Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур

СОТРУДНИКИ

Феклин Дмитрий Федорович

инженер-технолог 1 категории, к.ф.-м.н.

тел. 333-19-67, вн. 1604

201, 221 ЛТК

e-mail:

Область научных интересов:

  • молекулярно-лучевая эпитаксия,

  • полупроводниковые соединения AIIIBV,

  • дифракция быстрых электронов,

  • гетероструктуры,

  • источники молекулярных пучков.

Образование: высшее.

В 2001 г. Окончил Новосибирский Государственный Технический Университет по специальности «физическая электроника».

Трудовая деятельность:

  • 1998 – 2001 – техник, «ИФП СОРАН», г. Новосибирск.

  • 2001 – 2003 – инженер-технолог 2 категории, «ИФП СОРАН», г. Новосибирск.

  • 2003 – н/в – инженер-технолог 1 категории, «ИФП СОРАН», г. Новосибирск.

Основное место работы: ИФП, лаб. 17.

Избранные публикации:

С 2001 по 2014 г. опубликовано научных статей в отечественных и международных журналах. Среди опубликованных:

  1. Феклин Д. Ф. Преображенский В.В. Семягин Б. Р. Путято М. А. Болховитянов Ю. Б. Пчеляков О. П. «Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфоросодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP», тезисы докладов VI Российской конфеции «Арсенид Галлия и Полупроводниковые Соединения Группы III – V» Росийской конференции по физике полупроводников, Томск 1999.
  2. Феклин Д. Ф. Преображенский В.В. Семягин Б. Р. Путято М. А. Пчеляков О. П. «Фазовая диаграмма поверхности (001) InP и (001)GaP при молекулярно-лучевой эпитаксии», тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород 2001.
  3. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Феклин, Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. - Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" GaAs-2002, Томск, 1-4 октября 2002 г., материалы конференции стр. 169-170.
  4. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Феклин, Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений AIIIBV методом молекулярно-лучевой эпитаксии. - Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" GaAs-2002, Томск, 1-4 октября 2002 г., материалы конференции стр. 223-225.
  5. M.A. Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakousky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R. Semyagin and K.D. Chtcherbatchev- InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth. – Semicond. Sci. Technol., V. 18, 2003, pp. 417-422.
  6. Путято М.А., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Феклин Д.Ф. Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2(P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP. - Международная конференция "Современные проблемы физики и высокие технологии, г. Томск, 29 сентября – 4 октября 2003 г. с. 147-148.
  7. M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, D.F. Fёklin, N.A. Pakhanov, E.A. Emelianov, S.I. Chikiche - A valved cracking phosphorus beam source using InP thermal decomposition and its application to MBE growth. - Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 055014 (6pp).
  8. Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, «Формирование методом МЛЭ напряженных короткопериодных сверхрешеток InAs/GaSb II-типа для фотоприемников ИК диапазона» - «Автометрия» 2011, Т. 47, № 5 – стр. 43 -51.