Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
Конференции и командировки

На базе ИФП СО РАН ежегодно проводится подсекция Международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", посвященная физике полупроводников. Секретарь подсекции - член СНМ ИФП СО РАН А.А.Блошкин.

СНМ ИФП СО РАН оказывает финансовую поддержку участия молодых сотрудников ИФП СО РАН в российских и международных научных конференциях. Для получения финансовой поддержки следует обратиться к председателю СНМ ИФП СО РАН И.И.Бетерову (тел. 333-24-08, beterov@isp.nsc.ru) со служебной запиской (в бумажной и электронной форме), подписанной руководителем молодого сотрудника. 

Участие в конференциях молодых сотрудников при поддержке СНМ ИФП СО РАН в 2014 году:

  1. Чесницкий Антон Васильевич, XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 17-22 февраля 2014

  2. Мутилин Сергей Владимирович, XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 17-22 февраля 2014

  3. Воробьева Юлия Сергеевна, XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 17-22 февраля 2014

  4. Журавлев Андрей Григорьевич, XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 17-22 февраля 2014

  5. Князева Мария Викторовна, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-14 марта 2014

  6. Казанцев Дмитрий Михайлович, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-14 марта 2014

  7. Бетеров Илья Игоревич, Китайско-российское совещание по лазерной физике, фундаментальной и прикладной фотонике CRWLP-2014, Тяньцзинь, 29 апреля – 5 мая 2014

  8. Перевалов Тимофей Викторович, Тринадцатая международная конференция «Физика диэлектриков» (Диэлектрики — 2014), Санкт-Петербург, 2-6 июня 2014

  9. Исламов Дамир Ревинирович, Тринадцатая международная конференция «Физика диэлектриков» (Диэлектрики — 2014), Санкт-Петербург, 2-6 июня 2014

  10. Осинных Игорь Васильевич, ВНКСФ-20, Ижевск, 27 марта – 3 апреля 2014

  11. Хандархаева Саяна Евгеньевна, 2-ая Школа молодых ученых «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях наноструктур и наноматериалов», Черноголовка, 30 мая – 5 июня 2014

  12. Голобокова Людмила Сергеевна, I международная конференция и школа «Saint-Petersburg OPEN 2014». Санкт-Петербург, 25-27 марта 2014

  13. Гуляев Дмитрий Владимирович, Nanostructures, Physics and Technology, Санкт-Петербург, 23-27 июня 2014

  14. Ахундов Игорь Олегович, Nanostructures, Physics and Technology, Санкт-Петербург, 23-27 июня 2014

  15. Абрамкин Демид Суад, XIV международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике, Аршан, 30 июня – 5 июля 2014

  16. Кулубаева Эльза Гайнуллаевна, «Кремний-2014», Иркутск, 7-12 июля 2014

  17. Маляренко Николай Федорович, «Кремний-2014», Иркутск, 7-12 июля 2014

 

Участие в конференциях молодых сотрудников при поддержке СНМ ИФП СО РАН в 2013 году:

  1. А.Г.Настовьяк - участие в международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology", Санкт-Петербург, 24-28 июня 2013, доклад "Influence of deposition parameters on GaAs nanowire growth: Monte Carlo simulation".

  2. И.В.Осинных - участие в Всероссийской конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-19, Архангельск, 28 марта - 4 апреля 2013) и II Всероссийском конгрессе молодых ученых, С.Петербург, 9-13 апреля 2013, доклад "Исследования сильнолегированных AlGaN слоев, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием силана".

  3. Д.В.Горшков - участие в 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия, алюминия: структуры и приборы", Москва, 13-15 июня 2013, доклад "Полупрозрачный p-GaN(Cs,O) фотокатод: распределение фотоэлектронов по поперечным энергиям".
  4. В.А.Тимофеев - участие в Международной конференции Европейского общества по исследованию материалов (E-MRS 2013 SPRING MEETING), доклад "Influence of growth parameters on superstructure type and Ge island properties in Ge/GeSi, Ge/GeSi/Ge nanoheterostructures", Страсбург, 25 мая - 1 июня 2013.

  5. Н.А.Ерюков - участие в 13-ой европейской конференции по организованным пленкам (ECOF 13), г. Корк (Ирландия), 8 - 12 июля 2013, доклад «Semiconductor Nanocrystals Formed Using Langmuir-Blodgett Technique: Crystal Structure & Vibrational Properties».
  6. И.А.Александров - участие в 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы», Москва, 13 - 15 июня 2013, доклад «Исследование процессов рекомбинации в квантовых точках GaN/AlN».

  7. М.А.Паращенко - участие в XIV Международной конференции молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM 2013), Эрлагол, республика Алтай, "Flow-through Ordered Macroporous Silicon Sensor for Liquids Detection".

  8. И.И.Бетеров - участие в Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике ICONO/LAT 2013, Москва, 18-22 июня 2013, доклад "Quantum gates with mesoscopic atomic ensembles".
  9. Е.Е.Родякина - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Взаимодействие атомных ступеней на поверхности Si(111) в условиях электромиграции".

  10. Д.А.Козлов - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Трехмерный топологический изолятор на основе напряженного HgTe".

  11. Д.А. Похабов - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Пространственное распределение неравновесных токов в режиме квантового эффекта Холла".

  12. С.А.Рожков - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Изучение эффекта Шоттки в p-GaAs(Cs,O) фотокатоде спектроскопическим методом".

  13. А.А.Лямкина  - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Гибридные металл-полупроводниковые структуры с вертикальным самосовмещением для плазмонных приложений".

  14. К.В.Торопецкий  - участие в ХI Российской конференции по физики полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург, тема доклада - "Цезий индуцированное окисление p-GaAs".

  15. А.К. Шестаков - участие в первой Российско-Белорусской научно-технической конференции, тема доклада «Элементная база отечественной радиоэлектроники», 11–14 сентября 2013 года, Нижний Новгород, доклад - «Сравнение величины СВЧ потерь в GaAs гомоструктурных и AlGaAs/GaAs гетероструктурных pin-диодах».

  16. Н.А.Ерюков - участие в 13 Европейской конференции по организованным пленкам (ECOF 13), 8 - 12 июля 2013, г. Корк (Ирландия), доклад «Semiconductor Nanocrystals Formed Using Langmuir-Blodgett Technique: Crystal Structure & Vibrational Properties».
  17. П.П.Гугин - участие в  IX International Conference "Atomic & Molecular Pulsed Lasers", Томск, 16-20 сентября 2013, доклады «Исследование частотно-энергетических характеристик саморазогревной трубки Cu-Br лазера», характеристики высоковольтных мощных субнаносекундных коммутаторов и их применение для накачки мощных лазеров на парах металлов».

  18. М.А.Лаврухин - участие в  IX International Conference "Atomic & Molecular Pulsed Lasers", Томск, 16-20 сентября 2013, доклады «Лазер на парах меди с высокой частотой следования, накачиваемый генератором на основе кивотрона», «Мультикилоамперный высоковольтный наносекундный коммутатор на основе фотоэлектронного открытого разряда».

  19. С.А. Рожков - участие в XI Российской конференции по физике полупроводников, 16 - 20 сентября 2013 года, Санкт-Петербург, доклад «Изучение эффекта Шоттки в p-GaAs(Cs,O) фотокатоде спектроскопическим методом».

 

 Участие в конференциях молодых сотрудников при поддержке СНМ ИФП СО РАН в 2012 году:

  1. А.Г.Журавлев - участие в Уральской международной зимней школе по физике полупроводников, Екатеринбург, 20-25 февраля 2012,  доклад "Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными субмонослойными цезиевыми покрытиями"Отчет 01.02.2013.

  2. И.В.Осинных - участие во Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, Красноярск, 29 марта - 5 апреля 2012,  доклад "Исследование спектров фотолюминесценции AlGaN/GaN гетероструктур с двумерным электронным газом при наличии акцепторных центров, порожденных структурными дефектами на гетерогранице". Отчет 15.05.2013.

  3. С.В.Мутилин - участие в 20-й Международной конференции «Nanostructures: Physics and Technology», Нижний Новгород, 24-30 июня 2012,  доклад "Формирование микротрубок и гофрировок из ZnTe/CdTe/CdHgTe".
  4. С.В.Постолова - участие в международной конференции "International Conference on Superconductivity and Magnetism,   Стамбул, 29 апреля - 4 мая 2012, доклад "Non-linear conduction in superconducting films: overheating and the BKT transition".

  5. П.А.Кучинская - участие в IX Международной конференции и VIII школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний-2012», Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012, доклад "Упорядоченные SiGe квантовые точки на квантовых дисках". Отчет 15.05.2013.
  6. И.Д.Лошкарев - участие  в IX Международной конференции  «Кремний-2012», Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012, доклад "Зависимость деформационного состояния пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев".

  7. Н.С.Филиппов - участие в Международной конференции "Постгеномные технологии для биомедицины", Новосибирск, с 25-29 июня 2012, доклад "Electroosmotic pump based on silicon microchannel membrane for bioanalytical platforms". Отчет 15.05.2013.

  8. Д.А.Похабов - участие в Международной конференции «High Magnetic Fields in Semiconductor Physics», Шамони (Франция), 22-27 июля 2012, доклад "Non-equilibrium currents in the quantum Hall effect regime spatially resolved by transport experiment". Отчет 03.07.2013.

  9. Е.Ю.Жданов - участие в Международной конференции «High Magnetic Fields in Semiconductor Physics», Шамони (Франция), 22-27 июля 2012, доклад "Electron transport in semiconductor membranes in quantizing magnetic field". Отчет 03.07.2013.

  10. Н.А.Ерюков - участие в 4-й Международной конференции по самоорганизации наноструктур "Nanosea 2012", Санта Маргарита ди Пула (Италия), 25-29 июня 2012, доклад "Surface enchanced Raman scattering by organic and inorganic analytes on laterally ordered arrays of Au nanoclusters". Отчет 22.05.2013.

  11. Т.В.Перевалов - участие в Международной научной школе "Компьютерное моделирование новых материалов", Москва, 16-21 июля 2012. Отчет 22.05.2013.

  12. И.И.Бетеров - участие в Международном семинаре по управлению светом и материей (18-19 июля 2012, Рига, Латвия) и Международной конференции по атомной физике ICAP-2012 (23-29 июля 2012, Париж, Франция), темы докладов - "Adiabatic passage in atomic ensembles for quantum logic with Rydberg atoms" и "Adiabatic passage at Rydberg blockade for single-atom loading and quantum gates". Отчет 28.03.2013.

  13. Т.Т.Карчагина - участие в семинаре Казанского физико-технического института им. Е.К.Завойского, Казань, 25 мая - 2 июня 2012, доклад "Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях".

  14. А.Г.Журавлев -  участие в международной конференции "31st International Conference on the Physics of Semiconductors", Цюрих, Швейцария, 29 июля  - 3 августа 2012, доклад "Kinetics of Band Bending and Electron Affinity at GaAs(001) Surface with Nonequilibrium Cesium Overlayers". Отчет 01.02.2013.

  15. Д.В.Гуляев - участие в Международной конференции по люминесценции и лазерной физике, Иркутск, 16-22 июля 2012 года, тема доклада «Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны"

  16. А.А.Лямкина - участие в Международной конференции по люминесценции и лазерной физике, Иркутск, 16-22 июля 2012 года, тема доклада «Подстройка в резонанс экситон-плазмонного взаимодействия в гибридной системе квантовая точка-капля индия при контролируемом окислении металла: численное моделирование». Отчет 30.05.2013.

  17. В.М.Ковалев - участие в Научной школе по нанофизике и наноэлектронике (Москва, Черноголовка), 12-19 июня 2012.

  18. Д.С.Мисерев - участие в Научной школе по нанофизике и наноэлектронике (Москва, Черноголовка), 12-19 июня 2012.

  19. А.А.Шевырин - участие в Научной школе по нанофизике и наноэлектронике (Москва, Черноголовка), 12-19 июня 2012. Отчет 11.09.2013
  20. И.О.Ахундов - участие в XIII международной конференции-семинаре молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам, Эрлагол, 2-6 июля 2012 г. Отчет 02.10.2012.

  21. А.А.Зарубанов - участие в Международной конференции по люминесценции и лазерной физике, Иркутск, 16-22 июля 2012 года, тема доклада "Перенос электронного возбуждения из квантовых точек CdS в углеродные нанотрубки". Отчет 22.05.2013.

  22. И.В.Осинных - участие в XIII Молодежной школе-семинаре по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС–13), Екатеринбург, 7 – 14 ноября, 2012, «Исследования сильно легированных кремнием AlGaN слоев, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием силана». Отчет 15.05.2013.

  23. П.П.Гугин - участие в 17th International Symposium on High Current Electronics, 17 - 21 сентября 2012, Томск. Тема доклада «Switching of high-voltage pulses with subnanosecond pulse fronts using an open discharge in a coaxial and planar geometry». Отчет 11.09.2013

  24. М.А.Лаврухин - участие в 17th International Symposium on High Current Electronics, 17 - 21 сентября 2012, Томск. Тема доклада «Generation of intensive electron beams in an open discharge with a planar geometry». Отчет 11.09.2013