Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур

СОТРУДНИКИ

Васев Андрей Васильевич

научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 333-32-86

356 ЛТК

e-mail:

Окончил Новосибирский Государственный Университет, получил
в 1996 году степень бакалавра физики,
в 1998 году - степень магистра физики по специальности “физика полупроводников”.

В период с 1998 по 2001 год проходил обучение в аспирантуре ИФП СО РАН.

С 2001 года сотрудник ИФП СО РАН на должностях
младшего научного сотрудника (с 2001 по 2010 год),
научного сотрудника (с 2010 по настоящее время).

В 2009 году защитил кандидатскую диссертацию на тему “Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоев при МЛЭ и вакуумном отжиге”.

Область научных интересов:

  • молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV, в том числе короткопериодных напряженных сверхрешеток GaSb/InAs;

  • исследование процессов, протекающих в ходе МЛЭ на ростовой поверхности, методами дифракции быстрых электронов на отражение и оптической эллипсометрии.

Основные публикации:

  1. Chikichev I.S., Vasev A.V., Chikichev S.I. Phase diagram for pseudomorphic SixGe1-x crystals // IEEE, Proceedings of International Conference on Semiconductors, (CAS’97) (7-11 October, Sinaia, Romania) - 1997. - V. 2. - P. 455-458.
  2. Vasev A.V., Chikichev I.S., Chikichev S.I. Surface segregation in pseudomorphic SixGe1-x crystals // IEEE, Proceedings of International Conference on Semiconductors, (CAS’97) (7-11 October, Sinaia, Romania) - 1997. - V. 2. - P. 459-462.
  3. Васев А.В., Чикичев С.И., Швец В.А. Температурная зависимость диэлектрической функции и параметров критических точек в зоне Бриллюэна In0.48Ga0.52P // Автометрия - 1999. - Т. 5. - стр. 25-33.
  4. Vasev A.V., Chikichev S.I. Condensation and sublimation of thin amorphous arsenic films studied by ellipsometry: Proceedings of Fifth International Conference Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (ICSC-03) (22-26 September, 2003, Obninsk, Russia) - P. 285-291.
  5. Vasev A.V., Chikichev S.I. Ellipsometric detection of transitional surface structures on decapped GaAs(001) // Key Eng. Mater. - 2005. - V. 295-296. - P. 45-50.
  6. Vasev A.V., Chikichev S.I., Semyagin B.R. Ellipsometric detection of transitional surface structures on decapped GaAs // Surf. Sci. - 2005. - V. 588. - P. 149-159.
  7. Vasev A.V. Ellipsometric detection of GaAs(001) surface hydrogenation in H2 atmosphere // Surf. Sci. - 2008. - V. 602. - P. 1933-1937.
  8. Путято М.А., Семягин Б.Р., Васев А.В., Преображенский В.В. Встраивание мышьяка в кристалл GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии // Изв. Вузов. Физика - 2008. - Т. 9/3. - стр. 23-28.
  9. Васев А.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. Исследование сверхструктурного перехода (2×4)-(3×1(6)) на поверхности GaAs(001) методом ДБЭО // Изв. Вузов. Физика - 2008. - Т. 9/3. - стр. 34-39.
  10. Васев А.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Селезнев В.А., Преображенский В.В. Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге // Изв. Вузов. Физика - 2008. - Т. 9. - стр. 5-13.
  11. Emelyanov E.A., Putyato M.A., Semyagin B.R., Vasilenko A.P., Feklin D.F., Vasev A.V., Preobrazhenskii V.V. Effect of As2 and As4 fluxes on the morphology of GaSb(001) surface during growth of GaSb/InAs heterojunction by MBE: Proceedings of XII International Conference and Seminar EDM’2011 (30 June – 4 July, 2011, Erlagol, Russia) - P. 37-40.
  12. Емельянов Е.А., Феклин Д.Ф., Васев А.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Василенко А.П., Пчеляков О.П., Преображенский В.В. Формирование напряженных короткопериодных сверхрешеток InAs/GaSb второго типа для фотоприемников ИК-диапазона методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия - 2011. - V. 47. - P. 43-51.