Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

СОТРУДНИКИ

Погосов Артур Григорьевич

старший научный сотрудник,
доктор физ.-мат. наук.

тел. 333-10-87
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
261 ЛТК

Научная деятельность:

Специалист в области явлений переноса в полупроводниковых системах пониженной размерности и наноструктурах. Проводил исследования квантовых явлений, таких как слабая локализация, мезоскопика, квантовый эффект Холла в двумерных электронных системах. В работах с его соавторством были впервые изучены мезоскопические осцилляции термоэдс. Занимался изучением квантового транспорта в мезоскопических системах с квантовым и динамическим хаосом. Среди изученных систем такого типа — периодические решётки искусственных рассеивателей. Результатом этих исследований явилось описание магнетополевых осцилляций сопротивления, обусловленных геометрическими резонансами. Эти исследования позволили установить связь между квантовыми интерференционными явлениями (такими как слабая локализация, осцилляции Ааронва – Бома) и особенностями классического электронного транспорта в системах с динамическим хаосом. Под его руководством проводились исследования одиночных электронных биллиардов различной геометрии. Помимо гальваномагнитных, были изучены и термомагнитные явления.

Образование:

  • 1980 г. - окончил Новосибирский государственный университет по специальности "физика".
  • 1997 г. - защитил кандидатскую диссертацию «Транспорт двумерных электронов в периодических решетках антиточек».
  • 2007 г. - защитил докторскую диссертацию «Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах».

Трудовая деятельность:

Основное место работы: – Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск, 1985-1987г.г. – стажер-исследователь, 1990-1994г.г. – младший научный сотрудник, 1994-1998г.г. – научный сотрудник, 1998- по н/вр. – старший научный сотрудник.

В настоящее время руководит группой электронного транспорта в системах пониженной размерности, которая проводит в частности экспериментальные исследования по изучению явлений переноса в наноструктурах, изготовленных на основе проводящих полупроводниковых мембран, отделенных от подложки («подвешенных» наноструктурах). Одно из достижений группы в этой области — создание подвешенного одноэлектронного транзистора с эффектом кулоновской блокады, обладающего высокой зарядовой энергией, а следовательно, высокой рабочей температурой. Эти исследования открывают пути создания одноэлектронных устройств, работающих при высоких (в перспективе — комнатных) температурах, что существенно расширяет область их практического применения.

Педагогическая деательность:

  • 1995-2002 – ассистент кафедры физики полупроводников НГУ.
  • С 2002 по н/вр – доцент кафедры общей физики НГУ.
  • 2002-2007г.г. – доцент кафедры физики полупроводников НГУ.
  • С 2007 по н/вр – профессор этой кафедры.

Разработал и читает лекции по спецкурсу «Квантовый транспорт в низкоразмерных системах». Ведёт семинары по спецкурсу «Теория твердого тела». Под руководством А.Г.Погосова защищена 1 кандидатская диссертация и 1 диссертация (PhD) французского студента.

Премии и награды:

  • В 1999 году награждён дипломом I степени в конкурсе молодых ученых СО РАН, посвященном 275-летию РАН.
  • За многолетнюю и плодотворную работу отмечен благодарностью РАН.

Общественная деятельность:

Учёный секретарь специализированного совета Д 003.037.01 по защите кандидатских и докторских диссертаций при ИФП СО РАН.

Избранные публикации:

Опубликовано более 70 научных публикаций, среди них:

  1. Баскин Э. М., Гусев Г. М., Квон З. Д., Погосов А. Г., Энтин М. В. Стохастическая динамика двумерных электронов в периодической решетке антиточек. Письма в ЖЭТФ. т. 55, вып. 11, с. 649 — 652 (1992).
  2. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, O.V. Kibis, A.Poydebasque, D.K.Maude, J.C. Portal Thermomagnetic effect in a two-dimensional electron system with an asymmetric quantizing potential. Physical Review B 61, 2000, 15603. (4 стр.)
  3. Safonov S. S, Roshko S. H., Savchenko A. K., Pogosov A. G., Kvon Z. D. “Metallic” and “Insulating” Behavior of the Two-Dimensional Electron Gas on a Vicinal Surface of Si MOSFET’s. Physical Review Letters 86, pp. 272 — 275 (2001).
  4. A. Pouydebasque, A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, A.E. Plotnikov, A.I. Toropov, D.K. Maude, J.C.Portal Negative Magnetoresistance due to Ballistic Weak Localization in a Dense Hexagonal Lattice of Antidots. Physical Review B 64, 245306 (2001). (4 стр.)
  5. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A.E. Plotnikov, A.K. Bakarov, A.I. Toropov Thermopower of a multiprobe ballistic conductor. Physical Review B 66, 201303 (2002) (4 стр.)
  6. М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Г. Погосов, , А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. К. Мод, Ж. К. Портал Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек. Письма в ЖЭТФ, том 79, стр. 166–169 (2004).
  7. Погосов А. Г., Буданцев М. В., Лавров Р. А., Плотников А. Е., Калагин А. К., Торопов А. И., Портал Ж. К. Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки. Письма в ЖЭТФ том 83, вып. 3, с. 152–156 (2006).
  8. А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе. Письма в ЖЭТФ, том 87, вып. 3, с. 176–180 (2008).