СОТРУДНИКИ
Ковалевская Татьяна Евгеньевна
Ведущий инженер-конструктор, к.ф.-м.н.
тел. (383) 330-88-49
e-mail:
Кабинет 542, ЛТК ИФП
Дата и место рождения: 12 мая 1946 г., г. Москва.
Образование:
1968 г. — окончила физический факультет НГУ.
1977 г. — защитила кандидатскую диссертацию по теме «Исследование электрофизических свойств границы раздела Ge-Al2O3»
Трудовая деятельность:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск
1968–1970 гг. стажёр-исследователь
1970–1973 гг. аспирантура ИФП СО АН СССР
1974–1987 гг. мнс, нс.
1987–2007 гг. снс
2007 г. по настоящее время ведущий инженер-конструктор
Область исследований
- Моделирование неравновесных процессов в полупроводниковых устройствах считывания и запоминания заряда, их частотных характеристик и механизмов потерь информационного заряда.
- Моделирование электронных и фотоэлектрических явлений в фотоприёмниках на основе CdHgTe (KPT) и сверхрешеток GaAs/AlGaAs, предназначенных для создания матричных фотоприёмников в спектральных диапазонах 3-5 и
8-14 μm. - Моделирование параметров тонких слоёв КРТ с варизонными областями, вольт-амперных характеристик фотодиодов и их обнаружительной способности на этом материале посредством сформированного пакета программ.
- Разработка программного обеспечения для тестирования и оценки параметров фотоприемных устройств.
- Создание внутрисетевой базы данных, включающей аннотированную библиографию работ в области ИК фотоэлектроники и полный словарь терминов по направлению «Фотоэлектроника».
Публикации
Опубликовано 40 научных работ, в том числе, -
- Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Фотоника. Словарь терминов, Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004 г.
- Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск: Наука, 2001 г.
- Волков С.А.,Захаров А.К., Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е. и другие. Свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник, под ред. А.В.Ржанова,М., Наука, 1976 г.
- Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника, Прикладная физика, № 5, с. 1739-1744, 2004 г.
- Bobylev B.A., Kovalevskaya T.E., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N. Solid – St. Electron., v.41, No. 3, p. 481, 1997.
- Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое полупроводника. Физика и техника полупроводников, т.30, вып.10, с.1739, 1996 г.
- Ильенков Я.А., Ковалевская Т.Е., Ковчавцев А.П. Оценка параметров глубоких уровней в МДП – структурах на основе InAs, Поверхность. Физика, химия, механика. № 1, с. 62, 1992 г.
- Базовкин В.М., Ковалевская Т.Е. Поверхностная фото – ЭДС в МДП – структурах на InAs, Поверхность. Физика, химия, механика. № 10 - 11, с. 30, 1992 г.
- Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. Поверхностная ёмкость полупроводника с глубокими уровнями. 35 Internationales wissenschaftliches Koloquim Technische Hochschule, Ilmenau DDR В сб. с. 29, 1990 г.
- Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н. Квазистационарная поверхностная емкость полупроводника с глубокими уровнями. Поверхность. Физика, химия, механика, № 8, с. 78, 1990 г.
- Ковалевская Т.Е. Кинетика неравновесного обеднения полупроводника с глубокими уровнями, Новосибирск ИФП СО АН СССР Препринт 29, 1988 г.
- Ковалевская Т.Е., Ковчавцев А.П.,Крыцин С.М., Курышев Г.Л., Настаушев Ю.В. Термическая генерация в области пространственного заряда МДП – структур на основе InAs при неравновесном обеднении. Депонирована в ЦНИИ «Электроника». Сб. рефератов,НИОКР, обзоров,переводов,депонированных рукописей Сер. «РТ», № 28., 1986 г.
- Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. Рекомбинационные характеристики полупроводника в структурах МДП при инверсионных изгибах зон. Физика поверхностных явлений в полупроводниках. Тезисы. ч. 1, с. 154, Киев: Наукова думка, 1984 г.
- Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Сердюк Ю.А., О потерях информационного заряда в ПЗС с квазинепрерывным энергетическим спектром. Микроэлектроника, т. 11, вып. 2, с.146, 1983 г.
- Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Сердюк Ю.А Термогенерация заряда в ПЗС – структурах с легированными зазорами. Микроэлектроника, 8, вып.6, с. 520, 1978 г.
- Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Черепов Е.И., Влияние процессов захвата и эмиссии носителей заряда ПС на частотные и кодовые характеристики динамических ЗУ на ПЗС с легированными зазорами. Всесоюзная НТ конференция: Дальнейшее развитие техники запоминающих устройств, Тбилиси, 1976 г.
- Черепов Е.И., Кляус Х.И., Ковалевская Т.Е., Запоминающее устройство с произвольной выборкой. Автор. Свид. № 2357096725, 1976 г.
- Ковалевская Т.Е, Овсюк В.Н., Ржанов А.В. Свойства структур Ge–Al2O3, полученных методом реактивного катодного распыления. Микроэлектроника, 4, с.185, 1975 г.
- Ковалевская Т.Е., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Частотная зависимость дифференциальной емкости МДП-структур, обусловленная спектром поверхностных состояний, Микроэлектроника, 3, с.550, 1974 г.
- Овсюк В.Н., Неизвестный И.Г., Ковалевская Т.Е. Процессы захвата носителей заряда в МДП – структурах. В сб.: Электронные процессы на поверхности п/п и на ГР полупроводник – диэлектрик, с. 108, Новосибирск, 1974 г.
- Овсюк В.Н., Ковалевская Т.Е., Термодесорбция воды с реальной поверхности германия, Депонирована в ЦНИИ,Электроника в сб.:рефератов, переводов и депонированных рукописей, N 9 ВИМИ, 1973 г.
- Ковалевская Т.Е, Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В., Свойства границы раздела Ge–Al2O3, полученной методом реактивного катодного распыления, В сб.: Физика диэлектриков и перспективы ее развития, 3, 1973 г.