ПУБЛИКАЦИИ



2001

  1. A.V. Dvurechenskii, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kurishev, I.A. Ryazantzev. The blocking p++-p+-p contact in silicon IR photodetectors with p-type conductivity. Optoelectronics instrumentation and data processing, 2001, № 3, р. 45-49.
  2. Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Базовкин В.М., Гузев А.А., Ли И.И., Валишева Н.А. и др. Коллективная монография. "Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона", Новосибирск, Наука, 2001, с. 10 - 108.
  3. Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. Электронные свойства структур металл - диэлектрик-полупроводник на основе InAs. ФТП, 2001, т. 35, № 9, с. 1111-1118.