Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЯ
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур на основе соединений III-V для полевых СВЧ транзисторов

GaAs СТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОЛЕВЫХ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ:
Создана базовая технология молекулярно-лучевой эпитаксии многослойных полупроводниковых структур соединений In-Al-Ga-As.

Разработаны и утверждены ТУ 1778-03533808-01 "Структуры гетероэпитаксиальные соединений галлия-алюминия-мышьяка" на

  • гетероэпитаксиальные структуры n+-GaAs/n-GaAs/GaAs для мощных СВЧ транзисторов типа MESFET;
  • гетероэпитаксиальные структуры n+-GaAs/AlGaAs/n-GaAs/GaAs для мощных СВЧ транзисторов типа HFET.

На основе этих гетероструктур ОАО "Октава" (г.Новосибирск) разработан ряд СВЧ модулей.

назад