Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2003

  1. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2003, 12, № 3, 873-889.
  2. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах. – Известия Академии наук: серия физическая, 2003, 67, вып. 2, 166-169.
  3. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 67, № 12, 125318.
  4. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems, 2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 77, вып. 7, 445-449.
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and A.A. Bloshkin. Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 77, №3, 376-380.
  7. A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. Optical properties of arrays of Ge/Si quantum dots in electric fields. – In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Paversi et al., Kluwer Academic Publishers, Netherland, 2003, 307-314
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения. – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1352-1357.
  9. V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1315-1320.
  10. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388.
  11. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots for the near infrared region. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1345-1349.
  12. А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, М.Н. Тимонова. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, вып. 4, 276-280.
  13. A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, and M.N. Timonova. Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 78, № 4, 241-245.
  14. S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov, A. Yakimov. Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation conditions. – J. Synchrotron Radiation, 2003, 10, № 5, 380-383.
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 68, № 23, 230000.
  16. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots – Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301.
  17. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками – ЖЭТФ, 2003, том 123, вып.2, 362-372.
  18. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Zeeman Effect for Holes in a Ge/Si System with Quantum Dots – JETP, 2003, Vol. 96, No 2, 321-330.
  19. В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. Л. Новиков. Формирование гетероструктур Si/Ge/Si с квантовыми точками – Поверхность, 2003, №10, 22-26.
  20. А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. Фотоусиление сигнала Si переходом, содержащим квантовые точки – Прикладная физика 2003, 2, 69-76.
  21. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, № 9, 1077-1081.
  22. A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, A. P. Kovchavsev, G. L. Kuryshev, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov «Photoconductivity Gain by Si p-n Junction Containing Quantum Dots», Proceedings of SPIE, Eds. A. M. Filachev and A.I. Dirochka, 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Vol. 5126 (2003), 167-177.