ЛАБОРАТОРИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

СОТРУДНИКИ

 к списку сотрудников

Демьяненко Михаил Алексеевич

Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 333-19-57

e-mail:

Кабинет 237, Термокорпус ИФП

Образование:
1980 г. окончил физический факультет НГУ по специальности «Физика».
1990 г. защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование механизмов формирования токов в инверсионных каналах и генерации носителей заряда в кремнии на сапфире»

Трудовая деятельность:
1980 – по настоящее время основное место работы - ИФП СО РАН.

Научная деятельность
  • Разработка и исследования матричных инфракрасных фотоприёмников на основе многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и неохлаждаемых микроболометрических приёмников на основе оксида ванадия.
  • Разработка и исследования неохлаждаемых микроболометрических приёмников терагерцового диапазона с расширенной спектральной полосой.
  • Исследование эпитаксиальных слоёв кремния на сапфире, спектроскопия глубоких уровней в полуизолирующем GaAs, исследование многофононной эмиссии и захвата носителей заряда DX центрами в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs.

Педагогическая деятельность
Преподавание физики в СУНЦ НГУ.
Руководство дипломными работами бакалавров и магистров.

Публикации
Опубликовано свыше 115 научных работ, в том числе 46 статей в рецензируемых научных журналах.

Избранные публикации
  1. М.А. Демьяненко. Эффективные широкополосные приемники терагерцового излучения на основе болометров с тонким металлическим поглотителем // Журнал технической физики. Т. 88. Вып. 1. С. 121–126. (2018).
  2. М.А. Демьяненко. Поглощение инфракрасного излучения в многослойной болометрической структуре с тонким металлическим поглотителем // Оптический журнал. Т. 84. Вып. 1. С. 48–57. (2017).
  3. М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, В.Н. Овсюк. Аналитическое сравнение характеристик фотоприемников инфракрасного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фоторезисторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Оптический журнал, Т. 83, №9, С. 64-71. (2016).
  4. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.Г. Клименко, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк. Преобразование изображений в мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемниках инфракрасного и терагерцового диапазона форматом до 3072×576 и более. // Оптический журнал, том 81, №3, С. 35-43. (2014).
  5. В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе оксида ванадия, полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления", Успехи прикладной физики, т. 1, №4, С. 471-476 (2013).
  6. B.A. Knyazev, V.S. Cherkassky, Y. Y. Choporova, V.V. Gerasimov., M.G. Vlasenko, M.A. Dem’yanenko., D.G. Esaev. Real-time imaging using a high-power monochromatic terahertz source: comparative description of imaging techniques with examples of application. // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, V.32, N 10, P.1207-1222. (2011).
  7. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, " Применение неохлаждаемых матричных матричных микроболометрических приемников для регистрации излучения терагерцового спектрального диапазона".Автометрия, том 47, № 5, С. 109-113. (2011).
  8. М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, С.А. Волков, И.В. Марчишин, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, В.Л. Дшхунян, Е.Б. Володин, А.В. Ермолов, П.П. Усов, В.П. Чесноков, Ю.С. Четверов, П.Н. Кудрявцев, А.Е. Здобников, А А. Игнатов., "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе золь-гель VOx", Прикладная физика, № 4, С. 124-130, (2010).
  9. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк Б.И.Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев Г. Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, "Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов." Оптический журнал, т. 76, № 12, С. 5-11, (2009).
  10. Н.А .Винокуров, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, Б.А. Князев, Г.Н. Кулипанов, О.И. Чащина, В.С. Черкасский, " Спекл-структура изображений объектов, освещаемых монохроматическим когерентным терагерцовым излучением", Квантовая электроника, Том 39, № 5, С. 481-486. (2009)
  11. М.А. Демьяненко., В.Н. Овсюк. Применение импульсов смещения для выравнивания сигналов в матричных микроболометрических приемниках. // Оптический журнал. Т. 75, № 2, С. 58-64. (2008).
  12. M.A.Dem’yanenko, D.G.Esaev, B.A.Knyazev, G.N.Kulipanov, N.A.Vinokurov. Imaging with a 90 frames/s microbolometer focal plane array and high-power terahertz free electron laser. // Applied Physics Letters. V. 92, No13, 131116, (2008).
  13. В.Н. Овсюк, В.В. Шашкин, М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, А.П.Соловьев. Неохлаждаемые матричные микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx. // Прикладная физика, № 6, С.114-117. (2005).
  14. Демьяненко М.А., Кравченко А.Ф. , Овсюк В.Н., Неохлаждаемые резистивные микроболометры. Ч.II. Режим импульсного смещения. // Автометрия. № 5, С.108-121. (2005).
  15. Демьяненко М.А., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника. // Физика и техника полупроводников, Т.34, № 6 , С.660-666. (2000).
  16. Демьяненко М.А., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Козлов А.И., Овсюк В.Н., Савченко А.П., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричные ИК фотоприемники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. // Прикладная физика, № 6, С.94-99, (2000).
  17. В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов. Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фото-электрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs. // Физика и техника полупроводников. Т.32, № 10 , С.1213-1218. (1998).
  18. В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов. Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs. // Физика и техника полупроводников, Т.32, № 2 , С.209-214. (1998).
  19. Демьяненко М.А., Марчишин И.В. Бобылев Б.А. Исследование глубоких уровней в полуизолирующемGaAs методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного адмиттанса. // Физика и техника полупроводников, Т.29, № 10, С. 1847-1858, (1995).
  20. Демьяненко М.А., Бакланов М.Р. Мошегов Н.Т. Копп О.Р. Овсюк В.Н. Свиташев К.К. Торопов А.И. Шашкин В.В. Фотоприемные элементы ИК диапазона на основе квантовых ям GaAs-AlGaAs. // Оптический журнал. № 12, С. 45-49. (1992).
  21. M.A.Dem’yanenko. The effect of back inversion channel and electrically active defects on the nonequilibrium characteristics of SOS MOS structures. // Phys. stat. sol. (a). V. 117, N 2. P.601-609. (1990).
  22. В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко. Влияние приповерхностной генерации носителей заряда на токи в инверсионных каналах на границе раздела полупроводник-диэлектрик. // Поверхность. Физика, химия, механика. Вып.3. С.48-54. (1989).