- А.В.Войцеховский, А.П.Коханенко, М.Ф.Филатов, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров. Влияние фонового излучения на рекомбинационные параметры эпитаксиальных пленок КРТ.
- М.В.Якушев, Д.А.Брунев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, А.Н.Гончаренко, А.К.Гутаковский, Д.Н.Придачин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений CdTe(310) и HgCdTe(310) на подложках Si(310).
- Ю.Ю.Логинов, П.Д.Браун. Образование дефектов в эпитаксиальных структурах HgCdTe, CdTe, CdZnTe, HgZnTe, HgMnTe.
- В.В.Тугушев, Е.В.Сусов, О.В.Смолин. Влияние межзонной поляризации на носителей заряда через P-N переход в узкозонном материале CdxHg1-xTe.
- Е.В.Граца, А.Д.Дуб, В.Г.Волков, С.Б.Севастьянов. Фотокатодные гетероструктуры InGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии.
- П.А.Бахтин, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров. Влияние низкотемпературных отжигов на электрофизические параметры пленок CdHgTe.
- А.Ф.Булдыгин, Е.В.Дегтярев, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, С.П.Речкунов, Ю.Г.Сидоров. Метрологическое обеспечение измерений параметров гетероэпитаксиальных структур CdHgTe.
- А.А.Давыдов, Н.В.Жаворонков. Выращивание из паровой фазы объемных монокристаллов ZnCdTe и изготовление подложек для эпитаксии КРТ.
- В.Л.Константинов. Определение состава твердых растворов Hg1-xCdxTe по спектрам решеточного отражения.
- П.А.Бахтин, А.К.Гутаковский, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров. Исследование магнетополевых зависимостей коэффициента Холла и проводимости и в пленках CdHgTe, выращенных методом МЛЭ.
- Н.Н.Михайлов, В.П.Титов, В.Ф.Кербс, Н.А.Аульченко, Н.И.Назаров, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий. Автоматизированная система управления технологическим процессом.
- Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин В.С., Сабинина И.В., А.К.Гутаковский, В.Г.Ремесник. Выращивание CdTe на поверхности ГЭС КРТ МЛЭ.
- Д.Н.Придачин, А.К.Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, И.В.Сабинина, М.В.Якушев, А.В.Колесников, Т.С.Шамирзаев, Н.В.Жаворонков. Эпитаксиальные слои Cd1-xZnxTe/GaAs(310).
- Д.Ю.Протасов, В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.Я.Костюченко. Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ КРТ p-типа проводимости.
- Н.Н.Михайлов, Р.Н.Смирнов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий. Оптимизация технологических условий роста ГЭС КРТ МЛЭ.
- G.S.Yurjev, S.F.Marenkin, V.N.Guskov, A.M.Natarovski. The structure of solid solution ZnxCd100-xTe.
- Ю.Г.Сидоров, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин. Антиструктурный теллур как донорный центр в пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ.
- А.А.Сапожников, А.М.Чупраков, А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, Ю.Н.Прошкин, С.Г.Кузюков. Фотоприемное устройство на основе твердого раствора InGaAsSb.
- В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, Н.Х.Талипов. О термической стабильности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p-типа.
- В.А.Бригинец, С.Н.Косолобов, В.В.Хатункин, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей.
- В.Л.Альперович, О.Е.Терещенко, В.С.Воронин, Н.С.Рудая, Г.Э.Шайблер, А.В.Латышев, Д.И.Щеглов, А.С.Терехов. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками.
- В.В.Бакин, А.А.Пахневич, А.П.Сметанников, В.Э.Андреев, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода.
- В.Л.Крюков, Ю.И.Кунакин, А.А.Матяш, С.С.Стрельченко, К.А.Титивкин. Основные технологические принципы выращивания гетероструктур AlGaAs для ОЭС-фотокатодов методом жидкофазной эпитаксии.
- С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк, П.В.Булаев, Д.Б.Никитин. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией
- А.В.Скипер, Н.Б.Матвеева, В.В.Парамонов, А.А.Матяш. Кристаллы для ИК-излучателей на основе гетероструктур GaAlAs.
- Г.А.Любас. (311)-ориентированные сверхрешетки GaAs/AlAs в приемниках и излучателях ИК-диапазона: оптические свойства, возможность применения, преимущества.
- А.В.Неуважаев, А.Ф.Иванов, А.А.Мармалюк. Получение гетероструктур на основе GaN методом МОС-гидридной эпитаксии.
- К.С.Журавлев, В.Г.Половинкин, В.А.Колосанов, А.Г.Милехин, Т.С.Шамирзаев, Г.Л.Курышев, Ю.Н.Раков, Ю.Б.Мякишев. Инфракрасное излучение, возникающее при лавинном пробое GaAs транзисторов.
- В.П.Астахов, В.П.Ежов, В.В.Карпов. О возможности повышения рабочей температуры фотодиодов из InSb.
- М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, Р.С.Матвиенко, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.А.Сачков, Н.Н.Леденцов, И.Р.Сошников, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthen, С.Н.Гриняев. Латеральные сверхрешётки GaAs/AlAs, выращенные на нано-фасетированной поверхности (311)А: структура, свойства и перспективы использования для ИК-приёмников.
- С.А.Волков, М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Л.Л.Васильева, А.С.Кушкова, С.М.Репинский, Б.И.Фомин. Термочувствительные слои VOx для микроболометрических приемников ИК излучения, полученные по золь-гель технологии.
- М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Б.И.Фомин, Е.И.Черепов, Л.Л.Васильева, С.М.Репинский, И.П.Михаловский, И.О.Парм, А.П.Соловьев. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx .
- В.В.Карпов, А.М.Савченко. Фоточувствительность гранулярных пленок BaYCuO.
- О.А.Шегай, А.И.Никифоров. Межзонная фотопроводимость напряженных структур Si/Ge/Si с квантовыми точками германия.
- В.А.Юрьев, М.Г.Войтик, Л. В.Арапкина, Д.Б.Ставровский, В.А.Чапнин, В.С.Аврутин, Н.Ф.Изюмская. Инфракрасные детекторы на основе гетероструктур Si1-xGex(B)/Si.
- П.С.Серебренников. Расчет фоточувствительности многослойной гетероструктуры Si/Si1-xGex/Si с поглощением ИК излучения на свободных носителях.
- В.Г.Бару, В.А.Житов, Л.Ю.Захаров, А.Н.Изотов, В.И.Покалякин, Г.В.Степанов, Э.А.Штейнман. Фото и электролюминесценция в нанокомпозитных слоях SiOxNy(Si).
- В.В.Васильев, Ф.Н.Дульцев, И.О.Парм, А.П.Соловьев. Синтез слоев нитрида кремния в планарно-индукционном реакторе.
- Р.М.Егунов, Г.Ф.Караваев, В.Н.Чернышов. Сверхрешетки с Х-электронами для ИК-фотоприемников.
- А.С.Рафаилович, В.Б.Шлишевский. Высокосветосильный растровый УФ телеспектрометр.
- В.А.Моисеев, Е.А.Терешин, П.В.Журавлев, Е.О.Ульянова, К.П.Шатунов, С.М.Чурилов. Пути реализации многоспектральных комплексированных оптико-электронных систем.
- С.В.Олейник. Пути развития в создании новых тепловизионных комплексов.
- А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, Ю.Н.Прошкин, А.А.Сапожников. Измерение параметров фоторезисторов.
- В.М.Ефимов. Простая модель динамики разрушения гибридных фотоприемных сборок при многократных термоциклированиях.
- А.А.Гузев, В.М.Базовкин, В.М.Ефимов, Г.Л.Курышев, З.В.Панова. Испытание гибридных матричных модулей на устойчивость к многократным термоциклированиям.
- В.М.Белоконев, А.М.-Ш.Итигин, Т.Н.Хацевич, В.Б.Шлишевский. Проблемы технической реализации оптико-электронной системы автоматического определения координат цели по световой вспышке.
- К.Н.Чиков, В.М.Красавцев, В.В.Гуд. Видеоспектрометрия в УФ диапазоне.
- И.А.Рязанцев, Л.С.Смирнов, А.В.Двуреченский. Термоэлектрические приемники излучения: состояние и перспективы.
- В.А.Казаков, В.Ю.Филиновский. Гальваническое нанесение In-"микростолбов" на элементы фотоприемных устройств.
- А.Ю.Селяков. Температура BLIP режима ИК диапазона на основе d - легированного p-n перехода нового типа.
- В.Н.Федоринин, А.В.Гельфанд, П.П.Мальцев. Матричные приемники ИК излучения на оптоакустических элементах.
- О.И.Потатуркин. Принципы построения автоматизированных систем восприятия и анализа последовательности тепловизионных изображений.
- А.А.Солодков. Универсальная методика расчета основных параметров формирователей изображения систем технического зрения.
- В.К.Бабков, М.В.Свяжина. Локальный эффективный вакуум в переходных режимах потока при осаждении пленок полуметаллов методом МЛЭ с "hot-wall".
- А.А.Гузев, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, В.Г.Половинкин, З.В.Панова. Температурные деформации фотоприемных модулей, состоящих из соединенных индиевыми "столбами" кристаллов InAs и Si.
- А.А.Сапожников, В.В.Гаврушко, А.А.Сапожников. Установка измерения параметров малоресурсных криогенных приемников излучения.
- В.А.Швец, С.В.Рыхлицкий, Е.В.Спесивцев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров, Р.Н.Смирнов. Эллипсометрический контроль при выращивании тонких слоев КРТ и неоднородных структур методом МЛЭ.
|