Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
2004
В.В.Шашкин, М.А.Демьяненко, А.И.Козлов, А.Г.Клименко, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, П.Ю.Пак, А.П.Савченко
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Сектор физико-технических проблем микросборки многоэлементных приборных устройств.
В.В.Шашкин, М.А.Демьяненко, А.Г.Клименко, В.Н.Овсюк, О.И.Семенова, Л.Л.Васильева, Б.И.Фомин
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6.
А.А.Пахневич, В.В.Бакин, А.В.Язьков, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелёв, О.Е.Терещенко, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
В.А.Гриценко
Научно-технический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
Ю.В.Настаушев, М.М.Качанова, Ф.Н.Дульцев, О.В.Наумова, Д.В.Щеглов, А.С.Медведев, В.П.Попов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
А.Г.Погосов, М.В.Буданцев, Р.А.Лавров, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
В.П.Попов, А.А.Французов, О.В.Наумова, Л.Н.Сафронов, М.А.Ильницкий, Б.И.Фомин, В.М.Кудряшов, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур.
Л.В.Литвин, Д.В.Щеглов, А.А.Быков, З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий, Л.А.Ненашева, А.С.Медведев, А.И.Торопов, А.В.Латышев, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, Д.Г.Бакшеев, А.Л.Асеев
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5.
А.О.Говоров, А.В.Каламейцев
Лаборатория теоретической физики
Л.И.Магарилл, М.В.Энтин
Лаборатория теоретической физики
А.В.Ненашев, А.Ф.Зиновьева, А.В.Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Э.Г. Батыев
Лаборатория теоретической физики
В.Я.Принц, А.В.Воробьев
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
В.Я.Принц, В.В.Принц, А.В.Воробьев
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
М.Д.Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р.А. Салимов, С.П.Бардаханов
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
Болотов В.В.*, Окотруб А.В.***, Кан В.Е.*, Камаев Г.Н.**,
Пономарева И.В.*, Стенькин Ю.А.*
*Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН,
**Институт физики полупроводников,
***Институт неорганической химии СО РАН
И.И.Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
В.В.Атучин
Сектор оптических материалов и структур
В.А.Гайслер
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
П.А.Бохан, Д.Э.Закревский
Лаборатория мощных газовых лазеров
А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский, Б.З.Ольшанецкий
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур
Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, Д.Н.Придачин, С.В.Рыхлицкий, В.А.Швец
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А3В5.
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур.
В.В.Преображенский, В.Г.Мансуров, К.С.Журавлев, А.И.Торопов, О.П.Пчеляков, Т.Х.Хамзин
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Сектор люминесцентного анализа полупроводниковых материалов и структур
К.С.Журавлев, В.Г.Мансуров, В.В.Преображенский, Ю.Г.Галицын, Б.Р.Семягин, В.А.Колосанов, О.А.Шегай, М.А.Ревенко, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, Т.С.Шамирзаев, А.Б.Талочкин, В.И.Ободников, В.Н.Овсюк
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Сектор люминесцентного анализа полупроводниковых материалов и структур.
А.В.Зверев, И.Г.Неизвесный, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники