Сканирующая электронная микроскопия

Эффективным и информативным методом структурного анализа поверхности является сканирующая электронная микроскопия (СЭМ). Этот метод, не являясь разрушающим методом, позволяет оперативно проводить количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с разрешением до одного нанометра. Применение источника полевой эмиссий для формирования диагностического пучка, позволяет сканирующей электронной микроскопии визуализировать неоднородности рельефа в пределах одного монослоя, проводить анализ химического состава поверхности с помощью встроенного блока энерго-дисперсионного анализа, определять электрическую активность дефектов по методике наведенного тока и т.д.

Сканирующий электронный микроскоп LEO 1430 (LEO Electron Microscopy LTD, Англия)
  • Пространственное разрешение 3,5 нм;
  • Ускоряющее напряжение 200В÷30кВ
  • Ток пучка 1 пА÷1 мкмА
  • Увеличение 15х÷300кх
  • Угол наклона образца 0°÷90°
  • Давление в камере лучше, чем 2×10-6 Торр


Специалист:н.с. Гаврилова Т.А. (ТК к. 107, тел. 330-90-82)

Примеры изображений, полученные методом СЭМ: