz. TEM study of defects in AlGaN layers with different polarity. J.Crystal Growth, v.338, pp.30-34 (2012).
- А.А.Зарубанов, К.С.Журавлев, Т.А.Дуда, А.В.Окотруб. Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками. Письма в ЖЭТФ, т.95, вып.7, с.403-407 (2012).
- К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Пашковский, В.М. Лукашин, А.Б. Соколов. Серийный PHEMT с удельной мощностью 1,4 Вт/мм. Электронная техника. Серия 1 . СВЧ-техника, вып.1 (512),с.55-62 (2012).
- И.Д.Бурлаков, А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, К.С.Журавлев. Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из соединения AlGaN. Нано- микросистемная техника, №7, с.37-46 (2012).
- D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev “Interaction of excitons with carriers accelerated by the electric field of a surface acoustic wave in type II GaAs/AlAs superlattices” Phys. Rev. B, Vol.86, No.16, p. 165323 (2012).
- V.A. Golyashov, K.A. Kokh, S.V. Makarenko, K.N. Romanyuk, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, O.E. Tereshchenko, A.S. Kozhukhov, S. V. Eremeev, S. D. Borisova, and E.V. Chulkov, Inertness and degradation of (0001) surface of Bi2Se3 topological insulator. J. of Appl. Phys. 112, 113702 (2012).
- D. Niesner, Th. Fauster, S. V. Ereemev, T. V. Menshchikova, Yu. M. Koroteev, A. P. Protogenov, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, O. Alekperov, A. Nadjafov, and N. Mamedov, Unoccupied Topological States on Bismuth Chalcogenides. Phys. Rev. B 86, 205403 (2012).
- V. Chis, I.Yu. Sklyadneva, K. A. Kokh, V. A. Volodin, O.E. Tereshchenko, and E. V. Chulkov, Vibrations in Binary and Ternary Topological Insulators: first-principles calculations and Raman Spectroscopy Measurements. Phys. Rev. B 86, 174304 (2012).