Совещание "Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники"
"ФОТОНИКА-2003"
28-31 августа 2003г. Россия, Новосибирск.



Малый зал Дома ученых

ЧЕТВЕРГ, 28 АВГУСТА

1-е заседание Председатель - А.С.Асеев
930-945 Открытие совещания. Вступительное слово директора ИФП СО РАН А.Л.Асеева.
945-1015 В.М.Белоконев, А.Д.Крайлюк, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Е.В.Дегтярев, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, А.Л.Асеев. Статус МЛЭ cdhgte в тепловизионной технике.
1015-1045 А.А.Комов, И.Ю.Ларцев, М.С.Никитин, Г.В.Чеканова. МЛЭ эпитаксиальные структуры Hg1-xCdxTe - перспективный материал для производства многоэлементных ИК фоторезисторов.
1045-1105 И.А.Денисов, Н.И.Шматов, А.А.Шленский, И.Д.Бурлаков, Л.Д.Сагинов. Эпитаксиальные структуры твердых растворов ртуть-кадмий-теллур для матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-14 мкм.

ПЕРЕРЫВ 15 мин.

2-е заседание Председатель - Ф.Ф.Сизов.
1120-1150 В.И.Стафеев, В.П.Пономаренко, A.M.Филачёв, Л.Д.Сагинов, И.Д.Бурлаков, В.Н.Соляков, К.О.Болтарь. Фотодиоды и матричные фотоприёмники на основе соединений CdHgTe.
1150-1220 В.И.Стафеев, И.Д.Анисимова. Инжекционные фотодиоды.
1220-1240 Е.В.Сусов, О.В.Смолин, М.С.Никитин, Г.В.Чеканова, Ю.Г.Сидоров, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин. Исследования гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом МЛЭ и разработка фоторезисторов на их основе.

ОБЕД (1240-1400)

1400-1500 Стендовая сессия (доклады с 1 по 38).

3-е заседание Председатель - A.M.Филачёв
1500-1530 В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, А.Л.Асеев. ИК ФПУ на варизонных слоях КРТ.
1530-1600 В.В.Васильев, А.Г.Голенков, В.В.Забудский, И.В.Марчишин, В.П.Рева, В.Н.Овсюк, Ю.Г.Сидоров, Ф.Ф.Сизов. Многоэлементные гибридные ФПУ на основе КРТ-фотодиодов.
1600-1620 А.Э.Климов, О.В.Смолин, Е.В.Сусов, В.Н.Шумский. Фотоприёмные устройства на основе плёнок PbSnTe(In) - PbSnGeTe(In) для задач дистанционного зондирования Земли.

ПЕРЕРЫВ 15 мин.

4-е заседание Председатель - В.И.Стафеев
1635-1705 В.В.Шашкин, М.А.Демьяненко, А.И.Козлов, А.Г.Клименко, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, П.Ю.Пак, А.П.Савченко, А.И.Торопов. Матричные ИК фотоприемники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs.
1705-1725 А.А.Мармалюк, А.А.Падалица, Д.Б.Никитин, П.В.Булаев, И.В.Будкин, И.Д.Залевский, М.В. Коваленко. Получение гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм методом МОС-гидридной эпитаксии.
1725-1745 А.Ю.Селяков, В.П.Пономаренко Особенности туннелирования через ловушки и оптимальная структура низкофоновых фотодиодов на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te.
1745-1805 В.В.Гаврушко, А.А.Сапожников, Ю.Н.Прошкин, С.Г.Кузюков, Б.П.Старшинов. Двухцветный фотоприемник для видимой и средней ИК области спектра.

1830 Фуршет

ПЯТНИЦА, 29 АВГУСТА

5-е заседание Председатель - М.С.Каган
900-930 Е.В.Костюков, Ю.А.Кузнецов, А.С.Скрылёв, В.В.Чернокожин, В.В.Воронов, М.И.Какоулин, С.В.Трунов, А.А.Тихонов. Кремнивые фотоприёмники видимого и инфракрасного диапазонов - элементная база современных фотонных систем.
930-1000 А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Фотодетекторы на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками.
1000-1020 В.И.Хитько, Л.Г.Юрченок, В.П.Бондаренко, Н.Н.Ворозов, П.С.Смертенко, Т.Я.Горбач. Фотоприемники ультрафиолетового и видимого диапазона на основе текстурированного пористого кремния.
1020-1040 А.И.Дирочка, А.Н.Свиридов. Расчёт предельных параметров идеального наблюдательного тепловизора с учётом влияния окружающей среды.

ПЕРЕРЫВ 15 мин.

6-е заседание Председатель - Г.Л.Курышев
1055-1125 В.М.Базовкин, А.А.Гузев, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, А.С.Ларшин, В.Г.Половинкин. Тепловизионный микроскоп.
1125-1155 В.П.Рева, Ф.Ф.Сизов, Ю.П.Деркач, А.Г.Голенков, С.В.Коринец, Л.А.Писаренко. Схемы считывания для многоэлементных КРТ-ФПУ.
1155-1215 Ю.Н.Долганин, М.Е.Козырев, В.В.Карпов, Н.С.Кузнецов. Исследование температурных полей в конструкциях многоэлементных приемников излучения.
1215-1235 Н.М.Акимова, В.П.Астахов, А.А.Грибанов, Ю.Н.Долганин, В.В.Загулин, В.В.Карпов, В.П.Корольков, В.С.Крашенинников, Н.С.Кузнецов, М.А.Савченко. Унифицированный модуль ФПУ.
1235-1255 В.Л.Дшхунян, П.Р.Машевич, В.П.Чесноков, Е.Б.Володин, В.В.Зюбин, В.В.Минаев, И.В.Михалев, Е.В.Мурылева, Ю.К.Фортинский, В.В.Тарасов, А.Е.Здобников, Ю.С.Четверов. Мультиплексор болометрической матрицы.
1255-1315 С.С.Милосердов, А.А.Солодков. Аппаратно-программный метод интегральной оценки формирователей изображения систем технического зрения.

ОБЕД (1315 - 1415)

1415-1515 Стендовая сессия (доклады с 39 по 57).


1530 Отъезд в пансионат <Синеморье>
БАНКЕТ

Пансионат <Синеморье>

СУББОТА, 30 АВГУСТА

7-е заседание Председатель - П.В.Журавлев
900-920 А.С.Терехов. Физические пределы технических характеристик электронно- оптических преобразователей.
920-940 А.А.Пахневич, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, О.Е.Терещенко, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, А.И.Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством.
940-1000 В.Э.Андреев, А.А.Кравченко, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С. Терехов, А.С.Хохорин, Е.В.Дегтярев. Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей.
1000-1020 А.А.Мармалюк, А.А.Падалица, Д.Б.Никитин, П.В.Булаев, И.Д.Залевский, М.В.Коваленко. Особенности выращивания гетероструктур для фотокатодов методом МОС-гидридной эпитаксии

ПЕРЕРЫВ 20 мин.

8-е заседание Председатель - А.С.Терехов
1040-1100 К.П.Шатунов, С.М.Чурилов, И.В.Шапкин, Е.О.Ульянова, А.В.Турбин. А.С.Рафаилович, П.В.Журавлев. Построение низкоуровневых телевизионных систем с высоким пространственным разрешением.
1100-1120 К.П.Шатунов, П.И.Шапор, С.М.Чурилов, Е.А.Терёшин, С.И.Лепин, И.В.Шапкин. Комплекс модулей для обеспечения воздушной всепогодной разведки в широком спектральном диапазоне.
1120-1140 Ю.И.Завадский, Ю.А.Кузнецов, В.В.Чернокожин, В.М.Белоконев, Е.В.Дегтярев. Факторы, ограничивающие пороговые характеристики матричных фотоприемников длинноволнового ИК диапазона.
1140-1200 Г.Л.Курышев, В.М.Базовкин, С.Ф.Девятова, В.Г.Половинкин, И.И.Ли, В.Г.Ерков, Н.А.Валишева. Создание новых принципов построения фотоприемных матричных ИК систем с оптическим считыванием, работающих при комнатной температуре.
1200-1220 Серова Е.Н., Стемпковский А.Л., Шилин В.А. Принципы и схемотехника аналоговой обработки изображений в однокристальных КМОП-фотодиодных камерах.
ОБЕД (1220-1400)


9-е заседание Председатель - А.В.Двуреченский
1400-1430 А.Ю.Егоров, В.А.Одноблюдов, Ю.М.Шерняков, Е.В.Никитина, В.В.Мамутин, В.М.Устинов. Инжекционные лазеры с квантовыми ямами InGaAsN диапазона длин волн 1.3-1.5 микрона.
1430-1500 З.Ф.Красильник. Светоизлучающие структуры на основе GeSi/Si.
1500-1520 М.С.Каган, И.В.Алтухов, В.П.Синис, Е.Г.Чиркова, И.Н.Яссиевич, Дж. Колодзей. Стимулированное излучение ТГц диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si.

ПЕРЕРЫВ 15 мин.

10-е заседание Председатель - З.Ф.Красильник
1535-1555 В.А.Гайслер, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, О.Р.Баютова, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, М.М.Качанова, А.С.Медведев, Л.А.Ненашева, А.С.Суранов. Низкопороговые полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором на основе AlO-GaAs брэгговских зеркал.
1555-1615 В.Л.Крюков, А.М.Николаенко, Н.В.Коршунова, В.А.Захлебин. Многопроходные гетероструктуры AlGaAs для высокоэффективных излучателей ИК-диапазона.

ПЕРЕРЫВ
1630-1800 Круглый стол Председатель - А.Л.Асеев
1800 ЗАКРЫТИЕ СОВЕЩАНИЯ

ВОСКРЕСЕНЬЕ, 31 АВГУСТА

Экскурсия в ИФП СО РАН и КТИ ПМ СО РАН



СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
    1. А.В.Войцеховский, А.П.Коханенко, М.Ф.Филатов, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров. Влияние фонового излучения на рекомбинационные параметры эпитаксиальных пленок КРТ.
    2. М.В.Якушев, Д.А.Брунев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, А.Н.Гончаренко, А.К.Гутаковский, Д.Н.Придачин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений CdTe(310) и HgCdTe(310) на подложках Si(310).
    3. Ю.Ю.Логинов, П.Д.Браун. Образование дефектов в эпитаксиальных структурах HgCdTe, CdTe, CdZnTe, HgZnTe, HgMnTe.
    4. В.В.Тугушев, Е.В.Сусов, О.В.Смолин. Влияние межзонной поляризации на носителей заряда через P-N переход в узкозонном материале CdxHg1-xTe.
    5. Е.В.Граца, А.Д.Дуб, В.Г.Волков, С.Б.Севастьянов. Фотокатодные гетероструктуры InGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии.
    6. П.А.Бахтин, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров. Влияние низкотемпературных отжигов на электрофизические параметры пленок CdHgTe.
    7. А.Ф.Булдыгин, Е.В.Дегтярев, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, С.П.Речкунов, Ю.Г.Сидоров. Метрологическое обеспечение измерений параметров гетероэпитаксиальных структур CdHgTe.
    8. А.А.Давыдов, Н.В.Жаворонков. Выращивание из паровой фазы объемных монокристаллов ZnCdTe и изготовление подложек для эпитаксии КРТ.
    9. В.Л.Константинов. Определение состава твердых растворов Hg1-xCdxTe по спектрам решеточного отражения.
    10. П.А.Бахтин, А.К.Гутаковский, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров. Исследование магнетополевых зависимостей коэффициента Холла и проводимости и в пленках CdHgTe, выращенных методом МЛЭ.
    11. Н.Н.Михайлов, В.П.Титов, В.Ф.Кербс, Н.А.Аульченко, Н.И.Назаров, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий. Автоматизированная система управления технологическим процессом.
    12. Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин В.С., Сабинина И.В., А.К.Гутаковский, В.Г.Ремесник. Выращивание CdTe на поверхности ГЭС КРТ МЛЭ.
    13. Д.Н.Придачин, А.К.Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, И.В.Сабинина, М.В.Якушев, А.В.Колесников, Т.С.Шамирзаев, Н.В.Жаворонков. Эпитаксиальные слои Cd1-xZnxTe/GaAs(310).
    14. Д.Ю.Протасов, В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.Я.Костюченко. Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ КРТ p-типа проводимости.
    15. Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий. Оптимизация технологических условий роста ГЭС КРТ МЛЭ.
    16. G.S.Yurjev, S.F.Marenkin, V.N.Guskov, A.M.Natarovski. The structure of solid solution ZnxCd100-xTe.
    17. Ю.Г.Сидоров, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин. Антиструктурный теллур как донорный центр в пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ.
    18. А.А.Сапожников, А.М.Чупраков, А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, Ю.Н.Прошкин, С.Г.Кузюков. Фотоприемное устройство на основе твердого раствора InGaAsSb.
    19. В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, Н.Х.Талипов. О термической стабильности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p-типа.
    20. В.А.Бригинец, С.Н.Косолобов, В.В.Хатункин, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей.
    21. В.Л.Альперович, О.Е.Терещенко, В.С.Воронин, Н.С.Рудая, Г.Э.Шайблер, А.В.Латышев, Д.И.Щеглов, А.С.Терехов. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками.
    22. В.В.Бакин, А.А.Пахневич, А.П.Сметанников, В.Э.Андреев, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода.
    23. В.Л.Крюков, Ю.И.Кунакин, А.А.Матяш, С.С.Стрельченко, К.А.Титивкин. Основные технологические принципы выращивания гетероструктур AlGaAs для ОЭС-фотокатодов методом жидкофазной эпитаксии.
    24. С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк, П.В.Булаев, Д.Б.Никитин. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией
    25. А.В.Скипер, Н.Б.Матвеева, В.В.Парамонов, А.А.Матяш. Кристаллы для ИК-излучателей на основе гетероструктур GaAlAs.
    26. Г.А.Любас. (311)-ориентированные сверхрешетки GaAs/AlAs в приемниках и излучателях ИК-диапазона: оптические свойства, возможность применения, преимущества.
    27. А.В.Неуважаев, А.Ф.Иванов, А.А.Мармалюк. Получение гетероструктур на основе GaN методом МОС-гидридной эпитаксии.
    28. К.С.Журавлев, В.Г.Половинкин, В.А.Колосанов, А.Г.Милехин, Т.С.Шамирзаев, Г.Л.Курышев, Ю.Н.Раков, Ю.Б.Мякишев. Инфракрасное излучение, возникающее при лавинном пробое GaAs транзисторов.
    29. В.П.Астахов, В.П.Ежов, В.В.Карпов. О возможности повышения рабочей температуры фотодиодов из InSb.
    30. М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, Р.С.Матвиенко, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.А.Сачков, Н.Н.Леденцов, И.Р.Сошников, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthen, С.Н.Гриняев. Латеральные сверхрешётки GaAs/AlAs, выращенные на нано-фасетированной поверхности (311)А: структура, свойства и перспективы использования для ИК-приёмников.
    31. С.А.Волков, М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Л.Л.Васильева, А.С.Кушкова, С.М.Репинский, Б.И.Фомин. Термочувствительные слои VOx для микроболометрических приемников ИК излучения, полученные по золь-гель технологии.
    32. М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Б.И.Фомин, Е.И.Черепов, Л.Л.Васильева, С.М.Репинский, И.П.Михаловский, И.О.Парм, А.П.Соловьев. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx .
    33. В.В.Карпов, А.М.Савченко. Фоточувствительность гранулярных пленок BaYCuO.
    34. О.А.Шегай, А.И.Никифоров. Межзонная фотопроводимость напряженных структур Si/Ge/Si с квантовыми точками германия.
    35. В.А.Юрьев, М.Г.Войтик, Л. В.Арапкина, Д.Б.Ставровский, В.А.Чапнин, В.С.Аврутин, Н.Ф.Изюмская. Инфракрасные детекторы на основе гетероструктур Si1-xGex(B)/Si.
    36. П.С.Серебренников. Расчет фоточувствительности многослойной гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si с поглощением ИК излучения на свободных носителях.
    37. В.Г.Бару, В.А.Житов, Л.Ю.Захаров, А.Н.Изотов, В.И.Покалякин, Г.В.Степанов, Э.А.Штейнман. Фото и электролюминесценция в нанокомпозитных слоях SiOxNy(Si).
    38. В.В.Васильев, Ф.Н.Дульцев, И.О.Парм, А.П.Соловьев. Синтез слоев нитрида кремния в планарно-индукционном реакторе.
    39. Р.М.Егунов, Г.Ф.Караваев, В.Н.Чернышов. Сверхрешетки с Х-электронами для ИК-фотоприемников.
    40. А.С.Рафаилович, В.Б.Шлишевский. Высокосветосильный растровый УФ телеспектрометр.
    41. В.А.Моисеев, Е.А.Терешин, П.В.Журавлев, Е.О.Ульянова, К.П.Шатунов, С.М.Чурилов. Пути реализации многоспектральных комплексированных оптико-электронных систем.
    42. С.В.Олейник. Пути развития в создании новых тепловизионных комплексов.
    43. А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, Ю.Н.Прошкин, А.А.Сапожников. Измерение параметров фоторезисторов.
    44. В.М.Ефимов. Простая модель динамики разрушения гибридных фотоприемных сборок при многократных термоциклированиях.
    45. А.А.Гузев, В.М.Базовкин, В.М.Ефимов, Г.Л.Курышев, З.В.Панова. Испытание гибридных матричных модулей на устойчивость к многократным термоциклированиям.
    46. В.М.Белоконев, А.М.-Ш.Итигин, Т.Н.Хацевич, В.Б.Шлишевский. Проблемы технической реализации оптико-электронной системы автоматического определения координат цели по световой вспышке.
    47. К.Н.Чиков, В.М.Красавцев, В.В.Гуд. Видеоспектрометрия в УФ диапазоне.
    48. И.А.Рязанцев, Л.С.Смирнов, А.В.Двуреченский. Термоэлектрические приемники излучения: состояние и перспективы.
    49. В.А.Казаков, В.Ю.Филиновский. Гальваническое нанесение In-"микростолбов" на элементы фотоприемных устройств.
    50. А.Ю.Селяков. Температура BLIP режима ИК диапазона на основе d - легированного p-n перехода нового типа.
    51. В.Н.Федоринин, А.В.Гельфанд, П.П.Мальцев. Матричные приемники ИК излучения на оптоакустических элементах.
    52. О.И.Потатуркин. Принципы построения автоматизированных систем восприятия и анализа последовательности тепловизионных изображений.
    53. А.А.Солодков. Универсальная методика расчета основных параметров формирователей изображения систем технического зрения.
    54. В.К.Бабков, М.В.Свяжина. Локальный эффективный вакуум в переходных режимах потока при осаждении пленок полуметаллов методом МЛЭ с "hot-wall".
    55. А.А.Гузев, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, В.Г.Половинкин, З.В.Панова. Температурные деформации фотоприемных модулей, состоящих из соединенных индиевыми "столбами" кристаллов InAs и Si.
    56. А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, А.А.Сапожников. Установка измерения параметров малоресурсных криогенных приемников излучения.
    57. В.А.Швец, С.В.Рыхлицкий, Е.В.Спесивцев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров, Р.Н.Смирнов. Эллипсометрический контроль при выращивании тонких слоев КРТ и неоднородных структур методом МЛЭ.