ЛАБОРАТОРИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Овсюк Виктор Николаевич

главный научный сотрудник
доктор физ.-мат наук

тел. (383) 330-68-58

e-mail:

Кабинет 413, Термокорпус ИФП

Дата и место рождения
6 ноября 1937 г., г. Шепетовка Хмельницкой области.

Область исследований
  • Физика электронных явлений на поверхности и гетерофазных границах раздела полупроводников, в диэлектрических слоях, в приборах микро- и оптоэлектроники,
  • Квантовые явления в низкоразмерных электронных системах и в многослойных структурах с квантовыми ямами,
  • Физика и технология многоэлементных приемников излучения ИК диапазона на основе эпитаксиальных слоев КРТ, многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и неохлаждаемых микроболометрических матриц.

Образование
Диплом физика, Ленинградский госуниверситет – 1959 г.
Ученая степень кандидата физико-математических наук – 1972 г.
Ученая степень доктора физико-математических наук – 1984 г.
Ученое звание профессора по физике полупроводников и диэлектриков – 1993 г.

Карьера
1954–1959 — студент Ленинградского госуниверситета,
1959–1961 — старший инженер организации а/я 233,
1961–1962 — научный сотрудник Ленинградского госуниверситета,
1962–1983 — руководитель научно-исследовательской группы в Институте физики полупроводников (ИФП СО РАН), г. Новосибирск,
1984–2004 — заведующий Лабораторией кинетических явлений в полупроводниках,
1987–2007 — заведующий Отделом физики и техники полупроводниковых приборов ИФП СО РАН,
1990–1996 — заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН,
1996–2001 — директор Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники (КТИ ПМ СО РАН), г. Новосибирск,
2001–2007 — заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН,
2007 – по настоящее время — главный научный сотрудник ИФП СО РАН.

Премии
2002 — Лауреат государственной премии РФ в области науки и техники 2002 года за работу «Электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел» (в составе авторского коллектива: Акципетров О.А., Аристов В.Ю., Ионов А.М., Кашкаров П.К., Лифшиц В.Г., Овсюк В.Н., Панов В.И.)

Почетные звания:
2007 — Заслуженный деятель науки и техники РФ

Педагогическая деятельность
  • Многолетнее руководство студенческими дипломными работами.
  • В течение четырех лет читал спецкурсы по физике тонких пленок и структур металл-диэлектрик-полупроводник (НГУ), прочитал двухлетний курс по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (НЭТИ), по всем прочитанным курсам издал учебные пособия. В течение двух лет был заместителем декана физического факультета НГУ.
  • Под руководством Овсюка В.Н. защищено шесть кандидатских диссертаций.

Публикации
250 научных публикаций, в том числе 5 монографий, 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения.

Список монографий
  1. Фотоника. Словарь терминов. // Ковалевская Т. Е., Овсюк В.Н., Белоконев В.М., Дегтярев Е.В. Под ред. В.Н. Овсюка. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004, 342 С.
  2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. // В.Н.Овсюк, Ковалевская Т. Е., Г.Л. Курышев, Базовкин В.М. и др. Коллективная монография. Новосибирск: Наука, 2001, 375 С.
  3. А. Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Новосибирск: Изд-во Новосибирского гос. университета, 2000, 448 С.
  4. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984, 253 С.
  5. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Ковалевская Т.Е., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. и др. Коллективная монография под ред. А.В. Ржанова, М.: Наука, 1976.
Избраннные статьи
  1. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Оптимизация параметров системы «ИК - фоточувствительный элемент на основе многослойных структур с квантовыми ямами – кремниевый мультиплексор фотосигналов. – Оптический журнал, 2017, Т. 84, № 9, с. 59-65.
  2. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Аналитическое сравнение характеристик фотоприемников инфракраного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фотодетекторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. – Оптический журнал, 2016, Т. 83, № 9, С. 64-71.
  3. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Неохлаждаемые матричные микроболометрические приемники инфракрасного диапазона. – Вестник Научного центра по безопасноти работ в угольной промышленности, 2016, . 2, С. 130-135.
  4. Демьяненко М. А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н. О мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемниках инфракрасного и терагерцового диапазонов. - Автометрия, 2016, Т. 52, № 2, С. 115-123.
  5. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Создание аналого-цифровых кремниевых мультиплексоров сигналов фотопримеников инфракрасного диапазона. – Автометрия, 2016, Т. 52, № 6, С. 120-127.
  6. Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Есаев Д.Г. От электронных процессов на поверхности полупроводников к инфракрасным матричным приёмникам. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН (1964-2014), Новосибирск, изд. «Параллель», С. 126-146, 2014.
  7. F.F. Sizov, V.N. Ovsyuk, V.V. Vasil"ev, T.I. Zakhar'yash, A.O. Suslyakov, N.H. Talipov, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Y.P. Derkach, V.V. Zabudsky, and S.V. Korinets. 4x288 linear array with hybrid ROIC (CCD + CMOS). – Proceedings SPIE, 2005, Vol. 5726, pp. 132-139.
  8. В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, А.Л.Асеев. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. – Оптический журнал, 2005, т.72, №6, с.63-69.
  9. Козлов А. И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК диапазона. – Автометрия, 2005, Т. 41, № 3, С. 88–99.
  10. V.N.Ovsyuk, V.V.Shashkin, M.A.Demyanenko, B.I.Fomin, L.L.Vasilyeva, A.P.Soloviev. Uncooled microbolometer IR FPA on sol-gel VOx. – Proceedings of SPIE, 2004, vol. 5834, p. 47–54.
  11. V. V. Vasilyev, A.G. Klimenko, I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, N.Ch. Talipov, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, V.P. Reva, F.F. Sizov, V.V. Zabudsky. MCT heteroepitaxial 4x288 FPA. – Infrared Phys. and Technology, 2004, 44, p. 13 – 23.
  12. Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника. – Прикладная физика, 2004, № 5, С. 115–121.
  13. Yu.P.Derkach, S.A.Dvoretski, A.G.Golenkov, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, I.V. Marchishin, V.N.Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky. “The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base”. – Proceedings SPIE, 2003, vol. 5126, p.98-104.
  14. Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники 128х128 на основе слоев HgCdTe и многослойных структур с квантовыми ямами. – Физика и техника полупроводников, 2001, Т. 35, Вып. 9, С. 1159–1165.
  15. Demyanenko M.A., Marchishin I.V., Klimenko A.G., Kozlov A.I., Savchenko A.P., Toropov A.I., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V. 128x128 IR FPA based on GaAs/AlGaAs MQW. – Proceedings SPIE, 2000, Vol. 4340, P. 27–30.
  16. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Yakushev M.V., Varavin V.S., Vasilyev V.V., Suslyakov A.O. MCT heterostructure design and growth by MBE for IR devices. – Proceedings SPIE, 2000, Vol. 4340, P. 232–239.
  17. Sizov F.F., Ovsyuk V.N., Vasilyev V.V., Esaev D.G., Sidorov Yu.G., Reva V.P., Golenkov A.G., Derkach Yu.P. Properties of 2x64 linear HgCdTe molecular beam epitaxy long wavelength infrared arrays with charge coupled devicies silicon readouts. – Sensors and Materials, 2000, Vol. 12, No. 7, P. 435–444.
  18. Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Талипов Н.Х., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. Фотоприемный модуль для тепловизора. – Автометрия, 1998, № 4, С. 43–46.
  19. Демьяненко М.А., Копп О.Р., Курышев Г.Л., Ли И.И., Овсюк В.Н., Половинкин В.Г., Савченко А.П., Субботин И.М., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричный ИК-фотоприемный модуль на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. – Автометрия, 1998, № 4, С. 35-42.
  20. Bobylev B.A., Kovalevskaja T.E., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N. Capacitance-voltage profiling of multiquantum well structures. – Solid-State Electronics, 1997, V. 41, № 3, P. 481-486.
  21. Овсюк В.Н., Васильев В.В., Захарьяш Т.И. и др. Планарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. – Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, № 2, С. 193-198.
  22. Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое полупроводника. – Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, № 10, С. 1739-1744.
  23. Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Крымский А.И., Марчишин И.В., Недосекина Т.Н., Овсюк В.Н., Ромашко Л.Н., Свиташев К.К., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Тишковская Л.В. Фокальные матрицы 2 х 64 для спектрального диапазона 8 – 12 мкм на объемных кристаллах CdHgTe. – Автометрия, 1996, № 4, С. 32–39.
  24. Ovsyuk V.N., Svitashev K.K., Shashkin V.V., Toropov A.I., Moshegov N.T. Quantum well infrared detectors. Photocurrent spectroscopy and volt-ampere characteristics. – Proceedings SPIE, 1993, Vol. 2021, P. 171–178.
  25. Ovsyuk V.N., Svitashev K.K. Selective photodetectors: A view from Russia. – Optical Engineering, 1992, Vol. 31, No. 4, P. 685–688.
  26. Бакланов М.Р., Демьяненко М.А., Мошегов Н.Т., Копп О.Р., Овсюк В.Н., Свиташев К.К., Торопов А.И., Шашкин В.В. Фотоприемные элементы ИК диапазона на основе многослойных квантовых ям GaAs – AlGaAs. – Оптический журнал, 1992, № 12, С. 45–49.
  27. Бобылев Б.А., Овсюк В.Н., Севастьянов С.Б., Усик В.И. Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках. – Физика и техника полупроводников, 1989, Т. 23, № 11б С. 1932-1937.
  28. Marchishin I.V., Ovsyuk V.N., Sevastianov S.B. Deep Level Profiling Using an Admittance Spectroscopy Methods. – Phys. Stat. Sol. (a), 1988, V. 106, P. 153-166.
  29. Волков С.А., Кольцов Б.Б., Луценко Г.Н., Овсюк В.Н. Метод интегральных динамических вольт- амперных характеристик (ИДВАХ) в исследованиях ионной нестабильности МДП- структур. – Микроэлектроника, 1987, Т. 16, № 3, С. 254–258.
  30. Волков С.А., Кольцов Б.Б., Овсюк В.Н. Логарифмическая кинетика накопления ионного заряда в диэлектрических слоях SiO2. – Микроэлектроника, 1987, Т. 16, № 3, С. 259–263.
  31. Герасимов Н.П., Козырев С.В., Овсюк В.Н., Потапов С.В., Славинская Н.С., Черемных П.А., Шмарцев Ю.В. О квантовом эффекте Холла в кремниевых МДП структурах. – Физика и техника полупроводников, 1984, Т. 18, № 2, С. 365-367.
  32. Gusev G.M., Kvon Z.D., Neizvestny I.G., Ovsyuk V.N. Logarithmic corrections to the conductivity of two dimensional hole gas. – Surface Sci., 1984, Vol. 142, P. 73–76.
  33. Настаушев Ю.В., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. Аномальная термополевая генерация поверхностного заряда в германиевых МДП-структурах. – Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, № 11, С. 116-121.
  34. Gusev G.M., Kvon Z.D., Ovsyuk V.N. Spin relaxation time in a two-dimensional hole gas. – J. Phys. C: Sol.Stat.Phys., 1984, Vol. 17, P. L683–L688.
  35. Овсюк В.Н. Фоточувствительность гетеропереходов при разрывах краев зон на их границах раздела. – Физика и техника полупроводников, 1982, Т. 16, № 6, С. 1037-1045.
  36. Овсюк В.Н. Продольная диффузия неравновесных носителей заряда в тонких образцах полупроводников. – Физика и техника полупроводников, 1982, Т. 16, № 12, С. 2146-2151.
  37. Настаушев Ю.В., Овсюк В.Н. Генерация носителей заряда в полупроводнике через «приповерхностные» состояния. – Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 12, С. 34-39.
  38. Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н., Паханов Н.А. Осциллирующая поверхностная фотоЭДС на горячих электронах. – Письма в ЖЭТФ, 1981, Т. 34, № 3, С. 129-132.
  39. Волков С.А., Овсюк В.Н. О механизмах проводимости нитрида кремния в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. – Микроэлектроника, 1981, Т. 10, № 3, С. 227–234.
  40. Овсюк В.Н. Теория дифференциальной проводимости гетероперехода при наличии электронных состояний на границе раздела. – Физика и техника полупроводников, 1980, Т. 14, № 2, С. 217-225.
  41. Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ягунова Г.А. Анизотропия переноса носителей заряда в инверсионных каналах на высокоиндексных поверхностях кремния. Письма в ЖЭТФ, 1980, Т. 32, № 5, С. 370–373.
  42. Овсюк В.Н. Влияние приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость полупроводников. – Физика и техника полупроводников, 1979, Т. 13, № 6, С. 1057-1064.
  43. Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. Германиевый МДП-транзистор при криогенных температурах. – Письма в ЖТФ, 1978, Т. 4, № 18, С. 1106-1109.
  44. Захаров А.К., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. Релаксация неравновесной емкости в МДП-структурах. – Микроэлектроника, 1976, Т. 5, № 2, С. 150-163.
  45. Овсюк В.Н., Ржанов А.В. О квазинепрерывном спектре состояний на поверхности полупроводников. – Физика и техника полупроводников, 1969, Т.3, № 3, С. 294-297.
  46. Овсюк В.Н. Угловая зависимость фотоЭДС в напыленных пленках PbS. – Физика и техника полупроводников, 1968, Т. 2, № 8, С. 1185–1187.