Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
СЕМИНАРЫ

2017

Административный корпус 27 сентября 2017 г.
Конференц-зал Среда, 10 часов

Иванов Константин Львович
Доктор физико-математических наук, профессор РАН, ведущий научный сотрудник
Международного томографического центра СО РАН

Анти-пересечения спиновых уровней энергии в NV-центрах в алмазах

Работа посвящена изучению зависимости от магнитного поля интенсивности фото-люминесценции NV− центров в монокристаллах алмаза. Экспериментально измеренные зависимости содержат характерные резкие особенности, в магнитных полях, соответствующих антипересечениям уровней (LAC, Level Anti-Crossing) в электрон-ядерных спиновых системах. Для изучения и чувствительной регистрации таких “LAC-линий” использовалась слабая модуляция магнитного поля B0 и синхронное детектирование для измерения интенсивности люминесценции. Такая методика проведения эксперимента позволяет существенно повысить чувствительность регистрации LAC-линий. Кроме того, обнаружена неожиданно сильная зависимость интенсивности линий от частоты модуляции поля: при уменьшении частоты модуляции fm от 12 кГц до 17 Гц интенсивность LAC-линий возрастает примерно на два порядка величины.

Для описания полученных экспериментальных данных предложена теоретическая модель, которая рассматривает спиновую динамику электрон-ядерных систем под действием переменного внешнего магнитного поля. Хорошее согласие между результатами экспериментов и численных расчетов позволяет заключить, что наблюдаемые эффекты обусловлены когерентным обменом неравновесной поляризацией в связанной спиновой системе, включающий NV− центр.

Эксперименты, проведенные при низкой частоте модуляции, выявили наличие дополнительных линий. Новые LAC-линии обусловлены взаимодействием NV− центра с другими дефектными центрами в кристалле. Для моделирования полевой зависимости люминесценции и LAC-линий предложен метод численного расчета переноса спиновой поляризации между центрами. Данный метод позволяет описать линии, возникающие в результате взаимодействия двух NV­– центров с разной ориентацией относительно внешнего магнитного поля, а также объяснить происхождение LAC-линии в нулевом поле и квадратичной зависимости ее амплитуды от интенсивности падающего излучения. Проведено моделирование для ряда других линий, обусловленных взаимодействием NV– центра с P1 центром (нейтральных азотные центры), с NV0 центрами и с дефектными центрами со спином 1 (возможно, фосфор-содержащими центрами).

Данные результаты могут представлять интерес с точки зрения оптимизации экспериментальных условий для изучения LAC-линий в кристаллах алмаза, содержащих NV− центры, а также для непрямой регистрации других парамагнитных дефектов.




Административный корпус 11 сентября 2017 г.
Конференц-зал Понедельник, 10 часов

Prof. Yakov Roizin
(TowerJazz Company)

Sensors in semiconductor technologies targeting IoT applications

Краткая аннотация:

Being the elements for gathering and outputting the key data, semiconductor sensors are in the center of the incredible growth of the Internet of Things(IoT). IoT sensor market is expected to reach ~40 billion of USD by 2022. Demands to technological platforms for fabrication and integration of different sensors are summarized in the presentation. Examples of sensors (in mass production and in R&D stage in TowerJazz) are reviewed with the focus on their operation physics and related technological challenges. In particular, (i) quasi-nanowire temperature and gas sensors fabricated on SOI with thin device layers, (ii) original sensors based on integrated in CMOS MTJ (magnetic tunnel junctions) and (iii) sensors based on GaN on silicon technology are presented. As an example of sensor platforms enablers, production ReRAM technology based on tantalum oxide is discussed with the emphasis on NVM device physics and materials.




на базе лаборатории нанодиагностики и нанолитографии

Административный корпус 7 июня 2017 г.
Конференц-зал Среда, 11 часов

Ситников Сергей Васильевич

Атомные процессы на поверхности кремния (111) в присутствии поверхностных вакансий

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности: 01.04.07 — физика конденсированного состояния

Научный руководитель — академик РАН Латышев Александр Васильевич

Рецензент – д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович




на базе лаборатории нанодиагностики и нанолитографии

Административный корпус 7 июня 2017 г.
Конференц-зал Среда, 10 часов

Рогило Дмитрий Игоревич

Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальностям: 01.04.07 — физика конденсированного состояния, 01.04.10 — физика полупроводников

Научные руководители: к. ф.-м. н. Федина Людмила Ивановна, академик РАН Латышев Александр Васильевич

Рецензент – к.ф.-м.н. Шварц Наталья Львовна




на базе лаборатории физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5

Административный корпус 31 мая 2017 г.
Конференц-зал Среда, 10 часов

Постолова Светлана Владимировна

Электронный и вихревой транспорт в сверхпроводящих плёнках нитрида титана

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»

Научный руководительБатурина Татьяна Ивановна, кандидат физико-математических наук, доцент

РецензентБоярский Леонид Александрович, доктор физико-математических наук, профессор




В среду, 12 апреля, в 10-00 в актовом зале АК ИФП СО РАН состоится Институтский семинар.

Тема: «Фундаментальные свойства матричных элементов энергонезависимой резистивной памяти и их интеграция для энергоэкономных однокристальных систем и моделирования нейронных сетей».

Докладчик: С.В. Ковешников, заместитель директора по инновациям ИПТМ РАН (г. Черноголовка).

на базе лаборатории теоретической физики

Административный корпус5 апреля 2017 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Нестоклон Михаил Олегович

Физико-технический Институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»

Рецензент – доктор физико-математических наук, профессор, академик РАН Чаплик Александр Владимирович




на базе лаборатории неравновесных полупроводниковых систем и лаборатории физики и технологии гетероструктур

Административный корпус29 марта 2017 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Степина Наталья Петровна

Перенос заряда по локализованным состояниям в низкоразмерных и мезоскопических структурах на основе кремния

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»

Научный консультант – член-корреспондент РАН Двуреченский Анатолий Васильевич

Рецензент – доктор физико-математических наук Климов Александр Эдуардович




на базе лаборатории теоретической физики

Административный корпус15 февраля 2017 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Ковалёв Вадим Михайлович

Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»

Научный консультант – доктор физико-математических наук, профессор, академик РАН Чаплик Александр Владимирович

Рецензент – доктор физико-математических наук, профессор Квон Дмитрий Харитонович




на базе лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур

Административный корпус1 февраля 2017 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Наумова Елена Валериевна

Создание и исследование киральных терагерцовых метаматериалов на основе нанопленочных микроспиралей

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»

Рецензент – кандидат физико-математических наук Володин Владимир Алексеевич

Научный руководитель – доктор физико-математических наук, профессор Принц Виктор Яковлевич




на базе лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5

Административный корпус25 января 2017 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Свит Кирилл Аркадьевич

ПРОЦЕССЫ САМООРГАНИЗАЦИИ И ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНСПОРТ В МАССИВАХ НАНОКРИСТАЛЛОВ CdS, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников»

Рецензент – доктор физико-математических наук Шкляев Александр Андреевич.

Научный руководитель – доктор физико-математических наук Журавлев Константин Сергеевич