Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники

Область интересов: физика полупроводников, физические основы полупроводниковых приборов, поверхность полупроводника и граница раздела.

Компьютерное моделирование процессов на поверхности полупроводника, разработка элементарной базы квантового компьютера, квантовая (однофотонная) криптография, микро- и наносенсорика.

Образование:

• 1956 г. – окончил Московский Энергетический Институт по специальности «Диэлектрики и полупроводники».

• 1966 г. – защитил кандидатскую диссертацию «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия».

• 1980 г. – защитил докторскую диссертацию «Исследование границы раздела германий – диэлектрик».

Трудовая деятельность:

• 1956-1962г.г. – инженер-исследователь ФИАН им. Лебедева;

• С 1962 г. – Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск:

  • 1962-1973г.г. – заместитель директора ИФП СО РАН,

  • 1973-1980г.г. – заведующий лабораторией,

  • 1980-2004г.г. – заместитель директора ИФП СО РАН,

  • 2004- по н/вр. – Советник РАН, руководитель отдела.

Педагогическая деятельность:

• С 1995 по н/вр – профессор кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники НГТУ.

• Разработал и читал лекции по спецкурсу «Физика поверхности». Ведёт семинары по спецкурсу «Семинары по наноэлектронике».

• Под руководством И.Г. Неизвестного защищено 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

Премии и награды:

• В 1971 году награжден Орденом Трудового Красного Знамени.

• В 1995 году И.Г.Неизвестному присвоено звание Лауреата Государственной Премии Российской Федерации по науке и технике за «Открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов».