ОБОРУДОВАНИЕ

Программное обеспечение:

Все исследования выполняются с помощью программного обеспечения SilSim3D, разработанного членами Группы 2 под руководством Зверева Алексея Викторовича. В настоящее время главным программистом является Усенков Станислав Валерьевич, инженером-программистом — Карпов Александр Николаевич.

Ранее в программных разработках участвовали студенты Новосибирского Государственного Университета и Новосибирского Государственного Технического Университета: Михантьев Евгений Анатольевич, Евгения Шеремет, Иван Мжельский, Алексей Ларченко, Борис Слуцкий, Денис Шамирян, Илья Рыженков, Михаил Катков, Спартак Щелоков, Алексей Чемакин.

Программное обеспечение построено таким образом, чтобы моделировать все стадии технологических процессов выращивания тонких слоев и создания наноструктур:

  1. Создание подложки с заданной кристаллографической ориентацией, химическим составом (до 7-ми компонент) и морфологией приповерхностного слоя (сингулярные и вицинальные поверхности, случайная и заданная шероховатость, пористость с различной морфологией пор и т.п.). Химический состав задается через межатомные взаимодействия компонент.

  2. Проведение технологического процесса, любого из набора: MBE, CVD, ALD или отжиг – при заданной температуре и скорости осаждения каждого из компонент.

  3. Анализ морфологии полученного слоя, включая пространственное распределение компонент по глубине слоя, распределение поверхностных и объемных островков или полостей по размерам, измерения шероховатости поверхности, аналогично различным экспериментальным методикам с атомным разрешением СТМ, АСМ, ТМВР.

Моделирование проводится на мощностях локальной вычислительной сети Группы 2, состоящей из персональных компьютеров сотрудников и нескольких вычислительных серверов, установленных в телекоммуникационную стойку.