ИЗБРАННЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

  1. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz, Monte Carlo Simulation of Alternate Pulsed Epitaxial Growth of GaAs Nanowires, 2022, physica status solidi (b) , No. n/a, p. 2100641.

  2. A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, V.124, P. 106025.

  3. A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 (2021) 148281 (Scopus; Web of Science).

  4. A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.V. Vasev, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii. Reasons of crystallite formation during the self-catalyzed GaAs nanowire growth. Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1850–1853 DOI: 10.1134/S1063782620140213 (ВАК, Scopus; Web of Science).

  5. A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005 (Scopus; Web of Science).

  6. Емельянов Е.А., Настовьяк А.Г., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б. Р., Преображенский В. В.  Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)B и (100). Письма в ЖТФ, 2020, т. 46, №4, стр. 11-14 (ВАК, РИНЦ, WoS, Scopus).

  7. А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный. Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок AIIIBV при самокаталитическом росте. Микроэлектроника, 2020, T. 49, № 3, стр. 179-185 (ВАК, РИНЦ, Scopus)

  8. Spirina A. A., Shwartz N. L. Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology. Journal of Physics: Conference Series, 1482, p 12007, 2020.

  9. Спирина А. А., Шварц Н. Л. Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование). Физика и техника полупроводников, т. 54, №2, с. 160-164, 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48911.9270

  10. A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, and I. G. Neizvestny. Examination of self-catalyzed III–V Nanowire growth by Monte Carlo simulation. Semiconductors, 2019, v. 53, No. 16, pp. 62-65.

  11. Spirina A. A., Neizvestny I. G., Shwartz N. L. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation. Semiconductors, v. 53, №16, p. 81-84, 2019. Doi 10.1134/S1063782619120297

  12. A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).

  13. А.А. Spirina, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation. Semiconductors (ФТП) 2018, 52, № 16, 2133-2137.

  14. Spirina, A. A.; Nastovjak, A. G. & Shwartz, N. L. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature. Journal of Physics: Conference Series, 2018, 993, 012011.

  15. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation, Semiconductors (FTP), 2018, v. 52, p. 618-621.

  16. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Concentric GaAs nanorings growth modelling. ФТП, 2018, 52, в.3, 520. Semiconductors, 2018, 52, 639-644.

  17. N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C (2018) pp. 91-100.

  18. Suprunets A.G., Vasilenko M.A., Shwartz N.L. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowires growth (Monte Carlo simulation), Journal of Physics: Conference Series. 2016. V. 690. p. 012011.

  19. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.

  20. M.A. Vasilenko, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292.

  21. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(0 0 1) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.

  22. М.В. Князева А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост. ФТП, 2015, 49, 63-70.

  23. Карпов А.Н., Зверев А.В., Настовьяк А.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур. Вычислительные методы и программирование, 2014, т. 15, вып. 3, стр. 388-399.

  24. E.A. Mikhant’ev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of the Effect of Silicon Monoxide on Silicon-Nanocluster Formation. Semiconductors, 2014, V. 48, No. 7, pp. 891-898.

  25. E.A. Mikhantiev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.

  26. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) ФТП, 2014, том 48, вып. 7, стр. 917-925.

  27. A.G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, and N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).

  28. А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 9, С. 1–9.

  29. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOx слоёв с помощью моделирования. Автометрия, 2011,Т.47, №5, С.88-97.

  30. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Effect of growth conditions and catalyst material on nanowhisker morphology: Monte Carlo simulation. Solid State Phenomena, 2010, Vols. 156-158, p. 235-240.

  31. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.