Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

Установка фокусированных ионных пучков

Технология фокусированных ионных пучков (ФИП), развитая на базе двулучевых систем, совмещающих растровую электронную микроскопию с ионным пучком, широко применяется в современных полупроводниковых технологиях, научных исследованиях, а также для решения прикладных задач препарирования образцов для электронной микроскопии. Данная технология обеспечивает возможность локального прецизионного травления и ионно-стимулированного осаждения различных материалов (металлов, диэлектриков). Высокая локальность модификации поверхности подложек сфокусированным пучком высокоэнергетичных ионов используется для создания элементов микромеханики и микроэлектромеханических систем (MEMS).



Специалисты:

с.н.с. Косолобов С.С., ТК к. 108, т.330-90-82
вед. инж.-техн. Живодков Ю.А., ТК к. 108
Установка фокусированных ионных пучков CROSS BEAM1540XB ZEISS (Германия)
  • Электронная пушка
         - Рабочее расстояние 0-45 мм
         - Разрешение 1.1 нм @ 20 kV,2.5 нм @ 1 kV
         - Увеличение 20x - 900kx
         - Ток пучка 4 pA - 20 нA
         - Ускоряющее напряжение 0.1 - 30 кВ
         - Тип катода Thermal field emission type
         - Давление в пушке < 1*10-9 Торр
  • Ионная пушка (Ga+)
         - Рабочее расстояние 5 мм
         - Разрешение 5 нм достижимо
         - Увеличение 600x - 500kx
         - Ток пучка 1 pA - 50 нA
         - Ускоряющее напряжение 3 - 30 кВ
         - Тип катода Ga liquid metal ion source (LMIS)
         - Давление в пушке < 1*10-9 Торр
  • EDX анализ
  • Приставка для электронной литографии
  • Давление в камере Рост<10-6 Торр
  • Детекторы
         - In-lens: Annular type
         - Chamber: TV
         - SE
  • Система напуска газов. (До 5 газов для селективного травления, глубокого травления, осаждения металлов и диэлектриков)

СЭМ-изображения поверхностей и структур, полученные на CROSS BEAM1540XB: