ПУБЛИКАЦИИ



2002

  1. А. В. Двуреченский, А. В. Ненашев, А. И. Якимов. Электронная структура квантовых точек Ge/Si // Известия РАН, серия физическая, 2002, т. 66, № 2, с. 156–159.
  2. A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots // Nanotechnology, 2002, v. 13, № 1, pp. 75-80.
  3. A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. V. Nenashev. Many-particle effects in excitonic transitions in type-II Ge/Si quantum dots // Physica E, 2002, v. 13, pp. 1026–1029.
  4. В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.Л. Новиков. Модель перехода от двумерно-слоевого к трёхмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si // Поверхность 2002, №2, c.10-13.
  5. A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinovyev, V. A. Kudryavtsev, Zh. V. Smagina, P. L. Novikov, S.A. Teys. Ion-Beam Assisted Surface Islanding During Ge MBE on Si // Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 1/2, pp.303-314.
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots in silicon for mid-infrared photodetectors // International Journal of High Speed Electronics and Systems, Special Issue on Intersubband Infrared Photodetectors, 2002.
  7. K.-H. Heinig, P.L. Novikov, A.N. Larsen, and A.V. Dvurechenskii. Simulation of ion-irradiation stimulated Ge nanocluster formation in gate oxides containing GeO2 // Nucl. Instr. & Meth in Phys Res. B, 2002, 191 (1-4), p. 462.
  8. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov. Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor // Applied Physics Letters, 2002, v.80, № 25, pp.4783-4785.
  9. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov and S.V. Chaikovskii. Barrier Height and Tunneling Gurrent in Schottky Diodes with Embedded Layers of Quantum Dots // JETP Letters, 2002, v.75, №2, pp.102-106.
  10. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек // Письма в ЖЭТФ, 2002, том 75, вып. 2, с. 113-117.
  11. A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P.Pcheljakov,A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Growth and characterization of CaF2/Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant tunneling diodes operating at room temperature // Applied Physics Letters, 2002, v.81, № 3, pp.449-501.
  12. N.P.Stepina, R.Beyer, A.I. Yakimov, I. Thurzo, A.V. Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, S. Shulze, D.R.T. Zahn. Hole emission and capture in array of self-assembled Ge quantum dots in Si studied by deep-level transient spectroscopy // Phys.Low-Dim.Struct., 2002, v.11, pp.261-270.
  13. А. В. Двуреченский, И. А. Рязанцев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А. И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Фотодиодные свойства p-n переходов Si c квантовыми точками // Автометрия, 2002, т.38, № 4, с.115-125.
  14. A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov. Optical properties of array of Ge/Si quantum dots in electric fields // NATO Science series volume, “Towards the first Silicon laser”, Kluwer Academic Publishers, 2002
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko and A.I.Nikiforov. Hole transport in Ge/Si quantum-dot field-effect transistors// “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2002, p.191-194.
  16. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, , A.I .Nikiforov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov, G.N. Kulipanov. Developing of XAFS method designed for characterization of materials containing nanostructures (Ge/Si systems)// “Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology”, Fifth ISTC SAC Seminar, St. Petersburg, Russia, May 27-29, 2002, p. 277-287