Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ

1997

1. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenckii , N.P.Stepina, L.A.Scherbakova, C.J.Adkins , V.Z.Chorniy, V.A.Dravin and R.Groetzschel. The temperature-induced transition from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-c Mnc. J.Phys.: Condens. Matter 9, p.889-899(1997).
2. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii,C.J.Adkins and V.A.Dravin. The Kondo effect in amorphous Si1-cMnc. J.Phys.: Condens. Matter 9, p.499-506(1997).
3. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский, Л.А.Щербакова. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации в пористом а-Si:H. ЖЭТФ, т.112, вып.3(9), с.926-935(1997).
4. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. “Переход металл-изолятор в аморфном Si1-cMnc, полученном ионной имплантацией”. Письма в ЖЭТФ, т.65, №4, с. 333-337(1997).
5. Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование образования структур пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, т.65, в.5, с.685(1997).
6. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of formation and topologycal analysis of porous silicon-computational modeling.-in “E-MRS Proceedings”, volume 70, Elsevier, Science, 1997, p.406-410. Eds. H.Dreysse et al.