ПУБЛИКАЦИИ



1989

  1. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
  2. A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев. Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
  5. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations). Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
  6. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys. Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
  7. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects and Defects in Solids, 1989, v.111-112, № 1-2, p.91-98.
  8. Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
  9. Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова. Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
  10. L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors, Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v. 35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
  11. L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev. Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
  12. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova. Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid Films, 183 (1989) 345-350.
  13. L.N.Aleksandrov. Crystallization processes and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3 (1989) 203-220.