Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

СОТРУДНИКИ

Васильев Владимир Васильевич
кандидат физ.-мат.наук

тел. (383) 333-10-82,
вн. 1345
341 ТК

E-mail:

Васильев Владимир Васильевич, родился 21 января 1952 года.

В 1975 году окончил физический факультет НГУ. В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию на звание к.ф.-м.н.

Васильев В.В. является специалистом в области физики полупроводников и микрофотоэлектроники, способным самостоятельно решать научные и практические задачи в изучении электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений кадмий-ртуть-теллур.

Круг научных интересов В.В. Васильева лежит в исследовании фотоэлектрических свойств диэлектриков и тройных соединений КРТ, а также в разработке физико-технологических основ создания фотоприемных структур на основе КРТ.

Под научным руководством В.В. Васильева проводились исследования, связанные с разработкой технологических процессов изготовления фотоприемных усройств на основе тройных соединений кадмий-ртуть-теллур. В лаборатории № 28 были разработаны и поставлены низкотемпературные процессы, включая синтез диэлектриков, формирование n-p переходов, высоких (до 10 мкм) индиевых столбов, фотолитография по диэлектрикам и металлам, которые используются в технологической линейке изготовления многоэлементных фотоприемных структур.

Разработана технология и изготовлены матричные фотоприемные модули на основе ГЭС МЛЭ КРТ, выращенных на «альтернотивной» подложке из кремния. Такие фотоприемники обладают повышенной стойкостью к термоциклированиям, поскольку коэффициенты термического расширения кремниевой схемы считывания и фотоприемной матрицы на кремниевой подложке одинаковы.

В рамках НИР «Поместье» разработана технология и изготовлены матричные фотоприемные модули форматом 640×512 элементов для спектрального диапазона 3-5 мкм на основе ГЭС МЛЭ КРТ, выращенных на «альтернативной» подложке из кремния в составе вакуумного криостата, сопряженного с МКС с NETD = 19 мК. Такие фотоприемники обладают повышенной стойкостью к термоциклированиям, поскольку коэффициенты термического расширения кремниевой схемы считывания и фотоприемной матрицы на кремниевой подложке одинаковы.

В рамках НИР «Самун» разработана технология и изготовлены двухцветные ФПУ форматом 288×4 на основе двухспектральных фоточувствительных элементов в слоях гетероэпитаксиальных наноструктур КРТ для спектральных диапазонов 3-5 и 8-11 мкм с удельной обнаружительной способностью D*λmax = 10,1×1011 см×Гц1/2×Вт-1, и D*λmax = 2,24×1011 см×Гц1/2×Вт-1, соответственно.