Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2004

  1. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 60-62.
  2. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.F. Zinov’eva. Ge/Si Quantum Dots in External Electric and Magnetic Fields. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  3. Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский. Самоформирование квантовых точек Ge в гетеро-эпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 91-93.
  4. L.V. Sokolov, A.S. Derjabin, A.I. Yakimov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii. Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on Its Basis. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, № 1, 51-54.
  6. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Физика и техника полупроводников 2004, 38, вып. 10, 1265-1269.
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.V. Chaikovskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, M.S. Seksenbaev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Ge/Si waveguide photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication lines. – Semiconductors 2004, 38, № 10, 1225-1229
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Влияние наноимпульсного лазерного облучения на квантовые точки германия в кремнии. – Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi: серыя физiка-матэматычных навук 2004, 2, 93-96.
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ 2004 80, вып. 5, 367-371.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, G. Mikhalev. The Meyer-Neldel rule in the process of thermal emission and hole capture in the Ge/Si quantum dots. – JETP Letters 2004, 80, № 5, 321-325.
  11. V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Ge dots on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study. Physica E 2004, 23, № 3-4, 320-323.
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology, St. Peterburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 306-307.
  13. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Нанофотоника, Н. Новгород, 2-6 мая 2004, с. 133-136.
  14. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками для элементов наноэлектроники. – В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 67-84.
  15. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 308-336.
  16. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii Spin transport in Ge/Si quantum dot array. Proc. SPIE 2004, Vol. 5401, p. 402-409.
  17. A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii. “Spin relaxation in Ge/Si quantum dots” –Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 21-25, 2004, 332-333.
  18. А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг). Соросовский образовательный журнал 2004, том 8, №1, 1-7.
  19. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. Письма в ЖЭТФ 2004, том 79, вып.7, с.411-415.
  20. A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin and M. D. Efremov. Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy. JETP Letters 2004, Vol. 79, No.7, pp. 333-336.
  21. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, and A.I. Nikiforov, Non-Equilibrium Transport in Arrays of Type-II Ge/Si Quantum Dots, Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, No.1, pp.21-24.
  22. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Modification of growth mode of Ge on Si by pulsed low-energy ion-beam irradiation”. International Journal of Nanoscience 2004, vol.3, No. 1&2, p.19-27
  23. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Ge/Si quantum dot nanostructure grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy”. Surface&Coatings Technology. 2004.
  24. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. “Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками”. Физика низких температур, том 30, вып. 11, 1169-1179 (2004).