ПАТЕНТЫ

  1. И.И. Ли. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников. Положительное решение 06.06.2012 г. по заявке на изобретение № 201112553/037696.

  2. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, Н.Р. Вицина. Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на базе МДП-структур полупроводниковых соединений. Патент № RU 2441299, БИ № 3 от 27.01.2012.

  3. Кеслер В.Г., Ковчавцев А.П., Гузев А.А., Панова З.В. Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 и способ её формирования. // Российский патент RU 2420828 C1. Опубликован 10.06.2010 Бюл. № 16.

  4. Ефимов В.М. Индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2411610, 10.02.2011

  5. Ефимов В.М. Наклоняюще-качающее устройство для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла. Патент на изобретение №2411179, 10.02.2011.

  6. Ефимов В.М. Индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2411610, 10.02.2011.

  7. Ефимов В.М. Наклоняюще-качающее устройство для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла. Патент на изобретение №2411179, 10.02.2011.

  8. Ли И.И. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников. Заявка на изобретение № 201112553/037696 от 21.06.2011 г.

  9. Д.Д. Карнаушенко, Д.Д. Карнаушенко, И.И. Ли, В.Г. Половинкин. Многоконтактное гибридное соединение. Патент №2383966, пр.от 27.10.2008. Зарегистирован 10.03.2010 г.

  10. Ефимов В.М. Гибридная структура для детектора инфракрасного излучения. Патент на изобретение №2397573, 20.08.2010.

  11. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, Н.Р.Вицина, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения. Патент № 2392690. Бюллетень изобретений №17 от 20.06.2010. Приоритет от 26.05.2009.

  12. Ефимов В.М. Укрепляющий элемент для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2402104, 20.10.2010.

  13. Карнаушенко Д.Д., Карнаушенко Д.Д., Ли И.И. Многоконтактное гибридное соединение. Патент РФ №2363072, пр. от 18.02.2008 г. Зар. 27.07.2009 г.

  14. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания для фотоприемников. Патент РФ, №2357323. Зар. 27.05.2009 г., пр. от 4.12. 2007. Бюл. №15.

  15. Левцова Т.А., Валишева Н.А., Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П. "Способ изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников". Патент № 2367055, изобретение зарегистрировано 10.09.2009г., опубликовано 10.09.2009г., бюл. № 25.

  16. Левцова Т.А., Валишева Н.А., Вицина Н.Р., Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П. "Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур". Патент № 2354007, изобретение зарегистрировано 27.04.2009г., опубликовано 27.04.2009г., бюл. № 12.

  17. Валишева Н.А., Девятова С.Ф. «Способ формирования висящих конструкций». Патент № 2367591, изобретение зарегистрировано 20.09.2009г., опубликовано 20.09.2009г., бюл. № 26.

  18. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения. Заявка № 2009119989/28(027561) от 26.05.2009г.

  19. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Девятова С.Ф., Попов В.П. Способ изготовления наносенсора Патент РФ № 2359359 от 20.06.2009 (по заявке РФ №2007142264 от 11.2007).