Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук

В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН 2.1.1, 2.2.2, 2.3.2, 4.6.1 и 5.2.1.

Программа СО РАН №2.1.1

"Физика полупроводников и диэлектриков, твердотельные системы пониженной размерности".
(Координатор - академик РАН А.Л.Асеев)

2.1.1.1. "Эффекты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и спиновые явления в структурах с квантовыми точками"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский.

2.1.1.2. "Разработка излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых наноструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гайслер.

2.1.1.3. "Электронные свойства низкоразмерных систем и наноструктур на их основе"
Руководители - член-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

2.1.1.4. "Развитие физико-химических основ наноструктурирования полупроводниковых материалов и анализ основных закономерностей роста и дефектообразования в системах пониженной размерности"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.В.Латышев.

2.1.15. "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А3В5, легированных пленок PbSnTe:In и термоэлектрических свойств оксидов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.Н.Овсюк.

2.1.1.6. "Физико-химические основы формирования границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-структурах на основе соединений А3В5 и КРТ, фоточувствительных в диапазоне 3 мкм"
Руководитель - д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев.

2.1.1.8. "Изучение физико-химических процессов роста и легирования многослойных наноструктур на основе соединений А2В6 в методе молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием одноволновой и спектральной эллипсометрии"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

2.1.1.9. "Изучение атомных, электронных и фотоэмиссионных явлений на атомарно-чистой поверхности соединений А3В5"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

Программа СО РАН №2.2.2

"Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники".
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор И.Г.Неизвестный)

2.2.2.1. "Базовые технологии оптоэлектронных материалов и физические процессы в слоистых и нанофотонных волноводных структурах"
Руководитель - к.ф.-м.н., доцент В.В.Атучин.

2.2.2.2. "Развитие исследований и разработок физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых интегрированных микросенсоров на основе пленок наноструктурирванных материалов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

2.2.2.3. "Генерация квантового ключа в оптоволоконных линиях связи"
Руководители - член-корр.РАН, профессор И.Г.Неизвестный, д.ф.-м.н. И.И.Рябцев.

2.2.2.4. "Разработка физико-химических методов получения ультра тонких полупроводниковых гетероструктур на изоляторе и исследование процессов электронного транспорта в наноструктурах на их основе"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П.Попов.

2.2.2.5. "Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.Я.Принц.

2.2.2.6. "Исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии и разработка научных основ технологии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А3В5, включая нитриды металлов третьей группы для создания приборов наноэлектроники и фотовольтаики"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

2.2.2.7. "Молекулярно-лучевая эпитаксия на основе соединений А3В5 для полевых СВЧ транзисторов"
Руководитель - д.ф.-м.н. К.С.Журавлев.

2.2.2.8. "Физико-технологические основы матричных фотоприемных устройств субмиллиметрового диапазона длин волн на основе пленок PbSnTe:In"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э.Климов.

Программа СО РАН №2.3.2

"Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения с веществом"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор А.М.Шалагин)

2.3.2.1. "Когерентные, нелинейные и столкновительные процессы в атомах, моле- кулах, стеклах, микрочастицах и наноструктурах при взаимодействии с интенсив- ным лазерным излучением"
Руководитель - д.ф.-м.н. П.А.Бохан.

Программа СО РАН No 4.6.1

"Архитектура, организация функционирования и программное обеспечение информационно-вычислительных систем новых поколений"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский)

4.6.1.1. "Методы алгоритмы анализа и организация функционирования распределенных вычислительных систем, параллельное мультипрограммирование и аппаратурно-программный инструментарий для моделирования технологий обработки информации"
Руководитель - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский.