Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники

ПУБЛИКАЦИИ



2002

Публикации в рецензируемых журналах

  1. И.В.Антонова, Й.Стано, Д.B.Николаев, О.В.Наумова, В.П.Попов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур. ФТП, 2002, т.36, N1, c.65-69
  2. Д.В.Николаев, И.В.Антонова, О.В.Наумова, В.П.Попов, С.А.Смагулова. Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний–на-изоляторе в электрических полях. ФТП, 2002, 36(7), c. 853-857
  3. Y.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.A.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev. 20-nm Resolution of electron litography for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering C, 2002, v.19, p.189-192
  4. В.П.Попов, И.В.Антонова, А.А.Французов, Л.Н.Сафронов, А.И.Попов, О.В.Наумова, А.Х.Антоненко, Д.В.Киланов, И.В.Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом водородного переноса. Микроэлектроника, 2002, т.31, N4, c.274-280

Публикации в трудах и тезисах конференций

  1. I.V. Antonova, D.V. Nicolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation. GADEST, 2002, Solid State Phenomena v.82-84, p. 491-496
  2. V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. GADEST, Solid State Phenomena, 2002,v. 82-84, p.497-502
  3. V.P.Popov, I.E.Tyschenko, L.N.Safronov, O.V.Naumova, I.V.Antonova, A.K.Gutakovskii, A.B.Talochkin. Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen. Thin Solid Films, 2002, v. 403-404, p. 500-504
  4. V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. Solid State Phenomena, 2002, v. 82-84, p. 497-502
  5. V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feafanov, V.A.Kolosanov. Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithogtraphy. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.87-91
  6. V.P.Popov, A.K.Gutakovkii, L.N.Safronov, I.E.Tyschenko, S.K.Zhoravlev, A.B.Talochkin, I.V.Antonova, O.V.Naumova, V.I.Obodnikov, A.Misiuk, J.Bak-Misiuk, J.Domagala, A.Romano-Rodrigues, A.Bachrouri. Defects and their electronic properties in high-pressure-annealed SOI structures sliced by hydrogen. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.269-288
  7. V.P.Popov, O.V.Naumova, I.V.Antonova. Electricаl properties of nanoporous np-Si:H/c-Si heterostructures. Materials of 3th Int. Conf Porous Semicond. Science and Technology, Mar. Tenerife, 2002, P2-37, 331-332
  8. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. Silicon-on-insulator structures for nano-scale devices. NGCM (symposium Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia), Moscow, 2002, c.185