Сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп STM VT OMICRON позволяет в сверхвысоковакуумных условиях получать атомное изображение поверхности металлов и полупроводников, в том числе кремния, посредством регистрации туннельного тока между зондом и близко подведенной к нему исследуемой поверхности. Предназначен для исследования элементарных структурных процессов на поверхности полупроводников и металлов для создания наносистем и новых материалов с уникальными свойствами.

VT-STM (Omicron)
  1. Марка — VT-STM.
  2. Производитель/страна — OMICRON, Германия.
  3. Технические характеристики:
    • Остаточное давление в камере 10-11 Торр.
    • Микроскоп оборудован титановым ионным насосом и турбомолекулярным насосом.
    • Возможность нагрева образцов до 1500°С.
    • Разрешающая способность микроскопа определяется разрешающей способностью иглы и соответствует размеру отдельного атома в латеральных направлениях и до 0,01 нм в вертикальном направлении.
    • Дополнительная система позиционирования, позволяет проводить сканирование поверхности непосредственно после эпитаксии или сублимации.
    • Микроскоп оборудован ячейками напуска кислорода и системой эпитаксиального напыления на поверхность кремния или германия.
  4. Местонахождение в ЦКПОтделение тунельной микроскопии, НГУ.
  5. Год модернизации — 2008.
  6. Балансовая стоимость — 11900 тыс. руб.
  7. Нормативная стоимость часа работы с учетом амортизации — 4200 руб.
  8. Нормативное (среднее) количество обработанных образцов в час — 0,2.
  9. Предоставляемые услуги:
    • Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии.
    • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
    • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
  10. Используемые методики:
    • Методика измерения линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
    • Методика получения изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
    • Методика создания и изучения полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ.