Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук

2016 год

Сотрудники ИФП СО РАН: зав. лабораторией, к.ф.-м.н. Закревский Дмитрий Эдуардович и главный научный сотрудник, д.ф.-м.н. Бохан Петр Артемович стали Лауреатами премии Правительства Российской Федерации 2016 года в области науки и техники за работу «Фундаментальные исследования нелокальных процессов в электрических разрядах в плотных газах и создание устройств высоковольтной техники для импульсной энергетики»
Российско-белорусский научный коллектив А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько. присуждена Премия имени академика РАН В.А. Коптюга в 2016 году за цикл работ «Оптическая спектроскопия и электронная структура наноструктур Ge/Si с молекулами из квантовых точек Ge»
Заместитель директора Девяткин Петр Тихонович награжден Почетной грамотой министерства образования, науки и инновационной политики НСО за многолетний добросовестный труд, высокие результаты в профессиональной деятельности; Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большой вклад в развитие элементной базы ИК-техники и создание комплекса тепловизионных приборов специального назначения и в связи с 75-летием со дня рождения
Институт награжден дипломом за участие в выставке оборудования, технологий и инновационных разработок в рамках форума «Городские технологии»
Институт награжден дипломом лауреата городского конкурса на соискание звания «Предприятие высокой социальной ответственности»
Коллектив ИФП СО РАН получил благодарственное письмо от заместителя Губернатора НСО А.К. Соболева за большой вклад в организацию и проведение Четвертого международного форума технологического развития «ТЕХНОПРОМ-2016»
Советник РАН, член-корреспондент РАН Неизвестный Игорь Георгиевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, значительный вклад в разработку физико-химических основ современной микро- и наноэлектроники, квантовой информатики, плодотворную научную деятельность и в связи с 85-летием со дня рождения
Член-корреспонденту РАН Неизвестному Игорю Георгиевичу за многолетний самоотверженный труд, значительный вклад в разработку физико-химических основ современной микро- и наноэлектроники, квантовой информатики, плодотворную научную деятельность и в связи с 85-летием со дня рождения Президиумом СО РАН объявлена благодарность и вручен почетный знак «Золотая сигма»
Член-корреспондент РАН Богданов Сергей Васильевич награжден Почетной грамотой РАН и Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, выдающиеся достижения в области физики твердого тела, физики полупроводников и акустоэлектроники, плодотворную научную, педагогическую деятельность и в связи с 95-летием со дня рождения
Академик РАН Чаплик Александр Владимирович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетнее руководство теоретической лабораторией, выдающиеся достижения в теории электронных процессов в низкоразмерных системах, плодотворную научную, научно-организационную и педагогическую деятельность
Заведующий отделом, д.ф.-м.н. Пчеляков Олег Петрович награжден Почетной грамотой Губернатора Новосибирской области за заслуги в развитии науки, многолетнюю плодотворную научно-исследовательскую деятельность; Почетной грамотой Министерства образования, науки и инновационной политики НСО за многолетнюю научно-исследовательскую деятельность, подготовку квалифицированных кадров; Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области техники и технологии выращивания полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, плодотворную научную, научно-организационную, педагогическую деятельность и в связи с 70-летием со дня рождения
Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н. Дворецкий Сергей Алексеевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области технологии ИК-фотоприемников на основе твердых растворов кадмий-ртуть-теллур, плодотворную научную, научно-организационную деятельность и в связи с 70-летием со дня рождения
Заведующий лабораторией, д.ф.-м.н. Климов Александр Эдуардович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области физики и технологии гетероэпитаксиальных структур на основе соединений свинец-олово-теллур для фотоэлектроники, плодотворную научную, научно-организационную деятельность и в связи с 60-летием со дня рождения
Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области разработки и внедрения оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых материалов, плодотворную научную, научно-организационную деятельность и в связи с 60-летием со дня рождения
Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Милёхин Александр Германович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области оптической спектроскопии полупроводниковых наноструктур и исследовании гигантского комбинационного рассеяния света, плодотворную научную деятельность и в связи с 50-летием со дня рождения
Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в разработке эпитаксиальных гетероструктур для СВЧ-техники, радиофотоники и фотоприёмных систем, плодотворную научную деятельность и в связи с 60-летием со дня рождения
Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Якушев Максим Витальевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в технологии создания гетероструктур на основе соединений кадмий- ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и разработку нового поколения ИК фотоприемников, плодотворную научную деятельность и в связи с 50-летием со дня рождения
Научный сотрудник, к.ф.-м.н. Шерстякова Валентина Николаевна награждена Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, активное содействие в выполнении научно-исследовательских работ Института, организации учебного процесса аспирантов и в связи с юбилеем
Начальник технического отдела Логвинский Леонид Михайлович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, активное содействие в выполнении научно-исследовательских работ Института и в связи с 70-летием со дня рождения
Ведущий инженер-технолог Подкорытов Дмитрий Геннадьевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в проведении успешных научных экспериментов при сверхнизких температурах в сильных магнитных полях и в связи с 60-летием со дня рождения
Ведущий инженер-программист Молдованова О.В. почетная грамота губернатора Новосибирской области за заслуги в развитии сетей и систем связи на территории Новосибирской области
Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Антонова И.В. медаль международного общества по перспективным материалам 2016 г. (IAAM Medal 2016, Advanced materials science and technologies, International Association of Advanced materials)
сотрудникам Мжельскому И.В. и Настовьяку А.Е. благодарность от педагогического коллектива, учащихся и директора МАОУ “Лицей No 176” и от педагогического коллектива и обучающихся МБОУ СОШ No45 за проведение демонстрационных опытов
Инженер Гайдук А.Е. диплом 1 степени, секция «Физика полупроводников и фотовольтаика», 17-th International Conference of Young Specialists IEEE In Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM)
Научный сотрудник, к.т.н. Курносов М.Г. грамота за лучший доклад, представленный молодыми учеными, на Всероссийской научно-технической конференции «Суперкомпьютерные технологии» (СКТ-2016)
Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Вайнер Б.Г. грамота руководителя МКУ "Управление образования Карасукского района" Новосибирской области за проведение профильной смены для старшеклассников "Я – будущий абитуриент" в рамках государственной программы "Развитие образования, создание условий для специализации детей и учащейся молодежи в Новосибирской области на 2015–2020 годы", Новосибирская область, г. Карасук
Инженер Басалаева Л.С. диплом за лучший устный доклад на российско-японской конференции «Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures», НГУ, Новосибирск
Студент Нелюбин И.В. дипломом III степени за доклад «Research of the Electrical Characteristics Polysilicon on Insulator Thin Films» на XVII Международной конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам, Эрлагол, Алтай

2015 год

Институт награжден Дипломом за участие в 10-й юбилейной международной специализированной выставке «Фотоника. Мир лазеров и оптики - 2015»
коллектив ИФП СО РАН получил благодарственное письмо от Первого заместителя Губернатора Новосибирской области за большой вклад в организацию и проведение Третьего международного форума технологического развития «ТЕХНОПРОМ-2015»
Институт награжден Дипломом за участие в Международном военно-техническом форуме «АРМИЯ 2015»
заместитель директора по научной работе член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский награжден почетной грамотой города Новосибирска за большой вклад в подготовку высококвалифицированных научных кадров
заместитель директора по научной проблематике филиала - руководитель Новосибирского филиала «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» ИФП СО РАН кандидат технических наук Федоринин Виктор Николаевич награжден Почетной грамотой Губернатора Новосибирской области за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную научно-исследовательскую деятельность
заместитель директора по научной работе член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области радиационной физики, физики и технологии нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками, плодотворную научную, научно-организационную, педагогическую деятельность и в связи с 70-летием со дня рождения
заместитель директора по научной проблематике филиала - руководитель Новосибирского филиала «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» ИФП СО РАН кандидат технических наук Федоринин Виктор Николаевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, разработку и организацию выпуска фотоприёмных модулей и устройств, плодотворную научную, научно-организационную деятельность и в связи с 60-летием со дня рождения
ученый секретарь Института кандидат физико-математических наук Каламейцев Александр Владимирович награжден Почетной грамотой Министерства образования, науки и инновационной политики Новосибирской области за особые заслуги в исследованиях, посвященных проблемам физики полупроводников, многолетнюю плодотворную научную деятельность
главный научный сотрудник, доктор физико-математических наук Сидоров Юрий Георгиевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области физики и технологии роста наноструктур теллурида кадмия и ртути методом молекулярно-лучевой эпитаксии, плодотворную научную деятельность и в связи с 75-летием со дня рождения
заведующий лабораторией, доктор физико-математических наук Принц Виктор Яковлевич награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области физики и технологии твердотельных наноструктур и метаматериалов, плодотворную научную, научно-организационную, педагогическую деятельность и в связи с 65-летием со дня рождения
заведующий лабораторией, доктор физико-математических наук Квон Зе Дон награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в исследовании квантового транспорта в двумерных полуметаллах, топологических изоляторах и системах двумерных дираковских фермионов, плодотворную научную, научно-организационную деятельность и в связи с 65-летием со дня рождения
ведущий научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Федина Людмила Ивановна награждена Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в исследовании процессов формирования дефектов структуры в кристаллах кремния и германия методами просвечивающей электронной микроскопии и наноструктур, плодотворную научную деятельность и в связи с юбилеем
ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических наук Шамирзаев Тимур Сезгирович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в исследовании электронных и спиновых явлений в полупроводниковых квантовых точках, плодотворную научную деятельность и в связи с 50-летием со дня рождения
ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических наук Царев Андрей Владимирович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в исследовании физических процессов при распространении оптических волн в полупроводниковых структурах, разработку интегрально-оптических функциональных элементов, плодотворную научную деятельность и в связи с 60-летием со дня рождения
старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Гутаковский Антон Константинович награжден Почетной грамотой СО РАН за многолетний добросовестный труд, большие достижения в области электронно-микроскопических исследований полупроводниковых материалов и наноструктур, плодотворную научную деятельность и в связи с 65-летием со дня рождения
сотрудники Института получили благодарность от администрации МБОУ СОШ №45 сотрудникам Института Мжельскому И.В. и Настовьяку А.Е. за содержательные и интересные лекции «Тепловизор. Свойства и применение прибора в медицине», проведенные в старших классах школы в рамках Дней науки в г. Новосибирске
Кожухов А.С. награжден Дипломом I степени за лучший доклад на 3-й международной Школе-семинаре молодых ученых «Фотоника нано- и микроструктур», Томск, 7–11 сентября 2015
Уткин Д.Е. награжден Дипломом II степени за лучший доклад на 3-й международной Школе-семинаре молодых ученых «Фотоника нано- и микроструктур, Томск, 7–11 сентября 2015
Голобокова Л.С. награждена Дипломом I степени за доклад на 16th International conference of young specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron devices, 29 June-3 July 2015
Козлов Д.А. получил премию за лучший доклад молодого сотрудника на 12-ой Российской конференции по физике полупроводников, Звенигород, 21-25 сентября 2015

2014 год

директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев и заместитель директора по научной работе член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский стали лауреатами премии Правительства РФ в области образования за разработку системы подготовки высококвалифицированных кадров в области оптоэлектроники
ведущий научный сотрудник к.ф.-м.н. Т.И. Батурина удостоена почётной международной премии фонда Гумбольдта (Alexander von Humboldt Foundation, Germany) – Премией Фридриха Вильгельма Бесселя (Friedrich Wilhelm Bessel Research Award) за выдающиеся достижения в науке
директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев Награжден медалью имени Н.Н. Семенова за выдающиеся достижения в области инженерных наук
коллектив Института награжден Почётной грамотой Губернатора Новосибирской области за значительный вклад в развитие естественных и технических наук, Благодарностью Законодательного собрания Новосибирской области за большую научно-исследовательскую работу, подготовку кадров высшей квалификации
директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев награжден Почётной грамотой РАН и Профсоюза работников РАН за многолетний добросовестный труд и в связи с 290-летием основания Российской академии наук
директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев удостоен премии Томского Университета, награжден диплом Лауреата городского дня науки в номинации «Учёный и научный руководитель года».
Заместитель директора по научной работе член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский награжден Почётной грамотой города Новосибирска за большой вклад в подготовку высококвалифицированных научных кадров
В рамках торжественных мероприятий, приуроченных к 50-летию со дня образования Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН были награждены:
директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев, г.н.с. д.ф.-м.н. В.Н.Овсюк, г.н.с. д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров, советник РАН член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный, заместитель директора по общим вопросам П.Т. Девяткин почётной грамотой Губернатора Новосибирской области
заведующий лабораторией к.ф.-м.н. А.И. Торопов Благодарностью Губернатора Новосибирской области
заведующий лабораторией д.ф.-м.н. В.Я. Принц, в.н.с. д.ф.-м.н. В.А. Гайслер, в.н.с. д.ф.-м.н. К.С. Журавлев, заведующий лабораторией академик А.В. Чаплик, в.н.с. Новосибирского филиала ИФП СО РАН «КТИПМ» д.т.н. В.Б. Шлишевский Благодарностью Законодательного собрания Новосибирской области
заместитель директора по научной работе член-корреспондента РАН А.В. Двуреченского, заместитель директора по научно-производственной работе Э.В. Скубневский, в.н.с. к.ф.-м.н. Б.И. Фомин, с.н.с. к.ф.-м.н. И.В. Сабинина, с.н.с. к.ф.-м.н. А.Г. Клименко Почетной грамотой городского Совета Новосибирска
руководитель НФ ИФП СО РАН «КТИПМ» - заместитель директора по научной проблематике филиала к.т.н. В.Н. Федоринин, заместитель директора по научной работе д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков, заведующий лабораторией д.ф.-м.н. В.П. Попов, заведующий лабораторией к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий, заведующий лабораторией к.ф.-м.н. С.В. Рыхлицкий Почетной грамотой мэрии Новосибирска
заведующий лабораторией д.ф.-м.н. А.П. Ковчавцев, главный энергетик Д.А. Мясников Благодарственным письмом мэра Новосибирска
ученый секретарь Института к.ф.-м.н. А.В. Каламейцев, главный специалист по выставочной деятельности к.ф.-м.н. Н.Б. Придачин, с.н.с., председатель Совета научной молодёжи Института к.ф.-м.н. И.И. Бетеров, начальник экспериментального цеха В.А. Казанцев, ведущий инженер-конструктор П.Г. Сарафанов Почетной грамотой администрации Советского района г. Новосибирска
д.ф.-м.н. В.Л. Альперович, к.ф.-м.н. Л.С. Брагинский, член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский, д.ф.-м.н. З.Д. Квон, член-корреспондент РАН А.В. Латышев, к.ф.-м.н. А.В. Ненашев, д.ф.-м.н. А.Г. Погосов, д.ф.-м.н. А.С. Терехов, д.ф.-м.н. О.Е. Терещенко, академик А.В. Чаплик Почётной грамотой Новосибирского государственного университета
110 сотрудников Института Почётной грамотой СО РАН
Академик А.Л. Асеев избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси, награждён почетной грамотой за заслуги в организации и проведении II Международного форума технологического развития «Технопром-2014»
д.ф.-м.н. А.А. Быков, д.ф.-м.н. А.И. Якимов, д.ф.-м.н. В.Л. Альперович, к.ф.-м.н. В.Л. Курочкин, д.ф.-м.н. И.И. Рябцев награждены Почётной грамотой Президиума СО РАН в 2014 году
д.ф.-м.н. В.Л. Альперович награжден Почетной грамотой НГУ
ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН награжден Дипломом за II место в городском конкурсе «Предприятие высокой социальной ответственности»
Коллектив Института награжден Благодарственным письмом за участие в выставочной экспозиции Международного форума технологического развития «Технопром-2014»
Заведующий лабораторией к.ф.-м.н. В.В. Атучин отмечен наградой «Gold Poster Award» за доклад на конференции «The 8th Conference on Multi-functional Materials and Applications, Asan, Korea»
Коллектив авторов д.ф.-м.н. И.И.Рябцев, к.ф.-м.н. И.И.Бетеров, к.ф.-м.н. В.М.Энтин, к.ф.-м.н. Д.Б.Третьяков, к.ф.-м.н. А.А.Черненко, к.ф.-м.н. И.А.Карташев получили диплом Лауреата городского дня науки в номинации «Лучший совместный научный результат в рамках сотрудничества Россия-Евросоюз» за проект COLIMA
Аспирантка Института Л.С. Голобокова отмечена Диплом Школы и конференции ОРEN - (Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures), проходившей в Санкт-Петербургском академическом университетенаучно-образовательном центре нанотехнологий РАН
Аспирантка Института Л.С. Голобокова награждена Благодарственным письмом администрации Советского района г. Новосибирска за активное участие в научно-исследовательской работе, предложения по внедрению инновационных проектов на предприятиях и в организациях города Новосибирска
молодой учёный М.А. Лаврухин и аспирант П.П. Гугин награждены Дипломом за научные доклады на всероссийском симпозиуме «Лазеры на парах металлов -2014», выполненные на высоком научно-техническом уровне
Молодой учёный Н.Ф. Маляренко отмечен дипломом II степени на 15-й международной конференции молодых специалистов по микро/наноэлектронике и электронным приборам (EDM'2014) за доклад «Native SiO2 Interface Surface State Density of SOI-Nanowire Sensors»

2013 год

А.В. Латышев, директор Института, член-корреспондент РАН награждён Дипломом Лауреата городского дня науки в номинации «Учёный и научный руководитель года»
А.Л. Асеев, академик удостоен Благодарности Законодательного Собрания Новосибирской области
Институт награждён Дипломом Торгово-промышленной палаты Российской Федерации за высокие результаты в изобретательской деятельности, патентовании её результатов и внедрение инноваций
Н.Я. Петруша и Н.А. Рыболовлева, сотрудники патентного отдела Института награждены Дипломом Торгово-промышленной палаты РФ «Международный форум "Интеллектуальная собственность-ХХI век"» за значительный личный вклад в процесс формирования, развития и охраны интеллектуального потенциала России
Институт награждён почётным дипломом за активное участие в «Десятой Китайской (Маньчжурской) Северной Международной научно-технической выставке» и большой вклад в развитие международного сотрудничества; персональным дипломом выставки награждён д.ф.-м.н., профессор О.П. Пчеляков
Институт награждён Благодарственным письмом от имени губернатора Новосибирской области за активное участие в подготовке и проведении первого Международного форума технологического развития «ТЕХНОПРОМ – 2013»
Б.Г.Вайнер, д.ф.-м.н. награждён Благодарственным письмом от Губернатора Новосибирской области В.А. Юрченко по случаю 50-летия Специализированного учебно-научного центра НГУ
А.Ю. Поляков, к.т.н. получил муниципальный грант города Новосибирска в рамках конкурса научных работ молодых учёных по теме: «Разработка и исследование алгоритмов и программного обеспечения инструментария эффективного управления контрольными точками распределённых программ»
136 сотрудников Института награждены Памятным знаком "За труд на благо города" в честь 120-летия со дня основания города Новосибирска
20 сотрудников Института отмечено Почётным знаком Заслуженный ветеран Сибирского отделения РАН
Б.И. Фомин, к.ф.-м.н., Л.А. Ильина, к.х.н. и А.Г. Клименко, к.ф.-м.н. награждены Почётной грамотой СО РАН
Б.Г.Вайнер, д.ф.-м.н. стал победителем международного конкурса Королевской Инженерной Академии Великобритании (The Royal Academy of Engineering) «Distinguished Visiting Fellowship»
Н.Н. Рубцова, д.ф.-м.н. и Е.Б.Хворостов, к.ф.-м.н. награждены медалями «За заслуги в научной деятельности», учреждённые Поволжским Государственным Технологическим Университетом на конференции ФЭКС-2013
И.В. Осинных удостоен Диплома ВНКСФ-19 за лучший доклад на секции "Физика полупроводников и диэлектриков (включая наносистемы)" среди аспирантов и молодых учёных и Диплома II Всероссийского конгресса молодых ученых за лучший доклад секции «Физика твердого тела и материаловедение»
А.А. Лямкина, аспирант удостоена Диплома за лучший доклад на XI Российской конференции по физике полупроводников в Санкт-Петербурге
Д.В. Ледовских, к.ф.-м.н. награждён дипломом за лучший доклад на X юбилейном Международном симпозиуме по фотонному эхо и когерентной спектроскопии
А.А. Голицын, сотрудник Новосибирского филиала ИФП СО РАН «КТИПМ» награждён Дипломом за лучший доклад молодого ученого на Восьмой Всеросийской научно-технической конференции «Проблемы обеспечения взрывобезопасности и противодействия терроризму» и Диплом за лучший доклад на секции «Средства автоматизации и информационные технологии в физике» среди аспирантов и молодых учёных

2012 год

В.Г.Хорошевский (посмертно), член-корр. РАН, профессор,
М.Г.Курносов, к.т.н.
С.Н.Мамойленко, к.т.н.
А.Л.Асеев, академик
И.Г.Неизвестный, член-корр. РАН, профессор
Удостоены премии Правительства Российской Федерации 2012 года в области образования и звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области образования" за научно-практическую разработку "Научное, учебное и учебно-методическое обеспечение подготовки высококвалифицированных специалистов в области распределённых вычислительных технологий"
В.Г.Хорошевский (посмертно), член-корр. РАН, профессорУдостоин премии имени С.А. Лебедева Российской академии наук за серию научных работ по единой тематике "Формирование концептуальных основ разработки и реализации высокопроизводительных многопроцессорных вычислительных систем в России"
А.Л.Асеев, академикНаграждён юбилейным знаком Республики Саха (Якутия) "380 лет Якутия с Россией" и юбилейной медалью "30 лет запуска первого спутника системы ГЛОНАСС"
Э.В.Скубневский, зам. директора, к.ф.-м.н.Присвоено почётное звание "Почётный работник науки и техники Российской Федерации" за большие успехи в области физики полупроводников, значительный вклад в развитие научно-исследовательской базы института и многолетний плодотворный труд
А.В.Чаплик, академикНаграждён почётной грамотой Новосибирского государственного университета
А.В.Двуреченский, член-корр. РАННаграждён памятной медалью в связи с 75-летием Новосибирской области и за вклад в развитие Новосибирской области
П.Т.Девяткин, зам. директора
В.К.Федотова, помощник директора
Награждены почетной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук
А.В.Чаплик, академик
Н.Н.Рубцова, д.ф.-м.н.
П.А.Бохан, д.ф.-м.н.
С.П.Синица, д.ф.-м.н.
Награждены почётными грамотами Президиума СО РАН
А.А.Лямкина, аспирантУдостоена диплома за 1 место в конкурсе на лучший доклад конференции "Фотоника и оптические технологии" (26-28 марта 2012, Новосибирск), диплома за лучший доклад на 18-ой Всероссийской научной конференции студентов-физиков (29 марта-5 апреля 2012, Красноярск), диплома II степени Международной молодёжной конференции по люминесценции и лазерной физике (16-22 июля 2012г., туристическая база "Песчанка", озеро Байкал), диплома за лучший стендовый доклад на Международной конференции по люминесценции и лазерной физике, посвященной 110-летию со дня рождения заслуженного деятеля науки Российской Федерации профессора И.А. Парфиановича
А.А.ПазниковУдостоен грамоты за лучший доклад на 2-й Всероссийской научно-технической конференции "Суперкомпьютерные технологии" (с.Дивноморское, Геленджикский район, Россия, 2012 г.)
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён Свидетельством "Надёжный работодатель" II степени за обеспечение эффективного труда работников и успехи в производственной деятельности в 2011 году

2011 год

А.Л.Асеев, академикНаграждён юбилейным знаком "Вадим Евгеньевич Лашкарёв" по решению дирекции и Ученого совета ИФП им. В.Е.Лашкарёва НАН Украины
А.Л.Асеев, академикПрисвоено звание "Почётный работник науки и техники Российской Федерации" за подготовку высококвалифицированных кадров, разработку и реализацию крупномасштабных программ, в том числе и международных, по развитию науки, экономики и промышленности в Сибирском регионе
С.В.Богданов, советник РАН, член-корр. РАННаграждён Почётной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук, Почётной грамотой СО РАН, Почётной грамотой администрации Советского района города Новосибирска
И.Г.Неизвестный, советник РАН, член-корр. РАННаграждён Почётной грамотой Губернатора Новосибирской области, Почётной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук, Почётной грамотой СО РАН
А.С.Терехов, д.ф.-м.н.Награждён Благодарственным письмом мэра Новосибирска
В.В.Болотов, директор ОФ ИФП СО РАН, д.ф.-м.н., профессорНаграждён Почётной грамотой РАН и Профсоюза работников РАН за многолетний добросовестный труд, практический вклад в развитие отечественной науки и Почётной грамотой Президиума СО РАН за личный вклад в развитие отечественной науки
Коллектив ОФ ИФП СО РАННаграждён Почётной грамотой Президиума СО РАН за развитие научного направления и подготовку высококвалифицированных кадров
С.Н.Поровознюк, к.т.н.
С.В.Кузнецов,
Н.А.Горобчук
Награждены Почётными грамотами Президиума СО РАН за личный вклад в развитие отечественной науки
10 сотрудников ОФ ИФП СО РАН Награжден Почётными грамотами Президиума ОНЦ СО РАН
К.Н.Астанкова, аспирантНаграждена дипломом за лучший доклад среди молодых учёных на 19 Международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology" (Ekaterinburg, Russia, 2011) и получила премию из фонда Ж.И.Алфёрова
К.Н.Астанкова, аспирантВ июле получила почётную грамоту от администрации Советского района г.Новосибирска за вклад в развитие науки в г.Новосибирске
Распределённый научно-образовательный комплекс подготовки высококвалифицированных специалистов в области распределённых вычислительных технологий отмечен Большой золотой медалью Сибирской Ярмарки на выставке "IT Сибирь. Сибтелеком-2011"
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПолучен Диплом, подписанный замминистра образования и науки С.В. Иванцом, за участие в национальной выставке России в Испании "Научно-технические инновационные достижения России"
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён Почётным дипломом за представленную насыщенную экспозицию нанотехнологических разработок в составе Сибирского отделения на выставке, приуроченной к международному нанофоруму "Руснанотех"

2010 год

А.Л.Асеев, академикНаграждён Орденом "Полярной звезды" - высшей наградой Монгольской республики,
присвоено звание "Почётный профессор Бурятского государственного университета" и "Почётный доктор Томского государственного университета"
И.Г.Неизвестному, член-корр. РАНПрисвоено звание "Почётного профессора Одесского Университета им. И.И.Мечникова"
А.В.Двуреченский, член-корр. РАННаграждён почётной грамотой мэрии г.Новосибирска за плодотворную научно-организационную деятельность, большой вклад в развитие научного комплекса г. Новосибирска.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНСтал Лауреатом конкурса в номинации "100 лучших научно-исследовательских учреждений и организаций России" и награждён золотой медалью
Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН "КТИПМ"Награждён дипломом за участие в "5-й международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники"
Т.Б.Ежевская, к.т.н.Награждена дипломом на Международном молодёжном инновационном форуме "Интерра-2010" и VI Новосибирском инвестиционном форуме в рамках Всесибирской промышленной выставки "Сибполитех 2010"
Т.Б.Ежевская, к.т.н.Награждена дипломом Международной химической ассамблеи "ICA-2010"
Г.Ю.Сидоров, аспирантНаграждён дипломом за стендовый доклад на "XII Всероссийской конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике"
Е.В.Бельская, м.н.с.
П.П.Гугин, аспирант
Награждены Почётной грамотой за научный вклад и активное участие в работе Всероссийского симпозиума "Лазеры на парах металлов - 2010", посвященного 50-летию создания первого лазера

2009 год

В.Г.Хорошевский, член-корр. РАН, профессорНаграждён орденом "Профессионал России" и присвоено почетное звание "Заслуженный деятель науки Российской Федерации"
В.А.Селезнёв, к.ф.-м.н.Награждён Дипломом за научное руководство студенческой работой, отмеченной медалью "За лучшую научную студенческую работу" Министерства образования и науки Российской Федерации
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён Министром образования и науки РФ А.А.Фурсенко "Похвальным Листом" за вклад в развитие научно-промышленного комплекса России и активное участие в 15-ой Международной выставке-конгрессе "Высокие технологии. Инновации. Инвестиции"
Разработка "Технологическое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии"Завоевала диплом 1-ой степени с вручением золотой медали в номинации "Новые высокотехнологичные разработки оборудования и наукоёмкие технологии"
Новосибирский филиал ИФП СО РАН "Конструкторско-технологический Институт прикладной микроэлектроники"Награждён золотой медалью и почётным дипломом "За научную разработку тепло-визионных приборов на современной элементной базе" от имени правительства Омской области
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПринял участие в 15-ой международной выставке "ХИМИЯ-2009" и награждён дипломом Российского союза химиков дипломом
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён дипломом и золотой медалью от имени Министра промышленности и торговли РФ за участие в 5-ом международном форуме "OPTICS-EXPO"
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН за представленный на выставках ИК фурье-спектрометр с ИК-микроскопом Награждён:
Дипломом 4-й Международной выставки "Фотоника, мир лазеров и оптики";
Дипломом 15-ой Международной выставки химической промышленности и науки;
Медалью и дипломом V юбилейного Международного форума "Оптические приборы OPTICS-EXPO 2009"
Молодой учёный А.А.ШевыринОтмечен премией и почетной грамотой в составе коллектива соавторов за работу "Пробой кулоновской блокады в подвешенном одноэлектронном транзисторе, обусловленный возбуждением собственных мод его механических колебаний" в рамках IX Российской конференции по физике полупроводников
Молодой учёный С.Н.МамойленкоНаграждён орденом "Молодое дарование России", почётной грамотой Мэрии города Новосибирска за высокопрофессиональную учебно-методическую, научную и педагогическую деятельность, а также ему вручена грамота за лучший доклад на конференции "Многопроцессорные вычислительные и управляющие системы"
Молодой учёный А.В.ЕфимовНаграждён Дипломом III степени за лучший доклад на VI Всероссийской межвузовской конференции молодых учёных "Технологии высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования"
И.А.Корнеев, аспирантНаграждён медалью "За лучшую научную студенческую работу" Министерства образования и науки Российской федерации

2008 год

Директор Института академик А.Л.АсеевНаграждён медалью ордена "За заслуги перед Отечеством II степени".
А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор
А.В.Латышев, д.ф.-м.н.
Выбраны членами-корреспондентами Российской академии наук.
188 сотрудников Института награждены памятным знаком "За труд на благо города" в честь 115-летия со дня основания г. Новосибирска.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНВ номинации "Наукоёмкое оборудование", в рамках выставки"СИБПОЛИТЕХ-2008", награждён большой золотой медалью "За создание отечественной серии установок молекулярно-лучевой эпитаксии для наноэлектронных технологий".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНЗа участие в выставке "Инновационный потенциал российско-казахстанского сотрудничества в сфере наукоёмких технологий" оргкомитет выставки наградил Почётным дипломом.

2007 год

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННациональный комитет общественных наград наградил орденом Святого князя Александра Невского I степени за большой вклад в развитие отечественной науки.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНМэрия г.Новосибирска наградила Почётной грамотой за большой вклад в развитие научно-технического потенциала, подготовку высококвалифицированных кадров для науки, образования и промышленности г.Новосибирска и в связи с 50-летием со дня основания Сибирского отделения РАН.
А.Л.Асеев, академикНаграждён орденом М.В.Ломоносова за заслуги и большой личный вклад в развитие отечественной науки Национальным комитетом общественных наград.
А.Л.Асеев, академикГосударственная Дума Федерального собрания РФ объявила благодарность за активную общественно-политическую деятельность и в связи с 50-летием со дня основания Сибирского отделения РАН.
А.Л.Асеев, академикФедеральное агентство по атомной энергии РФ наградило Почётной грамотой за большой вклад в развитие атомной науки и техники, заслуги в научной деятельности, подготовку высококвалифицированных специалистов и в связи с 50-летием со дня образования Сибирского отделения РАН.
А.Л.Асеев, академикНаграждён почётной грамотой г.Новосибирска за большой вклад в социально-экономическое развитие г.Новосибирска и в связи с 50-летием со дня основания Сибирского отделения РАН.
А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор
А.В.Латышев, д.ф.-м.н.
И.Г.Неизвестный, член-корр. РАН
В.В.Болотов, д.ф.-м.н.
Награждены почётной грамотой Министерства образования и науки Российской Федерации.
Почётной грамотой Президиума РАН и профсоюза работников РАН награждены 26 сотрудников Института, почётной грамотой Президиума СО РАН удостоены 40 сотрудников Института.
В.Я.Принц, д.ф.-м.н.Награждён почётной грамотой губернатора Новосибирской области.
Знаком "Серебряная сигма" награждёны 258 сотрудников Института.
Н.Б.Придачин, к.ф.-м.н.Награждён Почетной грамотой администрации Советского района г.Новосибирска.
П.В.Журавлёв, д.т.н.В 2007 году руководитель Новосибирского филиала ИФП СО РАН КТИПМ, заместитель директора Института по научной проблематике филиала награждён медалью ордена "За заслуги перед Отечеством".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНЗа участие в выставке 4-5 октября 2007 года в Выставочном центре ННЦ СО РАН "Инновационный потенциал Российско-Казахского сотрудничества в сфере наукоёмких технологий" награждён дипломом оргкомитета выставки.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён дипломом и медалью Федерального агентства по промышленности за участие в третьем международном Форуме "ОПТИКА-2007", прошедшем на ВВЦ в г. Москве.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННаграждён дипломом Оргкомитета выставки за активное участие в выставке "SIMEXPO - Научное приборостроение -2007" 20-22 ноября.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Российский союз химиков и ЗАО "ЭКСПОЦЕНТР" наградил дипломом за активное участите в 14 международной выставке "ХИМИЯ - 2007" в период 3-7 сентября в г. Москве.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНФедеральное агентство по промышленности РФ, Правительство Омской области и Международный выставочный центр "Интерсиб" по результатам выставки "Военные Технологии и Технологии Вооружения", прошедшей 5-9 июня в г. Омске, присудили Диплом и золотую медаль "За освоение продукции многоцелевого назначения (тепловизоры матричные фотоприемники)".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНРуководство Исполкома г.Набережные Челны и Дирекция Выставочного предприятия "Экспо-Кама" присудили диплом за активное участие 14-16 февраля на 4 международной выставке "Нефть. Газ. Химия. Энергетика. Экология - 2007".

2006 год

А.Л.Асеев, академикНаграждён серебряной медалью "В благодарность за вклад в развитие Томского государственного университета" и избран почетным членом Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН (С.-Петербург).
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПринял участие в городском смотре-конкурсе "Социальная эффективность и развитие социального партнерства-2006". По результатам конкурса занял третье призовое место и награждён почетным дипломом.
А.Л.Асеев, академик
Н.Б.Придачин, к.ф.-м.н.
Вручены благодарственные письма от имени мэра города, председателя федерации профсоюзов города и председателя Совета Новосибирского Союза руководителей предприятий и работодателей.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНЗа активное участие в выставке научно-прикладных разработок СО РАН в г.Омске награждён дипломом Правительства Омской области.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПринял участие в выставке "Сибполитех-2006" на Сибирской Ярмарке.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПредставил большую экспозицию на втором международном форуме "ОПТИКА-2006". По результатам выставки от имени руководителя Федерального Агентства по промышленности Б.С.Алешина награждён дипломом и медалью участника.

2005 год

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПринял участие в следующих выставочных и рекламных компаниях:
  1. 26-28 октября традиционная выставка "СИБПОЛИТЕХ-05" на Сибирской Ярмарке принесла "Большую Золотую медаль" за создание универсального тепловизионного комплекса, обладающего рекордной чувствительностью для раннего выявления онкологических больных, изучения локальных химических реакций, диагностики причин отказа электронных компонентов.

  2. 30 августа - 2 сентября, г. Москва, ВВЦ. Совместно с КТИ ПМ представил большую экспозицию на международном оптическом форуме "ОПТИКА-2005". По результатам работы сформулировано 20 предложений о возможном сотрудничестве с предприятиями и организациями промышленности, науки и образования. Оргкомитет выставки наградил участников почётными дипломами.

2004 год

А.С.Терехов, д.ф.-м.н., профессорПрисвоено почётное звание "Заслуженный деятель науки Российской Федерации".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНВ рамках 4 Московского международного салона инноваций и инвестиций награждён тремя бронзовыми медалями и дипломами за создание технологии структур "кремний-на-изоляторе" и разработку приборов на их основе. За активное участие в этом салоне получил диплом от Российского фонда защиты прав потребителей.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАННа выставке "Сибполитех. Наука-2004" (г.Новосибирск), проведённой в рамках "Сибирской ярмарки", награждён малой золотой медалью и дипломом за разработку инфракрасного микроскопа.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНЗа развернутую экспозицию в г.Минске в рамках недели делового и культурного сотрудничества "Новосибирск-Минск" присуждён диплом Белорусской торгово-промышленной палаты.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНВ городском конкурсе "Социальная эффективность и развитие социального партнерства" занял третье место и награждён дипломом.

2003 год

А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессорБыл избран членом-корреспондентом Российской академии наук.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНБольшая золотая медаль и диплом присуждены Институту за разработку малогабаритного Фурье-спектрометра "Инфралюм-ФТ-801" на "3-ем международном салоне инноваций и инвестиций-2003"
Библиотека Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПрисуждены Малая золотая медаль и диплом в номинации "Специализированная литература" за издание и пропаганду научных трудов на выставке "Книга Сибири".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПрисуждены Большая золотая медаль и диплом "Сибирской ярмарки" за создание эллипсометра с большим пространственным и временным разрешением "Микроскан-М" на выставке "Наука Сибири-2003".

2002 год

В.Н.Овсюк, д.ф.-м.н., профессорВ составе коллектива авторов присуждена Государственная премия Российской федерации за цикл работ "Электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПрисуждены Большая золотая медаль и диплом на разработку медицинского матричного тепловизора "Свит" на выставке "Российская медтехника 2002".
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАНПолучил Большую золотую медаль и диплом "Сибирской Ярмарки" за разработку "Нанотранзистор на КНИ-структуре".