Применение высокоразрешающего микроскопа в режиме на просвет позволяет характеризовать структурные дефекты как в подложке, так и в многослойных эпитаксиальных пленках. Например, применение высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ) обеспечило диагностическую поддержку исследованиям по развитию эпитаксиальной технологии создания структур на основе твердых растворов кадмия, ртути и теллура для фоточувствительных элементов матриц для современных систем тепловидения. С помощью ВРЭМ определяются такие важные параметры низкоразмерных систем, как размеры квантовых объектов и их пространственное расположение, степень упорядочения, резкость границ раздела объект-матрица, наличие структурных дефектов.

Jem-4000
  1. Марка — JEM-4000EX.
  2. Производитель/страна — JEOL, Япония.
  3. Технические характеристики:
    • Ускоряющее напряжение: 400 кВ (шаг — 100В).
    • Источник электронов: LaB6-катод.
    • Наличие энергетического фильтра и монохроматора (для прецизионного EELS анализа).
    • Объективная линза (UHP-40):
      • коэффициент сферической аберрации — 1 мм;
      • коэффициент хроматической аберрации — 1,6 мм;
      • фокусное расстояние — 3,2 мм;
      • шаг фокусировки — 1,2 нм;
      • максимальное увеличение — 1200000;
    • Разрешающая способность: 0,165 нм (по точкам), 0,100 нм (по линиям).
  4. Местонахождение в ЦКПОтделение высокоразрешающей электронной микроскопии, к. 105.
  5. Год модернизации — 1990.
  6. Балансовая стоимость — 5228 тыс. руб.
  7. Нормативная стоимость часа работы с учетом амортизации — 717 руб.
  8. Нормативное (среднее) количество обработанных образцов в час — 0,5.
  9. Предоставляемые услуги:
    • Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
    • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
    • Количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.
    • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
  10. Используемые методики:
    • Методика количественного размерно-морфологического анализа различных типов материалов и измерений характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа.
    • Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
    • Методика компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
    • Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
    • Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
    • Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.