Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2001

  1. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov. Interband absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots, Phys. Rev. B, 2001, v.63, № 4, pp. 45312-45317.
  2. А.В. Двуреченский. Явление импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (<Лазерный отжиг>), Соросовский образовательный журнал, 2001.
  3. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Эффекты взаимодействия в системе Ge/Si с квантовыми точками, Известия Академии наук; серия физическая, 2001, т.65, №2, с. 187-191.
  4. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек, ЖЭТФ, 2001, т.119, вып. 3, стр.574-589.
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Contribution of the Electron-Electron Interaction to the optical Properties of Dense Arrays of Ge/Si Quantum Dots, JETP, 2001, Vol. 92, No.3, pp.500-513.
  6. А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев. Блокирующий контакт р++ - р+ - р в кремниевых ИК-фотоприемниках с проводимостью р-типа, Автометрия, 2001 г., № 3, стр. 55-64.
  7. A.V. Dvurechenskii, A.P. Kovchavtzev, G.L. Kurychev, I.A. Ryazantsev. The Blocking Contact р++ - р+ - р in Silicon IR-photodetectors with p-type conductivity. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing, № 3, pp.45-52.
  8. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Yu.Yu. Proskuryakov. Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector, J. Appl. Phys. 2001, v. 89, № 10, pp. 5676-5681.
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si (001) с квантовыми точками, Письма в ЖЭТФ, 2001, т.73, вып. 10, с. 598-600.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Spatial Separation of Electrons in Ge/Si(001) Heterostructures with Quantum Dots, JETP Letters, 2001, Vol.73, No.10, pp.529-531.
  11. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки 2-го типа, ФТП, 2001, т. 35, вып. 9, с. 1143-1153.
  12. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Type II Ge/Si Quantum Dots, Semiconductors, 2001, Vol.35, No.9, pp.1095-1105.
  13. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина. Эффекты самоорганизации ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, № 5, с. 296-299.
  14. A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev and Zh.V. Smagina. Self-Organization of an Ensemble of Ge Nanoclusters opon Pulsed Irradiation with Low-energy Ions during Heteroepitaxy on Si, JETP Letters, 2001, Vol.74, pp.267-269.
  15. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, A.I. Nikiforov, N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Local structure of self-organized uniform Ge quatum dots on Si (001), Solid State Ionics - Diffusion and Reactions, 2001, Vol.141-142, pp.137-141.
  16. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, N.P. Stepina, A.V. Nenashev. Surface sensitive mode XAFS measurement of local structure of ordered Ge nanoclusters (quantum dots) on Si (001), Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A, 2001, Vol.467-468, pp.1229-1232.
  17. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev, L.N. Mazalov. Microscopic parameters of heterostructures containing nanoclusters and thin layers of Ge in Si matrix, Nucl. Instr. & Meth in Phys. Res. A, 2001, Vol.470/1-2, pp.283-289.
  18. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, УФН, 2001, т.171, №12, стр.7-9.
  19. A.Milekhin, S.Schulze, D.R.T.Zahn, N.Stepina, A.Yakimov, A.Nikiforov. Raman Scattering of Ge Dot superlattices, Appl. Surf. Sci., 2001, Vol.175-176, pp.629-635.
  20. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Spatially indirect excitons in self-assembled Ge/Si quantum dots, Nanotechnology 2001, №12, S1-S6.
  21. Зиновьев В.А., Двуреченский А.В., Новиков П.Л. Модель перехода от двумерно-слоевого к трёхмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si, Поверхность 2002, №2, c.10-13.
  22. A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots, Nanotechnology, 2002, № 13, S1-S6.
  23. A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, S.A. Teys. Ion-Beam Assisted Surface Islanding During Ge MBE on Si, Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 1/2, p.303.