Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

21.04. - 23.04.2014 г.
21 апреля
, понедельник 9:00-13:00
конференц-зал АК

Председатель сессии: В.Л. Альперович

Направление I

(направление) Время Авторы, название работы Рецензенты
9:00

Вступительное слово директора ИФП СО РАН

(I) 9:10

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

Работа победитель конкурса 2013 года по I направлению
1
(I)
9:30

Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, М.В. Энтин, Л.И. Магарилл, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий

Влияние электронно-дырочного рассеяния на транспортные свойства двумерного полуметалла в квантовой яме HgTe

Терещенко О.Е
Ткаченко В.А.
2
(I)
10:10

И.И. Бетеров, М. Саффман, Е.А. Якшина, В.П. Жуков, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, К. Мансела, К. Маккормик, С. Бергамини и М.П. Федорук

Квантовые логические операции в мезоскопических атомных ансамблях на основе адиабатического прохождения и дипольной блокады

Рубцова Н.Н.
Зиновьева А.Ф.

10:50 - 11:00 Перерыв

3
(I)
11:00

Д.И. Рогило, Л.И. Fedina, С.С. Косолобов, Ranguelov B.S., А.В. Латышев

Критическая ширина террасы для двумерного зарождения при росте Si на поверхности Si(111)-(7×7)

Альперович В.Л.
Тийс С.А.
4
(I)
11:40

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.С. Косолобов, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков и А.С. Аракчеев

Кондактанс нелинейно колеблющейся нанопроволоки

Ткаченко В.А.
Брагинский Л.С.
5
(I)
12:20

А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Л.В. Кулик, N.A. Sobolev, M.C. Carmo

Электронные состояния в структурах с Ge/Si квантовыми точками: исследование методом ЭПР

Брагинский Л.С.
Климов. Э.

22 апреля, вторник 9:00 - 13:10
конференц-зал АК

Председатель сессии: А.К. Гутаковский

Время Авторы, название работы Рецензенты
6
(I)
9:00

Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов

Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1-x (x~0.3-0.5) нанометровой толщины, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge

Федина Л.И.
Зиновьев В.А.
7
(I)
9:40

Д.С. Абрамкин, В.Т. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский и Т.С. Шамирзаев

Кристаллическое строение и энергетический спектр GaSb/GaP квантовых точек

Болховитянов Ю.Б.
Блошкин А.А.
8
(I)
10:20

Жачук Р.А., Тийс С.А.

Структурные изменения на поверхностях Si(111) и Ge(111) под действием упругих деформаций

Шварц Н.Л.
Путято М.А.

11:00 - 11:10 Перерыв

9
(I)
11:10

А.С. Ильин, И.Д. Лошкарев, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, А.С. Тийс, А.К. Гутаковский, К.Н. Романюк, М.М. Качанова

Анализ структуры дислокационных сеток гетерограницы Ge/Si(111) на основе экспериментальных данных электронной и сканирующей туннельной микроскопии

Шкляев А.А.
Вдовин В.И.
10
(I)
11:50

Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко

Эволюция типа проводимости в плёнках оксидных диэлектриков при вариации стехиометрии

Блошкин А.А.
Наумова О. В.
11
(I)
12:30

А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, Д.В. Брунев, А.В. Зверев, С.А. Дворецкий

Определение длины диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe

Фрицлер К.Б.
Ковчавцев А.П.

23 апреля, среда, 9:00-12:10 и 13:50
конференц-зал АК

Председатель сессии: Ю.Г. Сидоров

Направление II

Время Авторы, название работы Рецензенты
12
(II)
9:00

Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.Н. Кручинин, В.А. Швец, Н.А. Аульченко, В.Ю. Прокопьев, Д.В. Пышный, В.В. Власов

Эллипсометры высокого пространственного разрешения для диагностики процессов перспективных label-free бионанотехнологий

Вайнер Б.Г.
Соколов Л.В.
13
(II)
9:40

Дульцев Ф.Н., Колосовский Е.А., Мик И.А., Ломзов А.А., Пышный Д.В.

Новый метод получения генетической информации с помощью QCM-сенсора по измерению силы раскручивания двойной спирали ДНК

Энтин М.В.
Романов С.И.
14
(II)
10:20

А.В. Царев, Ф.Д. Леонардис, В.М. Пассаро

Эффективное считывание данных с волоконных брэгговских датчиков

Швец В.А.
Рябцев И.И.

11:00 - 11:10 Перерыв

15(II) 11:10

А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович

Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными слоями цезия

Брагинский Л.С.
Терещенко О.Е.
16
(II)
11:50

И.А. Котин, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.И. Комонов, В.А. Володин

Структуры графен – гибридная подложка, обеспечивающие высокую подвижность носителей в графене

Сафронов Л.Н.
Протасов Д.Ю.
17
(II)
12:30

И.Е. Тысченко, А.Г. Черков, М. Фёльсков, В.П. Попов

Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 структур кремний-на-изоляторе»

Шкляев А.А.
Федина Л.И.
18
(II)
13:10

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, В.А. Володин, И.С. Жидков

Создание фторографена с разной степенью фторирования путем химической модификации графена

Попов В.П.
Погосов А.Г.

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: В. А. Ткаченко

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии