Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

ПУБЛИКАЦИИ



2002

  1. А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Фотодиодные свойства p-n переходов Si с квантовыми точками. Автометрия, 2002, № 38, с. 115-126.