СОТРУДНИКИ

Ковалевская Татьяна Евгеньевна

Ведущий инженер-конструктор, к.ф.-м.н.

тел. (383) 330-88-49

e-mail:

Кабинет 542, ЛТК ИФП

Дата и место рождения: 12 мая 1946 г., г. Москва.

Образование:
1968 г. — окончила физический факультет НГУ.
1977 г. — защитила кандидатскую диссертацию по теме «Исследование электрофизических свойств границы раздела Ge-Al2O3»

Трудовая деятельность:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск
1968–1970 гг. стажёр-исследователь
1970–1973 гг. аспирантура ИФП СО АН СССР
1974–1987 гг. мнс, нс.
1987–2007 гг. снс
2007 г. по настоящее время ведущий инженер-конструктор

Область исследований

  • Моделирование неравновесных процессов в полупроводниковых устройствах считывания и запоминания заряда, их частотных характеристик и механизмов потерь информационного заряда.
  • Моделирование электронных и фотоэлектрических явлений в фотоприёмниках на основе CdHgTe (KPT) и сверхрешеток GaAs/AlGaAs, предназначенных для создания матричных фотоприёмников в спектральных диапазонах 3-5 и 8-14 μm.
  • Моделирование параметров тонких слоёв КРТ с варизонными областями, вольт-амперных характеристик фотодиодов и их обнаружительной способности на этом материале посредством сформированного пакета программ.
  • Разработка программного обеспечения для тестирования и оценки параметров фотоприемных устройств.
  • Создание внутрисетевой базы данных, включающей аннотированную библиографию работ в области ИК фотоэлектроники и полный словарь терминов по направлению «Фотоэлектроника».

Публикации
Опубликовано 40 научных работ, в том числе, -

Монографии
  1. Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Фотоника. Словарь терминов, Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004 г.
  2. Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск: Наука, 2001 г.
  3. Волков С.А.,Захаров А.К., Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник, под ред. А.В.Ржанова,М., Наука, 1976 г.
Избранные статьи
  1. Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника, Прикладная физика, № 5, с. 1739-1744, 2004 г.
  2. Bobylev B.A., Kovalevskaya T.E., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N. Solid – St. Electron., v.41, No. 3, p. 481, 1997.
  3. Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое полупроводника. Физика и техника полупроводников, т.30, вып.10, с.1739, 1996 г.
  4. Ильенков Я.А., Ковалевская Т.Е., Ковчавцев А.П. Оценка параметров глубоких уровней в МДП – структурах на основе InAs, Поверхность. Физика, химия, механика. № 1, с. 62, 1992 г.
  5. Базовкин В.М., Ковалевская Т.Е. Поверхностная фото – ЭДС в МДП – структурах на InAs, Поверхность. Физика, химия, механика. № 10 - 11, с. 30, 1992 г.
  6. Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. Поверхностная ёмкость полупроводника с глубокими уровнями. 35 Internationales wissenschaftliches Koloquim Technische Hochschule, Ilmenau DDR В сб. с. 29, 1990 г.
  7. Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. Квазистационарная поверхностная емкость полупроводника с глубокими уровнями. Поверхность. Физика, химия, механика, № 8, с. 78, 1990 г.
  8. Ковалевская Т.Е. Кинетика неравновесного обеднения полупроводника с глубокими уровнями, Новосибирск ИФП СО АН СССР Препринт 29, 1988 г.
  9. Ковалевская Т.Е., Ковчавцев А.П.,Крыцин С.М., Курышев Г.Л., Настаушев Ю.В. Термическая генерация в области пространственного заряда МДП – структур на основе InAs при неравновесном обеднении. Депонирована в ЦНИИ «Электроника». Сб. рефератов,НИОКР, обзоров,переводов,депонированных рукописей Сер. «РТ», № 28., 1986 г.
  10. Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. Рекомбинационные характеристики полупроводника в структурах МДП при инверсионных изгибах зон. Физика поверхностных явлений в полупроводниках. Тезисы. ч. 1, с. 154, Киев: Наукова думка, 1984 г.
  11. Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Сердюк Ю.А., О потерях информационного заряда в ПЗС с квазинепрерывным энергетическим спектром. Микроэлектроника, т. 11, вып. 2, с.146, 1983 г.
  12. Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Сердюк Ю.А Термогенерация заряда в ПЗС – структурах с легированными зазорами. Микроэлектроника, 8, вып.6, с. 520, 1978 г.
  13. Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Черепов Е.И., Влияние процессов захвата и эмиссии носителей заряда ПС на частотные и кодовые характеристики динамических ЗУ на ПЗС с легированными зазорами. Всесоюзная НТ конференция: Дальнейшее развитие техники запоминающих устройств, Тбилиси, 1976 г.
  14. Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Запоминающее устройство с произвольной выборкой. Автор. Свид. № 2357096725, 1976 г.
  15. Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н., Ржанов А.В. Свойства структур Ge–Al2O3, полученных методом реактивного катодного распыления. Микроэлектроника, 4, с.185, 1975 г.
  16. Ковалевская Т.Е., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Частотная зависимость дифференциальной емкости МДП-структур, обусловленная спектром поверхностных состояний, Микроэлектроника, 3, с.550, 1974 г.
  17. Овсюк В.Н., Неизвестный И.Г., Ковалевская Т.Е. Процессы захвата носителей заряда в МДП – структурах. В сб.: Электронные процессы на поверхности п/п и на ГР полупроводник – диэлектрик, с. 108, Новосибирск, 1974 г.
  18. Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е., Термодесорбция воды с реальной поверхности германия, Депонирована в ЦНИИ,Электроника в сб.:рефератов, переводов и депонированных рукописей, N 9 ВИМИ, 1973 г.
  19. Ковалевская Т.Е, Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В., Свойства границы раздела Ge–Al2O3, полученной методом реактивного катодного распыления, В сб.: Физика диэлектриков и перспективы ее развития, 3, 1973 г.