ДОКЛАДЫ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ
2009
приглашённые
- Вайнер Б.Г. Коротковолновое спектрально-узкополосное матричное тепловидение – новое направление в экспериментальной физике. В кн.: Десятая международная конференция-семинар по микро/нанотехнологиям и электронным приборам, EDM 2009, Новосибирский государственный технический университет, ЗСОК Эрлагол, Алтай, 1–6 июля, 2009. – Сборник трудов. – IEEE, Новосибирск, 2009. – С. 146–152.
- Vainer B.G. Infrared thermography and spectrometry realized by the use of indium arsenide multielement CID photodetectors. – In: 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystems Technologies, INTERNANO 2009, Novosibirsk, Russia – October 28–31, 2009. – Proceedings. – IEEE, Novosibirsk, 2009. – P. 34–36.
- Г.Л. Курышев. Физико-технологические принципы создания многоэлементных МДП ИК-фотоприемников на InSb и InAs, ДЕСЯТАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ-СЕМИНАР ПО МИКРО/НАНОТЕХНОЛОГИЯМ И ЭЛЕКТРОННЫМ ПРИБОРАМ, Эрлагол, 1-6 июля 2009, сборник трудов с. 29-31 (IEEE Catalog No. CFP09500-PRT).
- Г.Л. Курышев. Оптоэлектронные приборы на основе МДП-структур InSb, InAs. Конструктивные особенности, параметры и применение. ДЕСЯТАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ-СЕМИНАР ПО МИКРО/НАНОТЕХНОЛОГИЯМ И ЭЛЕКТРОННЫМ ПРИБОРАМ Эрлагол, 1-6 июля 2009, сборник трудов с. 325-328,(IEEE Catalog No. CFP09500-PRT).
- Г.Л. Курышев. Тепловизионная Микроскопия. Применение для Диагностики Микроэлектронных Приборов In: 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystems Technologies, INTERNANO 2009, Novosibirsk, Russia – October 28–31, 2009. – Proceedings. – IEEE, Novosibirsk, 2009. – P. 44–46.
- Косинова М.Л., Файнер Н.И., Румянцев Ю.М., Аюпов Б.М., Алферова Н.И., Гевко П.Н., Кеслер В.Г., Кириенко В.В., Максимовский Е.А., Мякишев К.Г., Суляева В.С., Юшина И.В., Кузнецов Ф.А. Карбонитриды бора и кремния - новые материалы для приборов наноэлектроники. VI международная конференция и V школа молодых учёных и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний-2009", Новосибирск, 7-10 июля 2009 г. Тезисы конференции, стр. 122.
- Leonid Braginsky and Valery Shklover. Radiative heat transport in porous materials, High-Temperature Photonic Structures, Eds. R. Biswas, V. Shklover, S.-Y. Lin, E. Johnson. (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 1162E, Warrendale, PA, 2009), paper number 1162-J03-05.
устные и стендовые
- Valeriy G. Kesler, Andrei V. Gorbunov. Investigation of Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers in InAs. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. pp. 17-19. (устный)
- Fedor N.Dultsev, Valeriy G.Kesler. XPS Investigation of InAs Etching in Planar Inductively Coupled Plasma. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. pp. 101-103. (устный)
- N.I. Fainer, Yu.M. Rumyantsev, V.G. Kesler, E.A. Maximovski, F.A. Kuznetsov. Synthesis and thermal stability of nanocomposite SiCxNy:H films from cycle siliconorganic precursor. EUROCVD-17, Вена, 2009. Meet. Abstr. - Electrochem. Soc. 902 2607 (2009) (стендовый)
- В.Г. Кеслер, В.А. Селезнёв, А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев. Исследование поверхности InAs(111)A после химической обработки в растворе HCl-изопропиловый спирт и отжигов в вакууме методами РФЭС и АСМ. IX Российская крнференция по физике полупроводников, 28 сентября – 3 октября 2009 г., Новосибирск-Томск, Россия. Тезисы докладов, стр. 335 (стендовый).
- V.G. Kesler, A.P. Kovchavzev, A.A. Guzev, Z.V. Panova. The chemical composition and electro-physical parameters of tunnel thin oxide films, grown by oxidation of indium arsenide in glow discharge plasma. Russian-Japanese Workshop (review conference) “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 76 (стендовый)
- А. Лямкина, В.Г. Кеслер, С.П. Мощенко. Исследование смачивающего слоя в системе квантовых точек InAs, выращенных капельной эпитаксией на поверхности (001)GaAs, методами АСМ и Оже-спектроскопии. X Всеросс. молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), 9-15 ноября 2009, Екатеринбург. (устный)
- В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературный химический синтез, морфология и электронная структура микрокристаллов K3WO3F3. Труды международного минералогического семинара «Минералогическая интервенция в микро- и наномир», 9-11 июня 2009г, Сыктывкар, Россия. c. 427-428 (стендовый)
- Т.А. Гаврилова, В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературный синтез, морфология, структурные и электронные параметры микрокристаллов K3WO3F3. Труды XII Межрегиональной конференции молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, 17-20 июня 2009, Владивосток, Россия. стр. 214-216 (стендовый)
- V.V. Atuchin and V.G. Kesler. Top surface properties of nonlinear optical borates. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. p. 83-85 (устный)
- V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, V.G. Kesler, M.S. Molokeev and K.S. Alexandrov. Electronic parameters of K3WO3F3 and W-O bonding. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. p. 92-95 (устный)
- В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Электронные параметры K3WO3F3. Труды VIII региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», 10-12 сентября 2009г, Благовещенск, Россия. с. 62-65 (стендовый)
- Б.И. Кидяров, В.В. Атучин, И.Б. Троицкая, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературная модификация микрокристаллов K3WO3F3: синтез, морфология, структурные и электронные параметры. Материалы 7 Всероссийской конференции-школы «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)», 28 сентября – 2 октября 2009г, Воронеж, Россия. c. 175-177 (стендовый)
- V.V. Atuchin, V.G. Kesler, T.A. Gavrilova, M.S. Molokeev and K.S. Alexandrov. Chemical synthesis, crystal structure and electronic parameters of noncentrosymmetric K3WO3F3. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 213-215 (стендовый)
- V.V. Atuchin and V.G. Kesler. Electronic parameters of RbTiOPO4 crystal. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 232-234 (стендовый)
- V.V. Atuchin, V.G. Kesler and N.V. Pervukhina. Structural and photoemission parameters of anhydrous niobates and Nb-O chemical bonding. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 235-237 (стендовый)
- В.В. Атучин, Л.И. Исаенко, В.Г. Кеслер, А.Ю. Тарасова. Рост и химическая стабильность RbPb2Br5. XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, стр.331 (стендовый)
- В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров, Синтез и электронная структура K3WO3F3 . XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, стр.335 (стендовый)
- V.V. Atuchin, V.G. Kesler, O.V. Parasyuk. Core level photoemission spectroscopy of AgCd2GaS4 and Ga-S chemical bonding. XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, p. 343 (стендовый)
- М.С. Молокеев, В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, К.С. Александров. Химический синтез и электронная структура K3WO3F3. II Научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники», 26-29 мая 2009, Пенза, Россия, С2-7 (устный)
- А.Ю. Тарасова, В.В. Атучин, Л.И. Исаенко, В.Г. Кеслер, Рост и электронная структура RbPb2Br5. II Научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники», 26-29 мая 2009, Пенза, Россия, С5-7 (устный)
- V.V. Atuchin, M.S. Molokeev, V.G. Kesler, T.A. Gavrilova, K.S. Alexandrov. Chemical synthesis, crystal structure and electronic parameters of noncentrosymmetric crystal K3WO3F3. Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 50 (стендовый)
- V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, A.Yu. Tarasova. Single crystal growth and electronic structure of RbPb2Br5. Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 51 (стендовый)
- V.V. Atuchin, Z.S. Lin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler and S.I. Lobanov. Electronic structure and optical properties of lithium thiogallate, LiGaS2. IX International Conference “Atomic and Molecular Pulsed Lasers”, September 14-18, 2009, Tomsk, Russia, G-9, p.102-103 (устный)
- Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Elastic energy relaxation in InAs heteroepitaxy on GaAs(001). Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 53. (устный)
- Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Cracks under elastic strain in droplet grown indium arsenide on (001)GaAs substrate. Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 107.
- Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Two-stage nucleation of indium drops on GaAs(001) substrate. Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 106.
- A.A. Lyamkina, Yu.G. Galitsyn, D.V. Dmitriev, V.A. Haisler, S.P. Moshchenko and A.I. Toropov. Droplet to Stranski-Krastanov growth mode transition in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Proceedings of 17th international symposium Nanostructures: Physics and technology, Minsk, Belorussia, June 22-26, 2009, p. 144.
- A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Two-stage nucleation of indium drops on GaAs(001) substrate. Proceedings of 17th international symposium Nanostructures: Physics and technology, Minsk, Belorussia, June 22-26, 2009, p. 153.
- А.А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Двухстадийная нуклеация капель индия на поверхности (001) арсенида галлия. International workshops and tutorial on electron device and materials EDM 2009, с. 44-46.
- А.А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Кинетика формирования квантовых точек арсенида индия на поверхности (001) арсенида галлия. International workshops and tutorial on electron device and materials EDM 2009, с. 40-43. (устный)
- Ю.Г. Галицын, А.А. Лямкина, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Статистическое рассмотрение образования ансамбля квантовых точек InAs на (001)GaAs. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, 28 сентября-3 октября 2009 г., Новосибирск-Томск, с. 56.
- A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Bimodal distribution of drops and holes in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Proceedings of International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technology 28-31 october 2009, Novosibirsk, Russia, p. 18-20.
- A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Elastic stain driven change of growth mode in indium arsenide heteroepitaxy on (001) GaAs. Proceedings of International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technology 28-31 october 2009, Novosibirsk, Russia, p. 18-20.
- А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Двумерный фазовый переход в гомоэпитаксии арсенида галлия на поверхности beta-(2x4) (001). X Всеросс. молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), 9-15 ноября 2009, Екатеринбург. (устный)
- A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Droplet to Stranski-Krastanov growth mode transition in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Abstracts of 2009 Collaborative Conference on Interacting Nanostructures (CCIN09), November 9-13, 2009, San Diego, California, p. 23.
- Ю.И. Михайлов, Ю.Г. Галицын, В.В. Болдырев. Радиационная и фотохимическая стойкость гидридов металлов. Тезисы докладов 14 международного конгресса по радиационной химии и физике неорганических материалов, 6-10 октября 2009, Астана, Казахстан.
- N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev, «Composition and morphology of fluorinated anodic oxides on InAs(111)A surface», Abstract of 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12). July, 5-10, 2009. Weimar, Germany, p. 40 (устный)
- N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodiakina, A.P. Kovchavcev. «Passivation of InAs(111)A by fluorinated anodic oxide», Book of abstracts of the VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP’2009), p. 40. Zakopane, Poland 2009. (устный)
- Левцова Т.А., Коковкин В.В., Валишева Н.А. «Особенности анодного окисления арсенида индия в аммиачно-гликолевом электролите, «Тезисы докладов четвертой всероссийской конференции (с международным участием) "Химия поверхности и нанотехнология", Санкт-Петербург-Хилово, 28 сентября-4 октября 2009г., с. 129-130. (устный)
- Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Левцова Т.А., Бухтияров В.И. «Исследование состава поверхности InAs(111)A пассивированной анодным окислом», 1-я Всероссийская научная конференция “Методы исследования состава и структуры функциональных материалов” МИССФМ-2009, Новосибирск, 11-16 октября 2009 года. Тезисы докладов, с. 184. (стендовый)
- В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов. Универсальное линейчатое фотоприемное устройство на основе InAs МДП структур для систем теплопеленгации. Тезисы доклада на IX Российскую конференцию по физике полупроводников, Новосибирск-Томск, 28 сентября - 3 октября 2009 г., стр. 326. (стендовый)
- Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин. Расчет и оптимизация спектральных характеристик многослойных тонкопленочных структур в составе ФПУ. IX Всероссийская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов Новосибирск-Томск, 28сентября - 3 октября 2009г, стр. 325 (стендовый)
- Г.Л. Курышев, А.Е. Настовьяк, В.Г. Половинкин. Модель релаксации неравновесного обеднения в МДП фотоприёмниках, Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы, стр. 331. (стендовый)
- A.A. Guzev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, Z.V. Panova, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev. MIS-like behavior of II-VI heterojunctions grown by MBE. 14th International Conference on II-VI Compounds, Program and Abstracts, St. Petersburg, Russia, August 24-28, 2009, P. 89. (устный)
- В.Г. Ерков, С.Ф. Девятова, Л.А. Семёнова, Н.А. Чернов. «Поиск путей улучшения свойств слоёв LP CVD SiO2 за счет уменьшения вклада гомогенной составляющей реакции окисления моносилана». 9 Международная конференция “Пленки и покрытия - 2009”, 26-29 мая 2009 г. Санкт-Петербург, Россия, стр. 185-187. (устный)
- В.Г. Ерков, С.Ф. Девятова. «Исследование возможностей управления разными стадиями пиролиза силана при получении плёнок поликристаллического кремния». 9 Международная конференция “Пленки и покрытия - 2009”, 26-29 мая 2009, г.Санкт-Петербург, Россия, стр. 182-184. (устный)
- N.A. Chernov, S.F. Devyatova, V.G. Erkov. Search of Resource to Control Properties LP CVD SiO2 Layers With Monosilane Oxidation. 10-ая международная конференция-семинар по микро/нанотехнологиям и электронным приборам EDM’2009. 1-6 июля 2009, Эрлагол, р. 96-99. (устный)
- S.F. Devyatova, O.I. Semenova, N.A. Valisheva. Chemical process for fabrication micromechanical infrared detectors. Eleventh Annual Conference YUCOMAT Herceg Novi, August 31 – September 4, p. 15. (устный)
- N.A. Chernov, S.F. Devyatova, V.G. Erkov. Correlations Between Mode of Deposition and Electrophysical Properties LP CVD SiO2 Films. Fourth Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices. 15-16 June 2009, Novosibirsk p. 37. (стендовый)
- N.A. Chernov, L.A. Semenova, S.F. Devyatova. «The Route of Improving Properties of Low Temperature Silicon Dioxide Films». Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”. 1-6 August 2009, Novosibirsk. p. 65. (стендовый)
- S.F. Devyatova, V.G. Erkov. “The change of monosilane pyrolysis mechanism by propylene and hydrogen addition» Russian-Japanese Workshop“. «State of Materials Research and New Trends in Material Science”. 1-6 August 2009, Novosibirsk. p. 66. (стендовый)
- Leonid Braginsky, Valery Shklover, Matthew Mishrikey, and Christian Hafner. High-Temperature Fiber Matrix Composites for Reduction of Radiation Heat Transfer, High-Temperature Photonic Structures, Eds. R. Biswas, V. Shklover, S.-Y. Lin, E. Johnson. (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 1162E, Warrendale, PA, 2009), paper number 1162-J03-05.