Технология фокусированных ионных пучков (ФИП), развитая на базе двулучевых систем, совмещающих растровую электронную микроскопию с ионным пучком, широко применяется в современных полупроводниковых технологиях, научных исследованиях, а также для решения прикладных задач препарирования образцов для электронной микроскопии. Данная технология обеспечивает возможность локального прецизионного травления и ионно-стимулированного осаждения различных материалов (металлов, диэлектриков). Высокая локальность модификации поверхности подложек сфокусированным пучком высокоэнергетичных ионов используется для создания элементов микромеханики и микроэлектромеханических систем (MEMS).

FIB
  1. Марка — CROSS BEAM 1540XB.
  2. Производитель/страна — Zeiss, Германия.
  3. Технические характеристики:
    • Характеристики электронной пушки:
      • Рабочее расстояние — 0-45 мм.
      • Разрешение — 1,1 нм @ 20 кВ, 2,5 нм @ 1 кВ.
      • Увеличение — 20x - 900kx.
      • Ток пучка — 4 пA - 20 нA.
      • Ускоряющее напряжение — 0,1 - 30 кВ.
      • Тип катода — Thermal field emission type.
      • Давление в пушке < 1×10-9 Торр.
    • Характеристики ионной пушки (Ga+):
      • Рабочее расстояние — 5 мм.
      • Разрешение — 5 нм достижимо.
      • Увеличение — 600x - 500kx.
      • Ток пучка — 1 пA - 50 нA.
      • Ускоряющее напряжение — 3 - 30 кВ.
      • Тип катода — Ga liquid metal ion source (LMIS).
      • Давление в пушке < 1×10-9 Торр.
    • EDX анализ
    • Приставка для электронной литографии
    • Система напуска газов (до 5 газов для селективного травления, глубокого травления, осаждения металлов и диэлектриков).
    • Давление в рабочей камере < 1×10-6 Торр.
    • Наклон образца до 54°.
    • Детекторы:
      • In-lens: Annular type — внутрилинзовый детектор.
      • Chamber: TV.
      • SE-детектор вторичных электронов.
  4. Местонахождение в ЦКПОтделение ионной литографии и Отделение cканирующей электронной микроскопии, к. 108.
  5. Год модернизации — 2013.
  6. Балансовая стоимость — 27797 тыс. руб.
  7. Предоставляемые услуги:
    • Cоздание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов, включающих электронную, ионно-лучевую и зондовую литографию.
    • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
    • Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии.
  8. Используемые методики:
    • Методика количественного морфологического анализа и измерений линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа.
    • Методика структурирования поверхностей различных материалов под воздействием ионного пучка.
    • Методика формирования ионным пучком из образцов ламелей (тонких срезов) для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии.