Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
2016
T. Bathon, S. Achilli, P. Sessi, В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко, M. Bode
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск
University of Würzburg, Germany
Universia Cattolica di Brescia, Italy
Advanced Materials, 2016, v. 28, №11, p. 2183-2188
Д.А. Козлов, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Physical Review Letters, 2016, 116, 166802
В.А. Голяшов, А.А. Родионов, Е.С. Юданова, К.А. Кох, О.Е. Терещенко
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск
Nature Communications, 2016, v. 7, p. 11621
А.Ю. Миронов, С.В. Постолова, Д.А. Насимов
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, №11, с. 787
А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, вып. 6, с. 402-405
А.Г. Милёхин
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
Nanoscale, 2016, v. 8, №39, p. 17204-17212
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Письма в ЖЭТФ, 2016, т.104, вып. 7, с. 507-511
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Р.Н. Меньшиков, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, М.Щ. Нестоклон
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A2B6
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
ФТИ им Иоффе, Санкт-Петербург
Physical Review B, 2016, v. 93, No15, p. 155304
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, No4, с. 241-247
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Р.Н. Меньшиков, Д.А. Козлов, М.Л. Савченко, Д.Х. Квон, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, D. Weiss
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A2B6
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
University of Regensburg, Germany
Physical Review Letters, 2016, v. 116, №16, p. 166802
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, №5, с. 311-317
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, С.В.Морозов, В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, А.В. Антонов, В.И. Гавриленко
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A2B6
ИФМ РАН, г. Нижний Новгород
Applied Physics Letters, 2016, v. 108, №9, p. 092104
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.С. Криштопенко, А.М. Кадыков, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, M. Orlita F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, W. Desrat, D. But, W. Knap J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, Z. Jiang
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A2B6
ИФМ РАН, г. Нижний Новгород
LNCMI, Grenoble
Charles Coulomb Laboratory, Montpellier
NHMFL, Tallahassee, Florida, USA
Georgia Inst. Of Technology, Atlanta, USA
Nature Communications, 2016, v. 7, p. 12576
В.М. Ковалев, А.В. Чаплик
Лаборатория теоретической физики
ЖЭТФ, 2016, т. 149, вып. 3, с. 578
Л.И. Магарилл, М.В. Энтин
Лаборатория теоретической физики
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, вып. 6, с. 402-405
А.В. Гайслер, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Письма в ЖЭТФ, 2017, т. 105, вып. 2, с. 93-99
А.А. Быков, И.С. Стрыгин, А.В. Горан, А.К. Калагин, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Appl. Phys. Lett., 2016, v. 108, p. 012103
Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, Е.Ю. Жданов, А.К. Бакаров, А.И. Торопов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5
Физика и техника полупроводников, 2016, вып. 8, с. 1070-1074
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5
Physical Review Letters, 2016, v. 117, p. 017702
Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, Т.С. Шамирзаев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, В.В. Преображенский, Д.А. Колотовкина, А.К. Гутаковский
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Письма в ЖЭТФ, 2016, вып. 103, с. 785 – 791
А.Ф. Зиновьева, В.А. Зиновьев, А. В. Ненашев, Л.В.Кулик, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Zeitschrift für Physikalische Chemie, 2016 (принята в печать)
И.А. Милёхин, А.Г. Милёхин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник- диэлектрик
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Beilstein J. Nanotechnol., 2016, v. 7, p. 1519-1526
А.А. Лямкина, С.П. Мощенко, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, К. Шрамль, М. Канибер, Д. Финли
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Институт Вальтера Шоттки, Технический Университет Мюнхена
Optics Express, 2016, v. 24, №25, p. 28936
Journal of Nanophotonics, 2016, v. 10, No3, p. 033509
А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин, В.И. Машанов
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Journal of Applied Physics, 2016, v. 119, №13, p. 134302
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Микроэлектроника, 2016, т.45, №5, стр.379-385
ECS Transactions, 2016, v.75, accepted
T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, M. Bayer
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Physical Review B, 2016, v. 94, №4, p. 045411
А.Э. Климов, В.С. Эпов
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
Физика и техника полупроводников, 2016, т. 50, вып. 11, с. 1501-1508
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.П. Супрун, В.С. Эпов
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
Физика и техника полупроводников, 2016, т. 50, вып. 12, с. 1713-1719.
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, А.Г. Черков, В.П. Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
А.Ф. Зиновьева, В.А. Зиновьев, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.А. Мудрый, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, вып. 12, с. 845-848
В.А. Володин, М.П. Гамбарян, А.Г. Черков, В.И. Вдовин
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Materials Research Express, 2016, v. 3, №8, p. 085019
Proc. SPIE, 2016, v. 10224, p. 102240C (1-14)
С.А. Рожков, В.В. Бакин, Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
Письма в ЖЭТФ, 2016, т. 104, вып. 2, с. 128-132
А.Г. Журавлев, В.Л. Альперович
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
Appl. Surf. Sci., 2017, vol. 395, p. 3-8
И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Scripta Materialia, 2016, v. 114C, p. 125-128
Н.A. Валишева, М.С. Аксенов, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, г. Томск
The Journal of Physical Chemistry C, 2016, v. 120, p. 17491.
В.Г. Кеслер, Е.Р. Закиров, А.С. Кожухов
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Proceedings of 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, 2016, p. 11 – 15
В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, В.Д. Живулько, А.В. Мудрый
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.А. Блошкин, А.В. Двуреченский, А.А. Шкляев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория нанодиагноститки и нанолитографии
Materials Research Express, 2016, v. 3, 105032
Д.И. Рогило, Л.И. Федина, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
М.А. Путято, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, Т.А. Гаврилова
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, А.К. Гутаковский, Н.А. Байдакова
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Journal of Crystal Growth, 2017, v. 457 , 2017, р. 215–219
International Journal of Applied Physics, 2016, v. 1, p. 57-61
Semiconductors, 2016, v. 50, p. 1582-1589
К.В. Феклистов, Л.И. Федина, А.Г. Черков, В.П. Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Solid State Communications, 2016, v. 242, pp.41-45
В.В. Атучин, В.А. Голяшов, К.А. Кох, И.В. Корольков, А.С. Кожухов, В.Н. Кручинин, И.В. Лошкарев, Л.Д. Покровский, К.Н. Романюк, О.Е. Терещенко
Лаборатория оптических материалов и структур
Лаборатория молекулерно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5
Новосибирский государственный университет
Томский государственный университет
Институт геологии и минералогии СО РАН
Санкт-Петербургский государственный университет
Институт неорганической химии СО РАН
Институт катализа СО РАН
University Aveiro, Portugal
Уральский федеральный университет
Journal of Solid State Chemistry, 2016, v. 236, р. 203-208
Г.И. Назариков, С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Н.Е. Рыбин, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
А.В. Шкляев, А.В. Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Nanoscale Research Letters, 2016, v.11, p.366
А.К. Гутаковский, Д.А. Колотовкина, А.К. Бакаров, А.И. Торопов
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Nanotechnologies in Russia, 2016, 11(1), p. 12-19
Письма в ЖЭТФ, 2016, том 103, вып.11, с.785-791
А.К. Гутаковский, А.А. Недомолкина, Л.Л. Свешникова
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Philosophical Magazine Letters, 2016, v.96, p. 361-366
В.П. Попов, В.А. Антонов, Э.Д. Жанаев, Н.В. Дудченко, И В. Вдовин, И.Е. Тысченко, В.А. Володин
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
С.В. Голод, Д.Б. Султанов, А.Ф. Булдыгин, Е.В. Наумова, А.Е. Гайдук, В.Я. Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
И.В. Антонова, Е.В. Базылева, И.А. Котин
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
Успехи физических наук, 2017, вып.187, c. 220–234
А.И. Комонов, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, К.А. Кох, В.Н. Шлегель
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
Лаборатория роста кристаллов ИГМ СО РАН
Лаборатория роста кристаллов ИНХ СО РАН
Е.А. Якимчук, Р.А. Соотс, И.А. Котин, И.В. Антонова
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
Письма в ЖТФ, 2016, т.42, №8, с. 102-110
А.И. Иванов, Н.А. Небогатикова, И.А. Котин, И.В. Антонова
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
Е.С. Юданова, Т.А. Дуда, О.И. Семенова, О.Е. Терещенко, Д.С. Абрамкин
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник- диэлектрик
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Journal of Crystal Growth, 2017, v. 462, p.45-49
Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.В. Зверев, В.Д. Кузьмин, Ю.С, Макаров, Е.А. Михантьев, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, А.О. Сусляков, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 2016 г., с. 20-23
И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Васев, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, В.М. Энтин, Д.Б. Третьяков, И.И. Рябцев, Н.Б. Кузьмин, Н.Р. Вицина, М.А. Костычева, Т.А. Левцова, Н.А. Валишева, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем
К.С. Журавлев, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Я.М. Парнес
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Новосибирский государственный университет, Новосибирск
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва
ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург
Письма в ЖТФ, 2016, Т.42, No. 14, с. 72–79
В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Д.В. Марин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, А.В. Царенко, М.В. Якушев
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 12, с. 1627–1631
Д.Ю. Протасов, Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
J. Phys. D:Appl. Phys., 2016, 49(9), р. 095108
Solid State Electronics, 2017, v.129, p. 66-72
Б.И. Фомин, О.В. Наумова, Д.Г. Есаев, М.А. Демьяненко
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, А.Р. Новоселов
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Автометрия, 2016, т. 52, No 2, с. 115 - 121
А.В. Голицын, Д.В. Алантьев
Отдел моделирования оптико-электронных приборов Филиала ИФП СО РАН «КТИПМ»
А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, П.Л. Новиков, В.А. Зиновьев, П.А. Кучинская, С.А. Рудин, А.В. Ненашев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Physica Status Solidi (c), 2016, v. 13, No 10-12, p. 882-885
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
ECS Transactions, 2016, v.75, No5, p.227-233
Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, И.И. Бетеров, И.И. Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
Phys. Rev. A, 2016, v.94, p.043417
УФН, 2016, т.182, No2, с.206-219
Р.А. Жачук, С.А. Тийс
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
Н.Л. Шварц, М.А. Василенко, А.Г. Настовьяк
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
Автометрия, 2016, т.52, No5, с. 111-121
И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Е.А. Якшина, Г.Н. Хамзина, Е.А. Кузнецова, M. Saffman, S. Bergamini
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin, USA
The Open University, Walton Hall, UK
Journal of Physics B, 2016, v.49, p.114007
Physical Review A, 2016, v. 94, p. 062307
Р.М. Тазиев, А.В. Царев
Лаборатория оптических материалов и структур
Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, И.И. Рябцев, И.Г. Неизвестный
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
Автометрия, 2016, т.52, No5, с.44-54
Известия РАН, Серия физическая, 2016, т. 80, No1, с. 6-9
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, Д.В. Ледовских, А.А. Ковалёв, Н.Н. Рубцова
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Laser Physics, 2016, v. 26, p. 025001 (6pp)
Laser Physics, 2016, v. 26, p. 125001 (5pp)
Автометрия, 2016, т.52, No2, стр. 52-56
Н.Н. Рубцова, В.Г. Гольдорт, Е.Б. Хворостов, С.А. Кочубей, В.А. Решетов
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
Laser Physics Letters, 2017, v. 14, No 2, р. 026001
П.А. Бохан, К.С. Журавлёв, Дм.Э. Закревский, Т.В. Малин, И.В. Осинных, Н.В. Фатеев
Лаборатория мощных газовых лазеров
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5