Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники

ПУБЛИКАЦИИ



2003

Публикации в рецензируемых журналах

  1. О.В.Наумова, И.В.Антонова, В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В.Литвин, А.Л.Асеев. КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации. ФТП, 2003, т.37(10), с.1253-1259
  2. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, and A.L. Aseev. Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p.457-462
  3. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, and A.L. Aseev. Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale Device fabrication. Microelectronic Engineering, 2003, v.69 (Issues 2-4), p.168-172
  4. И.В.Антонова, В.А.Стучинский, О.В.Наумова, Д.В.Николаев, В.П.Попов. Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе. ФТП, 2003, т.37(11), с. 1341-1345
  5. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.P. Popov, V.A. Skuratov. DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p. 547-552

Публикации в трудах и тезисах конференций

  1. Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин В.В. Термочувствительные слои VOx для микроболометрических приемников ИК-излучения. Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.77
  2. Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель технологии, Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.78
  3. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. FET on Ultrathin SOI (Fabrication and Research). Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 323-331 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia)
  4. O.V. Naumova, A.A. Frantsuzov, V.P. Popov. Gamma radiation tolerance of 0.5 μm SOI MOSFETs. Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 332-336 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia) SPIE
  5. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, С.Ф. Девятова, Ф.Н. Дульцев, Д.В. Щеглов, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Приборные структуры в нанометровых слоях кремния на изоляторе. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, c.325
  6. О.В. Наумова, А.А. Французов, И.В. Антонова, В.П. Попов. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов, изготовленных на структурах DeleCut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.327
  7. В.П. Попов, А.А. Французов, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Н.В. Сапожникова, И.В. Антонова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев. КНИ-нанотранзисторы и их свойства. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.341
  8. И.В. Антонова, Й. Стано, О.В. Наумова, Д.В. Николаев, В.А. Скуратов, В.П. Попов. Влияние водорода на спектр состояний на границе сращивания Si/SiO2 структур КНИ, полученных методом BESOI и Dele-Cut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.280
  9. Yu. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, O. Naumova, L. Litvin, V. Popov, A. Aseev. Electron Nanolithography for SOI Nanoelectronic Devices Fabrication and Research. X APAM Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, 2003, June 2-6, Proceedings, pp. 226-227
  10. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Proceedings, 2003, pp.240-241