ПУБЛИКАЦИИ



2004

Публикации в рецензируемых журналах

  1. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. International Journal of Nanoscience, 2004, v.3, N1-2, pp.155-160
  2. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.A. Skuratov, and V.P. Popov. DLTS Stady of Silicon-on-Insulator Structures Irradiated With Electrons or High-Energy Ions. IEEE Trans.Nucl.Sci.2004, vol.51, N3, pp.1257-1261
  3. В.П.Попов, А.Л.Асеев, А.А.Французов, М.А.Ильницкий, Л.Н.Сафронов, О.В.Наумова, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, В.М.Кудряшов, Л.В.Литвин. Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362

Доклады на конференциях

  1. Фомин Б.И., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Демьяненко М.А., Васильева Л.Л., Соловьев А.П. Неохлаждаемые микроболометрические матричные приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx. 18 международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 25-28 мая 2004г., Москва, стр. 22
  2. О.В.Наумова, А.А.Французов, И.В.Антонова, В.П.Попов. Влияние имплантации водорода в кремний на свойства системы Si/SiO2. VII Всероссийскй семинара "Физические и физико–химические основы ионной имплантации Н.Новгород, октябрь, 2004, р.23
  3. Yu.V.Nastaushev, O.V.Naumova, F.N.Dultsev, L.V.Litvin, M.M.Kachanova, D.V.Sheglov, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. Gate dielectric based on TiO2 for SOI nanodevices. Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135
  4. D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, E.E.Rodyakina, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication. 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200
  5. I.V. Antonova, D.V.Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI. Electrochem&Solid State Letters, 2004, v.7, n.3, F21-F23