ПУБЛИКАЦИИ



2008

Статьи
  1. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii Molecular ground hole state of vertically coupled GeSi/Si self-assembled quantum dots Nanotechnology, 2008, v. 19, p. 055202
  2. O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2008, v. 69, p. 669-672
  3. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots Applied Physics Letters, 2008, v. 93, № 13, p. 132105
  4. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots Phys. Rev. B, 2008, v. 78, № 16, p. 165310
  5. Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В., Армбристер В. А., Тийс С. А. Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100) ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593-604
  6. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots Phys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 115319
  7. А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе Письма в ЖЭТФ, 2008, том 87, вып. 3, с. 176-180
  8. N. P. Stepina, E. C. Koptev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. Nikiforov Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots Physica status solidi (c), 2008, v. 5, No. 3, pp. 689–693
  9. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev Coexistence of direct and indirect band structures in arrays of InAs/AlAs quantum dots Appl. Phys. Lett., 2008, v. 92, 213101
  10. T. S. Shamirzaev, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev, M. Larsson and P. O. Holtz Atomic and energy structure of InAs/AlAs quantum dots Phys. Rev. B, 2008, v. 78, 085323
  11. A. V. Nenashev, F. Jansson, S. D. Baranovskii, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii and F. Gebhard Hopping conduction in strong electric fields: Negative differential conductivity Phys. Rev. B, 2008, v. 78, No. 16, 165207
  12. J. P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, M. Carmo, N. Stepina, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev, D. Lobanov; Z. Krasilnik Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers Material Science and Engineering B, 2008, 147, р. 191-194
  13. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, J.V. Smagina, V.A. Volodin, A.V. Nenashev, J.P. Leit?o, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 309-312
  14. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V. A. Armbrister, V. V. Kirienko, P. L. Novikov, V. G. Kesler, A. K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V.Spesivtzev Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 313-316
  15. J.P. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov, S. Magalhaes, E. Alves Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 303–305
  16. R. Gatti, A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti , Leo Miglio Improved modeling of plastic relaxation onset in realistic GeSi islands on Si (001) Phys. Rev. B, 2008, v. 78, p. 184104
  17. E. I. Gatskevich and G. D. Ivlev, V. A. Volodin, A. V. Dvurechenskii, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, and A. I. Yakimov Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix Proc. SPIE, 2008, V. 7005, 70052E ; DOI:10.1117/12.782601
  18. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots Microelectronic Journal, 2008, doi:10.1016/j.mejo.2008.11.015
  19. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов Физические явления и технологии в основе полупроводниковых структур с квантовыми точками для ИК-диапазона Изв. РАН, сер. физическая, 2009, т.73, №1, с. 71-75
  20. В.А.Донченко, А.А.Землянов, В.В.Кириенко, М.Н.Красилов, Н.С.Панамарев Уменьшение Величины порога суперлюминесценции в композитах органический краситель с наночастицами "Известия вузов. Физика",2008, Т.51, 9,С.77-82
  21. М.В.Буданцев, А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Ж.К.Порталь Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, вып. 1, с. 49-53
  22. М.А.Паращенко, Н.В. Вандышева, В.В. Кириенко, С.И. Романов Датчик емкостного типа для измерения диэлектрической проницаемости жидкости на основе нанопористого диэлектрика Электроника Сибири, 2008, вып. 3, с. 75-77
Тезисы
  1. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov The transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si QDs International conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, August 3-8, Natal, Brasil.(устный)
  2. A.F. Zinovieva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov, R.M. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo Asymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structures The 5th International Conference on semiconductor quantum dots, 2008, May 11-16, Gyeongju, Korea
  3. Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский Зарождение и рост трёхмерных островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе гетероэпитаксии Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 2008, 28-31 октября, Казань. (устный)
  4. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots 15th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, 3-8 August, Natal, Brazil.(стендовый доклад)
  5. Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. Нано- и микроканальные кремниевые мембраны - перспективные материалы для гетерофазного анализа нуклеиновых кислот V съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, май 2008 г., Новосибирск, с. 294
  6. Пышная И.А., Дмитриенко Е.В., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. Использование пористых носителей в гетерофазном анализе Международный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 114-115. (устный)
  7. Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Пышная И.А., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. Разработка схему проточного гетерофазного анализа специфических взаимодействий биомолекул на микроканальной кремниевой матрице Международный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 51-52. (устный)
  8. Филиппов Н.С. Конкатамерные ДНК: термодинамика и кинетика самоассоциации олигонуклеотидных блоков XLVI Международная Научная Студенческая Конференция, секция «Физика», 2008 г., Новосибирск, с. 200
  9. Виноградова О.А., Филиппов Н.С., Ломзов А.А., Родякина Е.Е., Латышев А.В., Клинов Д.В., Пышный, Д.В. Модифицированные ДНК-комплексы – перспективные строительные блоки для ДНК-нанотехнологии IV съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, 2008 г., Новосибирск, с. 300
  10. А.А.Шевырин, А.Г.Погосов, М.В.Буданцев Высокотемпературный подвешенный одноэлектронный транзистор Международный форум по нанотехнологиям, сборник тезисов докладов участников Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий, 2008, стр. 37 (устный)
  11. И.А. Пышная, Н.А. Плотников, Д.В. Пышный, Т.Э. Скворцова, О.Б. Вайнер, И.А. Запорожченко, П.П. Лактионов, Н.В. Вандышева, С.И. Романов, Е.В. Дмитриенко, С.Д. Мызина, Н.Б. Рубцов Разработка метода выделения минорных популяций циркулирующих в крови эукариотических клеток (онкоспецифических и клеток плода), основанного на использовании линейки микроканальных кремниевых матриц в качестве прецизионных размер-селективных фильтров Итоговая конференция по результатам выполнения мероприятий за 2008 год В рамках приоритетного направления «Живые системы» ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы
  12. M.L.Kosinova, V.S.Sulyaeva, Yu.M.Rumyantsev, N.I.Fainer, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov Influence of precursor design to properties of boron carbonitride films Тhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад)
  13. N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, M.L.Kosinova, E.A.Maximovski, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov Hexamethylcyclotrisilazane as single source precursor for Low-k dielectric silicon carbon nitride films Тhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад)
  14. M.L.Kosinova, N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, V.S. Sulyaeva, K.G. Myakishev, V.I. Rakhlin, M.G. Voronkov, V.G. Kesler, V.V. Kirienko, F.A.Kuznetsov Results and prospective of CVD processes with use of complicated elementorganic compounds in preparation of electronic materials Asia -- Pacific Academy of Materials conference and General assembly State of materials research and new trends in material science, Национальная физическая лаборатория, Нью Дели, Индия. 18-20 ноября 2008 (устный доклад)
Приглашенные доклады
  1. A.V.Dvurechenskii GeSi quantum dot structures for nano- and optoeletronics 3rd Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices. Novosibirsk, April 26-28, 2008
  2. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов Физические явления и технологии в основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками для ИК диапазона XII Ежегодный Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" в 2008 году проводится с 10 по 14 марта (Нижний Новгород, 2008)
  3. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov Electronic states in 3D dense array of Ge/Si quantum dots 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008
  4. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов Полупроводниковые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазона Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, ФОТОНИКА 2008 (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 19 - 23 августа 2008г.
  5. A.V.Dvurechenskii Ge/Si quantum dot nanostructures: physics and application Russian-Taiwan Symposium on nano- and optoelectronics. Novosibirsk, 25-27 August, 2008
  6. A.V.Dvurechenskii, A.F.Zinovieva Spin related phenomena in tunnel coupled array of Ge/Si quantum dots "Light and Spin" International Symposium dedicated to the memory of B.Zakharchenya. S-Petersburg, 14-15 of May 2008
  7. А.В.Двуреченский Электронные состояния в наносистемах с плотным массивом квантовых точек Международная зимняя школа по физике полупроводников, 28 февраля - 1 марта 2008, Санкт Петербург
  8. А.В.Двуреченский Физические явления в кремниевых наноструктурах с квантовыми точками 5-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1 -4 июля 2008
  9. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov Silicon based quantum dot nanostructures Fourteenth APAM Conference ILTP Workshop on Nano Science and Technology APAM General Assembly, Delhi, 18-20 of November, India
  10. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev Coulomb Blockade in a Suspended Quantum Dot Российско-тайваньский Cимпозиум "Nanophotonics and Nanoelectronics: Materials and Physics" 25-27 августа 2008 г. Новосибирск
  11. А.Л.Асеев, А.В.Двуреченский, И.Г.Неизвестный Наноэлектроника – одна из составляющих технического прогресса Доклад на сессии Отделения РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям, декабрь 2008
  12. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов Кремниевые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазона Приглашенный доклад на сессии Совета РАН по проблеме «Физико-химические основы материаловедения. ноябрь,2008.
Труды конференций
  1. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. Yakimov Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2008, v. 7005, p. 70052E. (устный)
  2. N.P. Stepina, E.C. Koptev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov The effect of long-range Coulomb interaction on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled Ge/Si quantum dots 16 International simposium “Nanostructures: physics and thechnologies”, 2008, 14-18 July, Vladivostok, Russia, p. 238-239. (устный)
  3. A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, L. V.Kulik, A. S. Lyubin Spin-echo measurements of electrons localized on Ge quantum dots 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008, p. 215–216. (устный)
  4. Ж.В.Смагина, В.А.Зиновьев, А.В.Ненашев, В.А.Армбристер, А.В.Двуреченский Ge-Si наноструктуры, полученные осаждением из ионно-молекулярных пучков Сборник трудов VI Международной конференции "Аморфные и мокрокристаллические полупроводники", 7-9 июля, 2008, Санкт-Петербург, с. 122-123