ИЗБРАННЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

  1. M.A. Vasilenko, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292. (htpp://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2015.02.032).

  2. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(0 0 1) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146. (http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.01.226).

  3. М.В. Князева А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост. ФТП, 2015, 49, 63-70. (M.V. Knyzeva, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny and N.L. Shwartz, Semiconductors 49, 2015, 60–68.)

  4. Карпов А.Н., Зверев А.В., Настовьяк А.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур. Вычислительные методы и программирование, 2014, т. 15, вып. 3, стр. 388-399. (Karpov A.N., Zverev A.V., Nastovjak A.G., Usenkov S.V. and Shwartz N.L., "A lattice Monte Carlo model for nanostructure formation analysis", Vychisl. Metody Programm., V 15, No 3, pp 388-399 (2014).)

  5. E.A. Mikhant’ev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of the Effect of Silicon Monoxide on Silicon-Nanocluster Formation. Semiconductors, 2014, V. 48, No. 7, pp. 891-898.

  6. E.A. Mikhantiev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.

  7. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) ФТП, 2014, том 48, вып. 7, стр. 917-925.

  8. A.G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, and N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).

  9. А.Н. Карпов, Е.А. Михантьев, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Монте-Карло моделирование процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния. Известия ВУЗоВ. Материалы электронной техники. 2012, №1 С.33-39.

  10. А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 9, С. 1–9.

  11. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOx слоёв с помощью моделирования. Автометрия, 2011,Т.47, №5, С.88-97.

  12. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Effect of growth conditions and catalyst material on nanowhisker morphology: Monte Carlo simulation. Solid State Phenomena, 2010, Vols. 156-158, p. 235-240.

  13. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.

  14. А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло. ФТП, 2010, Т.44, Вып.1, С.130-135.